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公开(公告)号：CN117233910A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311289058.8
申请日：2023-10-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G02B7/00
Abstract: 本公开提供了一种横向形变调控系统，可以应用于微纳技术领域。该系统包括：探测器采集待调控的光学元件的指定区域的横向形变数据，控制系统根据横向形变数据，利用调控算法向控制器发送驱动电压控制指令，控制器执行驱动电压控制指令，调控调控单元的驱动电压，调控单元包括依次设置的安装板、至少一个驱动模块和吸盘，吸盘包括两个相对的吸面，一个吸面上设置至少一个驱动模块，另一个吸面上贴附待调控的光学元件，驱动模块在驱动电压的作用下自身产生纵向形变，并使贴附在吸盘上的待调控的光学元件发生横向形变。改变横向调节横向形变的传统思维，从吸盘另一吸面也即背面入手，通过纵向形变调控横向形变，自动化的实现掩模横向形变调控。
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公开(公告)号：CN116027641A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211715721.1
申请日：2022-12-29
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供一种兼容同轴和离轴的照明装置及方法，包括：同轴照明单元(1)；N级离轴照明单元(2)；基板(2‑8)，用于固定安装同轴照明单元(1)和N级离轴照明单元(2)；运动机构(2‑4)，用于带动离轴照明单元(2)前后移动，以匹配不同尺寸和图像周期的光栅，实现不同的NA照明。本公开可实现同轴照明和离轴照明的切换；通过更换不同尺寸和图像周期的光栅，结合运动机构，可实现不同数值孔径的离轴照明。
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公开(公告)号：CN115963705A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211702746.8
申请日：2022-12-28
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供一种照明补偿方法，包括：获取曝光成像系统中成像膜层与模板之间的工作间隙；计算不同工作间隙对应的成像膜层中光致抗蚀剂层的成像光场强度，根据成像光场强度构建成像膜层中光致抗蚀剂层的成像图形线宽随工作间隙变化的关系；根据成像图形线宽随工作间隙变化的关系计算照明光所需的补偿参量；根据补偿参量对曝光成像系统进行照明补偿。该方法能够计算不同工作间隙对应的照明光所需的补偿参量，进而能够根据补偿参量对不同位置处入射光的光强、偏振、相位等参量进行像素化调节，使得不同工作间隙处的光致抗蚀剂层成像光场趋于一致，从而改善大面积成像图形线宽的均匀性，达到曝光线宽均匀性要求。
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公开(公告)号：CN115741584A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211645084.5
申请日：2022-12-20
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: B25B27/02
Abstract: 本公开提供一种分块施压压力装置及分块施压方法，分块施压压力装置包括：外围框架、压力头、工装和锁紧螺杆，其中：外围框架设有受压区域，压力头对准受压区域；工装夹设在外围框架内，工装设有多个安装孔，每个安装孔中安装一个压力头，压力头之间相互独立；外围框架上设有与压力头数量相等的第一限位孔，一个第一限位孔插入有一根锁紧螺杆，一根锁紧螺杆对准一个压力头；第一限位孔中设置有与锁紧螺杆配合的螺纹，锁紧螺杆与螺纹相互作用，将力矩转化为沿垂直于受压区域方向推动压力头的作用力。该装置及方法避免了传统整体施压受力均匀度不高的问题，提高了工件装配的成功率，并且，装置整体结构简单，易于装配，适用性强。
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公开(公告)号：CN115727883A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211534663.2
申请日：2022-12-01
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供一种F‑P传感器探头、绝对距离测量装置及方法，涉及非接触式绝对距离测量技术领域。该结构包括第一N+1芯多模光纤头(9)、光纤套筒(10)、成像镜组(11)和标准镜(12)，其中：沿F‑P传感器探头向样品(8)的方向，所述光纤套筒(10)内部依次固定有所述第一N+1芯多模光纤头(9)、成像镜组(11)和标准镜(12)；所述第一N+1芯多模光纤头(9)包括N根第一多模光纤(16)和1根第二多模光纤(17)，N≥2，所述N根第一多模光纤(16)围绕所述第二多模光纤(17)排布。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111383883B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201811610204.1
申请日：2018-12-27
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明属于干法刻蚀技术领域。本发明公开了一种超大面积扫描式反应离子刻蚀机和刻蚀方法。该超大面积扫描式反应离子刻蚀机包括：进样室、刻蚀反应室、过渡室、刻蚀离子产生室。本发明通过沿扫描方向移动样品架在进样室、刻蚀反应室、过渡室之间运动，对放置于样品架上的样品进行扫描刻蚀，可以实现大面积、均匀及高效的刻蚀。
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公开(公告)号：CN111383883A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811610204.1
申请日：2018-12-27
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明属于干法刻蚀技术领域。本发明公开了一种超大面积扫描式反应离子刻蚀机和刻蚀方法。该超大面积扫描式反应离子刻蚀机包括：进样室、刻蚀反应室、过渡室、刻蚀离子产生室。本发明通过沿扫描方向移动样品架在进样室、刻蚀反应室、过渡室之间运动，对放置于样品架上的样品进行扫描刻蚀，可以实现大面积、均匀及高效的刻蚀。
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公开(公告)号：CN107817653A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201711316114.7
申请日：2017-12-12
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种基于柔性材料的超分辨光刻装置，包括光源系统、掩模吸附板、掩模、柔性基片、承片台、密封球耳、弹性薄膜、弹性薄膜压板、升降台、精密气压控制系统。光源系统位于掩模的上方，掩模吸附板上开有环形槽，通过抽取真空，掩模吸附在掩模吸附板上，柔性基片位于掩模下方，柔性基片置于承片台表面，承片台表面开有环形气槽，柔性基片被真空吸附在承片台上，密封球耳安装在承片台上，承片台开有台阶孔，弹性薄膜通过弹性薄膜压板固定在台阶孔内，弹性薄膜与承片台形成密闭空间，台阶孔侧壁开有气孔与精密气压控制系统相连，承片台下表面与升降台相连，可以调节基片与掩模之间距离。解决了基片与掩模之间憋气问题对超分辨光刻的影响。
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公开(公告)号：CN106547173A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201611122015.0
申请日：2016-12-08
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/7085
Abstract: 本发明是一种基于啁啾光栅间隙检测与控制的超分辨光刻装置，属于超分辨光刻装置的改进和创新技术领域。该装置的特点在于包括超精密环控系统、主动隔振平台、支撑框架、光源、间隙检测系统、对准模块、光刻镜头模块、承片台模块和控制系统。该装置通过啁啾光栅衍射成像技术，实现了纳米量级的在线间隙检测和控制；实现了间隙曝光，有效的保护了超分辨光刻器件；通过激光干涉仪、精密位移台、纳米位移台、对准模块和间隙检测模块进行反馈控制，实现了超精密套刻对准和步进光刻功能。
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公开(公告)号：CN106338795A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610935653.8
申请日：2016-10-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G02B6/122
CPC classification number: G02B6/1226
Abstract: 本发明提供了一种Bessel纳米聚焦器件，该器件从下到上沿光波入射方向依次为：透明基底，激发层，金属/介质多层膜层。本发明利用双曲色散超材料的SP超衍射传输特性，调节空间频谱分布，耦合出高频、窄带、圆对称分布的SP波，并通过所述SP波干涉在多层膜最外层形成焦斑大小为深亚波长尺寸以及长焦深的Bessel焦距焦斑。本发明在光学直写光刻、光存储、光镊等技术及生物医学显微成像领域具有极大的应用潜力。
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