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公开(公告)号:CN108692836A
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201710942568.9
申请日:2017-10-11
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01L1/14 , G01P15/125
CPC classification number: B81C1/00222 , B81B3/0021 , B81B7/02 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2207/097 , B81C1/00261 , B81C1/00349 , B81C2201/01 , G01L1/144 , G01L1/148 , G01P15/125
Abstract: 本公开提供了一种包括电容式压力传感器的MEMS器件及其制造方法。该MEMS器件中由半导体材料制成的主体包含腔室以及所述腔室内的第一柱。半导体材料的盖附接到所述主体并形成第一隔膜、第一腔和第一通道。所述腔室在所述盖的侧面封闭。所述第一隔膜、所述第一腔、所述第一通道和所述第一柱形成电容式压力传感器结构。所述第一隔膜布置在所述第一腔和第二面之间,所述第一通道在所述第一腔和第一面之间或所述第一腔和所述第二面之间延伸,所述第一柱向所述第一隔膜延伸并与所述第一隔膜一起构成第一电容器元件的极板。
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公开(公告)号:CN106092384A
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201610394645.7
申请日:2016-06-06
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC: G01L1/14
Abstract: 本发明提供了一种电容型压力传感器及其制备方法。所述电容型压力传感器包括:第一基底和第二基底;设于第一基底上的第一电极层和设于第二基底上的第二电极层,第一电极层和第二电极层位于第一基底和第二基底之间;设于第一电极层和第二电极层之间的介电层;所述介电层包括多个凸起。该制备方法包括:形成第一基底和第二基底;在第一基底上布设第一电极层,在第二基底上布设第二电极层;形成包括多个凸起的介电层;将介电层布设于第一电极层上;将第一基底、第一电极层及介电层的组合放置于第二电极层上使介电层位于第一电极层与第二电极层之间。本发明大幅度提高了电容型压力传感器的灵敏度,有效缩短了传感器的响应时间。
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公开(公告)号:CN106066217A
公开(公告)日:2016-11-02
申请号:CN201610245412.0
申请日:2016-04-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01L1/14
CPC classification number: G01L9/125 , G01L9/0072 , G01L1/144
Abstract: 一种测量方法包括:通过传感器响应于激励信号生成响应信号。该方法还包括根据伪随机跳动生成采样时钟信号;以及根据所述采样时钟信号来采样所述响应信号,以确定多个数字采样。该方法还包括:组合所述多个数字采样以形成测量采样。
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公开(公告)号:CN106066216A
公开(公告)日:2016-11-02
申请号:CN201610245161.6
申请日:2016-04-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01L1/14
CPC classification number: G01L9/12 , G01L9/0073 , G01L1/144
Abstract: 一个实施例包括一种用于使用微机电系统(MEMS)设备执行测量的方法,MEMS设备包括具有不同谐振频率的多个MEMS传感器,该方法包括向所述MEMS设备的第一端口施加激励信号使得多个MEMS传感器中的每一个均被激励信号所刺激。该方法还包括测量所述MEMS设备的第二端口处的信号以及基于测量所述信号确定测量值。
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公开(公告)号:CN103733304B
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201280037056.3
申请日:2012-06-29
Applicant: 因文森斯公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/025 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00246 , B81C2203/0771 , G01L1/144 , G01L1/148 , G01L5/0028 , G01L9/0072 , G01L15/00 , G01L19/0092 , G01L19/0636 , G01L19/148 , G01L27/007
Abstract: 在此披露了一种用于为MEMS设备提供集成电子器件的系统和方法。该MEMS设备包括一个集成电路衬底和一个耦联到该集成电路衬底上的MEMS子组件。该集成电路衬底包括耦联到至少一个固定电极上的至少一个电路。该MEMS子组件包括通过平版印刷工艺形成的至少一个压铆螺母柱、一个带有顶面和底面的柔性板、以及一个耦联到该柔性板上并且电耦联到该至少一个压铆螺母柱上的MEMS电极。作用在该柔性板上的一个力引起该MEMS电极与该至少一个固定电极之间的一个间隙的变化。
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公开(公告)号:CN103026194A
公开(公告)日:2013-04-03
申请号:CN201180036716.1
申请日:2011-05-26
Applicant: 丹佛斯多能公司
CPC classification number: G01R33/3635 , G01L1/144 , G01L19/086 , G01M5/00
Abstract: 一种具有由可变电容器(5)提供可变谐振频率的谐振电路,该电容器具有布置在可变形片(23)上的柔性电极。当片(23)变形时,电容发生改变。进一步地,传感元件(3)包括该谐振电路,传感系统包括至少一个传感元件(3)、发送单元(1)和接收单元(2)。适合批量生产。提供制造性价比高的无线传感系统。可用于低成本的产品,例如玩具。还可用于监控结构的位移,例如壁结构(28)上的裂纹(29)。进一步,位置压敏传感器包括布置在二维结构(22)上的压力传感器。
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公开(公告)号:CN102879020A
公开(公告)日:2013-01-16
申请号:CN201210225738.9
申请日:2012-06-29
Applicant: EM微电子-马林有限公司
CPC classification number: G01D3/032 , G01D5/241 , G01L1/144 , G01P15/125 , G01P15/18
Abstract: 本发明涉及用于减小物理参数测量期间的非线性的方法以及用于实现该方法的电子电路。该方法包含,首先,基于第一数字信号由测量电压对电容器电极进行偏置,接着,以调节后的电压对第一电容器的固定电极进行偏置,以及以低电压对第二电容器的固定电极进行偏置,接着,基于第二数字测量信号,用测量电压对电容器电极进行偏置,最后,以低电压对第一电容器的固定电极进行偏置,以及以调节后的电压对第二电容器的固定电极进行偏置。在物理参数测量期间,将规定的偏移电压引入数字模拟转换器,以便调制第一与第二数字信号。取两个数字信号的均值,以便减小转换器的非线性效应。
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公开(公告)号:CN1321243A
公开(公告)日:2001-11-07
申请号:CN00801886.3
申请日:2000-07-07
Applicant: 株式会社东金
IPC: G01L1/14 , G01P15/125
CPC classification number: G01P15/125 , G01B7/22 , G01L1/142 , G01L1/144 , G01L1/148 , G01L3/106 , G01P2015/0814 , G01P2015/0828
Abstract: 本发明的静电电容式变形传感器包括基板(119)和该基板上形成的二个交叉指型-对电极式电容器(209,209A)。该基板(119)在具有平面(或曲面)的弹性体的表面上,形成由厚度大致一致、介电常数随变形而变化的材料形成的电介质层膜(129)。另外,基板(119)在一个端部上固定了阻止变形的发生的部件(318),在另一端部固定了重物(329)。各交叉指型-对电极式电容器(209,209)在基板的表面上将成对电极组合成交叉指型而形成,该成对电极是将多个线状导电体作为平行的线状电极形成的。在静电电容式变形传感器中,在通过块(318)固定的基板(119)上形成一个交叉指型-对电极式电容器(209A)作为基准电容器,将其用于另一个交叉指型-对电极式电容器(209)的温度校正。为了检测另一方向的变形,线状电极的交叉指型中的指的方向大致互相垂直,或使形成交叉指型中的指的线状电极相对于平板的中心大致呈同心圆形状。另外,在弹性体为圆柱形的场合,将多个线状电极作为交叉指型中的指,该多个线状电极按照与中心轴方向大致倾斜45度且交错地嵌入的方式平行地呈螺旋状延伸,此外,通过形成与该线状电极的延伸方向成90度的另一对电极图形,可有效地检测反向的扭转量。静电电容式传感器通过将交叉指型-对电极式电容器作为振荡电路的元件而装入,可将随弹性体的变形产生的变形的值转换为静电电容的变化,还可容易地将其转换为频率变化,由于经转换的频率可精细地抽出,故可容易检测变形的细微变化。
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公开(公告)号:CN108124474A
公开(公告)日:2018-06-05
申请号:CN201780003129.X
申请日:2017-01-18
Applicant: 深圳市汇顶科技股份有限公司
CPC classification number: G01L1/144 , G06F3/0416 , G06F3/044 , H03F3/45475 , H03F2200/261 , H03F2203/45116 , H03F2203/45138 , H03F2203/45156 , H03F2203/45514 , G06F3/0414 , G06F3/0418
Abstract: 一种检测电容的装置、电子设备和检测压力的装置。该检测电容的装置包括:打码电路(110),用于对至少一个待测电容器周期性充放电;变换电路(120),用于将该至少一个待测电容器的电容信号转换为电压信号;抵消电路(130),用于抵消该至少一个待测电容器的初始电容,以使该电压信号关联该至少一个待测电容器的电容变化。该检测电容的装置,能够提高抗干扰性能,提高电容检测的精确度。
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公开(公告)号:CN106024757A
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201610340367.7
申请日:2013-03-15
Applicant: 英特尔移动通信有限责任公司
IPC: H01L23/544 , G01L1/14
CPC classification number: H01L23/544 , H01L23/562 , H01L23/642 , H01L27/04 , H01L2224/16225 , H01L22/34 , G01L1/144 , G01L1/146 , G01L1/148 , G01N27/223 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 描述了一种可以能够可再生地测量极小电容及其变化的电容传感器和测量电路。该电容可以根据本地环境状况,比如机械应力(例如翘曲或剪应力)、机械压力、温度和/或湿度,而变化。可能所期望的是,提供集成到半导体芯片中的电容器,该电容器足够小且对精确测量预期半导体芯片所经历的状况敏感。
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