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公开(公告)号：CN106098503A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610564355.2
申请日：2016-07-18
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01J1/304 , H01J9/025 , H01J19/24 , H01J35/065 , H01J2201/30461 , H01J2209/0223 , H01J2235/062
Abstract: 该发明属于石墨烯带状电子注场发射冷阴极及其生产方法。冷阴极包括基片及其上的金属膜电极，各石墨烯场发射体及设于其间及顶层的绝缘介质加强层；生产方法为：基片的处理、石墨烯薄膜的制备、金属膜电极的设置、石墨烯的转移、单层及多层石墨烯带状电子注场发射冷阴极的制作。该发明设置金属膜电极、采用石墨烯作冷阴极的发射体，发射端通过切割而成，在外加电场下会产生极强的尖端效应，既有利于提高发射电流、又可有效地降低场发射阴极的工作电压；因而具有可有效降低带状电子注冷阴极的开启场和阈值场，发射电流大、功率高，电子注发射稳定性好、体积小，以及生产工艺简单、生产效率高并可确保器件性能的一致性，易于工业化生产等特点。
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公开(公告)号：CN106057606A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610566819.3
申请日：2016-07-15
Applicant: 宁波工程学院
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01J9/025 , H01J2209/0223
Abstract: 本发明涉及一种应用于场发射材料中的纳米线材料，尤其涉及B掺杂SiC纳米线在场发射阴极材料中的应用，属于纳米材料技术领域。所述的B掺杂SiC纳米线为场发射阴极，所述场发射阴极与场发射阳极之间在施加电压时形成有发射电场，所述场发射阴极在真空条件下的在发射电流密度为10μA/cm2时的开启场强为0.6‑1.05V/μA。本发明B掺杂SiC纳米线场发射阴极材料加工方便，成本可控性好，性能稳定，具有很高的柔韧性；在不同弯曲次数后均具有较低的开启电场，且基本保持不变，均保持较高的电子发射稳定性；在不同弯曲状态下均具有较低的开启电场，且基本保持不变，均保持较高的电子发射稳定性；在不同温度下均具有较低的开启电场，均保持较高的电子发射稳定性。
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公开(公告)号：CN1694208A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510067473.4
申请日：2005-04-25
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J63/02 , H01J2201/30469 , H01J2209/0223
Abstract: 本发明提供了一种碳纳米管发射器以及利用该碳纳米管发射器制造碳纳米管场致发射装置的方法。将粉末碳纳米管吸附到第一基板上。将金属淀积在碳纳米管上。将所得结构压合到阴极的表面。将第一基板从第二基板隔开，以拉紧碳纳米管，使得碳纳米管垂直于第一基板。
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公开(公告)号：CN1222975C
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN00801304.7
申请日：2000-01-19
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J9/027 , H01J2209/0223
Abstract: 在使用电子发射元件特别是表面传导型电子发射元件的图像形成装置(电子束装置)的制造工艺中，其上形成布线和元件电极的电子源衬底上的布线与面板的电极相对，在布线与电极之间施加规定电压，从而预先产生放电现象，于是可消除突起等。以这种方式，当对电子源进行电场施加工艺时，就可消除在驱动以图像形成装置为代表的电子束装置中会引起电子源中放电现象的如突起之类的因素，从而实现即使长时间进行图像显示，其显示特性也优良且没有像素缺陷的图像形成装置。
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公开(公告)号：CN109314026A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780034257.0
申请日：2017-06-20
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： W·G·舒尔茨 , G·德尔加多 , F·希尔 , E·加西亚(贝里奥斯) , R·加西亚
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J1/34 , H01J9/025 , H01J19/24 , H01J19/82 , H01J2201/30411 , H01J2201/30449 , H01J2201/30492 , H01J2209/0223
Abstract: 本发明涉及一种发射器，其含有金属硼化物材料，所述发射器具有拥有1μm或更小的半径的至少部分圆形尖端。可施加电场到所述发射器，且从所述发射器产生电子束。为形成所述发射器，从单晶棒移除材料以形成含有金属硼化物材料的发射器，其具有拥有1μm或更小的半径的圆形尖端。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106098502A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610538536.8
申请日：2016-07-08
Applicant: 西北大学
CPC classification number: H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2209/0223
Abstract: 本发明涉及一种以钛酸钡为主相的场致发射阴极及其制备方法，制备过程先后采用了溶胶‑凝胶法和水热法。具体包括：采用以乙酸钡和钛酸丁酯为主要原料的溶胶‑凝胶法在硅片上制备钛酸钡籽晶，然后以TiO2为Ti源和Ba(OH)2·8H2O为Ba源，通过水热法制备以钛酸钡为主相的一维纳米结构，采用NaOH调节水热体系pH值，控制原料比例为Ba:Ti＝1.2:1，并保证水热体系pH值大于12，水热温度为150～180℃，水热时间8～12h，经过洗涤、干燥后获得以钛酸钡为主相的一维纳米结构场发射阴极。本发明工艺易控，获得的场发射阴极场发射电压低，发射电流大，在场发射冷阴极方面体现出较高的实用价值。
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公开(公告)号：CN1808683A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510108934.8
申请日：2005-09-23
Applicant: FEI公司 , 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： N·德荣格 , E·P·A·M·巴克斯 , L·F·菲纳 , A·M·卡沃萨
CPC classification number: H01J37/073 , H01J2209/0223 , H01J2237/06341 , H01J2237/262 , H01J2237/28 , H01J2237/3175
Abstract: 本发明提供适于用在带电粒子设备中的电子源，在该电子源中，可从受到电势、热激励和光子激励中的至少一个的电极提取电子束，由此至少部分电极包括量化为分立能级的传导带的半导体材料。这种电子源具有相对低的能量扩展度，通常比冷场致发射枪(CFEG)的能量扩展度小得多。所述半导体材料可例如包括半导体毫微线。用于这种毫微线的适当半导体材料的实例包括InAs和GaInAs。
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公开(公告)号：CN105869968A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610386943.1
申请日：2016-06-03
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01J1/304 , H01J9/02 , H01J2201/304 , H01J2209/0223
Abstract: 本发明涉及一种全溶液法制备场致发射电子源器件，采用全溶液法制备场致发射电子源的阴极基板与阳极基板，并将所述阳极基板和所述阴极基板对准封接，形成场致发射电子源器件。阴极基板包括衬底基片、设置于衬底基片上的阴极电极阵列以及设置于阴极电极上的电子发射层；阳极基板包括透明导电基片、设置于透明基片上的图形化障壁层、设置于相邻障壁层内的荧光粉层和设置于透明导电基片四周的封框体，且相邻图形化障壁层的中心与所述阴极电极中心一一对应。本发明提供一种全溶液法制备场致发射电子源器件，不仅能实现大面积、柔性化、透明化和低成本，还能避免制备过程中杂质引入导致发射不稳定问题，可实现大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN105428185A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510977756.6
申请日：2015-12-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y40/00 , H01J2209/0223
Abstract: 本发明公开了一种准集成栅控碳纳米管/纳米线场发射阴极的制作方法。该阴极包括阴极基底、场发射体、绝缘体和栅极，制作方法包括：以光刻刻蚀或激光打孔加工栅极，将栅极和阴极基底通过绝缘体隔离、并封装一体，而后在阴极基底上沉积缓冲层和催化剂，以栅极为光刻掩膜，通过曝光，显影，去除未曝光处光刻胶、缓冲层及催化剂层，通过直流等离子体，在催化剂上制作碳纳米管/纳米线发射体，得到准集成栅控碳纳米管/纳米线场发射阴极。该制作方法省略了常规非集成式栅控阴极复杂的对准工艺，可得到更好的对准效果。相对于全集成栅控阴极，又避免了发射蒸散物沿绝缘隔离体“爬壁”导致的阴极失效，具有很好的综合性能。
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公开(公告)号：CN101125944A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200710129277.4
申请日：2007-04-26
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 金柱英
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J31/127 , H01J63/02 , H01J2201/30469 , H01J2209/0223
Abstract: 本发明涉及一种用于形成电子发射源的组合物，所述组合物包含碳基材料、载体以及包含下式(1)单元的聚合物：其中A1为单键，或为取代或未取代的C1－C20亚烷基；Z1和Z2各自独立为氢、取代或未取代的C1－C20烷基、取代或未取代的C1－C20烷氧基、羧基、－NR1R2基团、苯乙烯基树脂的一部分或线形酚醛树脂的一部分，R1和R2各自独立为氢、取代或未取代的C1－C20烷基或取代或未取代的C6－C30芳基。所述组合物具有改善的印刷适性、光敏性、显影性能和粘附性并可形成具有精细图案的电子发射源。本发明还涉及由所述组合物形成的电子发射源和包括所述电子发射源的电子发射装置。
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