公开(公告)号：CN107099799A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201710212876.6

申请日：2017-03-31

Applicant: 李世华

Inventor： 李世华

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/42

CPC classification number: C23F1/18 ,  C23F1/42

Abstract: 本发明公开一种氯化铜蚀刻液及其制备方法，由蚀刻母液和蚀刻子液制成，所述蚀刻母液包括以下重量份的原料：羧甲基纤维素钠、硼酸、甲基丁酸酯、氯化苯甲酰、N‑氯化对甲基苯磺酰胺钠、硬脂酸钡、偶氮二异丁腈、三氯化铁、氢氟酸、磷酸、甲氧基醋酸、重铬酸钾、二乙醇胺和三乙醇胺，所述蚀刻子液包括以下重量份的原料：氯化铜、氨水、氯化铵和氯化钴，该种版辊镀铜液的配制方法简单，并且蚀刻液的蚀刻效率高，以及蚀刻过程中产生的气体对环境污染小，能够快速将版辊进行蚀刻，并且版辊的蚀刻精度高，不易产生缺陷。

公开(公告)号：CN106995922A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201710033540.3

申请日：2011-04-28

Applicant: 东友精细化工有限公司

Inventor： 林玟基 ,  权五柄 ,  李喻珍 ,  刘仁浩 ,  李俊雨 ,  朴英哲 ,  张尚勋

IPC: C23F1/42 ,  H01L21/3213

CPC classification number: C23F1/16 ,  H01L21/32134 ,  C23F1/42

Abstract: 本发明涉及一种用于含铜和钛的金属层的蚀刻液组合物，基于组合物的总重量，包含：5wt％～20wt％的过硫酸盐，0.01wt％～2wt％的氟化合物，1wt％～10wt％的选自无机酸、无机酸盐及它们的混合物中的一种或多种，0.3wt％～5wt％的环状胺化合物，0.01wt％～5wt％的氯化合物，及其余为水。

公开(公告)号：CN103710704A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310451351.X

申请日：2013-09-27

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 永岛和明 ,  高桥秀树

IPC: C23F1/10

CPC classification number: C09K13/00 ,  C23F1/42 ,  C23F1/44

Abstract: 本发明的目的在于提供一种碘类蚀刻液及蚀刻方法，该蚀刻液能使钯材料的对与钯材料不同的金属材料的蚀刻速率比较高，特别是能使蚀刻液中的有机溶剂的浓度较低。本发明的碘类蚀刻液是用于对钯材料和与钯材料不同的其它金属材料共存的材料进行蚀刻的碘类蚀刻液，所述碘类蚀刻液包含有机溶剂和水溶性高分子化合物，该有机溶剂与水相容。

公开(公告)号：CN101189134A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200580046012.7

申请日：2005-12-22

Applicant: 波克股份有限公司

Inventor： J·G·迪姆 ,  D·P·劳比

IPC: B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C03C25/68 ,  C23F1/00

CPC classification number: C09K13/04 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  C23F1/28 ,  C23F1/42 ,  Y10T428/12

Abstract: 提供了一种可以按照预期处理基板表面的改进方法，该方法包括使用预先选择的触变性蚀刻剂获得优良并且预先确定的基板表面。

公开(公告)号：CN100343362C

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN03826622.9

申请日：2003-06-13

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 小野裕 ,  增田克之 ,  羽广昌信

IPC: C09K13/00 ,  C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  C23F1/16

CPC classification number: B24B37/00 ,  B24B37/04 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C23F1/42 ,  C23F3/00 ,  C23F3/06 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供了一种金属用研磨液，其含有氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂以及水，所述金属防蚀剂是具有氨基三唑骨架的化合物和具有咪唑骨架的化合物中的至少一种。通过使用该研磨液，在半导体器件的配线形成工序中，能够在保持低的蚀刻速度的同时，充分提高研磨速度，抑制金属表面的腐蚀和碟陷现象的发生，能够形成可靠性高的金属膜埋入的图案。

公开(公告)号：CN1788070A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN03826622.9

申请日：2003-06-13

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 小野裕 ,  增田克之 ,  羽广昌信

IPC: C09K13/00 ,  C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  C23F1/16

CPC classification number: B24B37/00 ,  B24B37/04 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C23F1/42 ,  C23F3/00 ,  C23F3/06 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供了一种金属用研磨液，其含有氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂以及水，所述金属防蚀剂是具有氨基三唑骨架的化合物和具有咪唑骨架的化合物中的至少一种。通过使用该研磨液，在半导体器件的配线形成工序中，能够在保持低的蚀刻速度的同时，充分提高研磨速度，抑制金属表面的腐蚀和碟陷现象的发生，能够形成可靠性高的金属膜埋入的图案。