公开(公告)号：CN104704601B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201280076337.X

申请日：2012-10-12

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 市村崇 ,  新田久雄 ,  薗部信之 ,  赵福来 ,  村越久弥

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/16 ,  H01J1/30 ,  H01J37/06

CPC classification number: H01J37/065 ,  C25F3/26 ,  H01J1/16 ,  H01J1/3044 ,  H01J9/025 ,  H01J9/042 ,  H01J37/06 ,  H01J37/073 ,  H01J37/285 ,  H01J2237/063 ,  H01J2237/06316 ,  H01J2237/06341

Abstract: 在以往的基片加工方法中，无法指定前端形状的尺寸来进行制作，无法得到具有所期望的任意径的基片。此外，基片中可能附着杂质。利用基片前端直径与正在加工基片前端时的施加电压或所围住的时间的相互关系，控制得到所期望前端直径的施加电压，来加工基片。由此，能够在钨单晶细丝尖锐化后的前端直径为0.1μm以上2.0μm以下的范围，制造具有所期望的任意径的基片。

公开(公告)号：CN101681751B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200880017294.1

申请日：2008-05-28

Applicant: 电子线技术院株式会社

Inventor： 金浩燮

IPC: H01J1/30

CPC classification number: H01J37/073 ,  H01J1/14 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/26

Abstract: 本发明涉及在包括电子发射源和透镜的电子柱结构中使用附着有一个或多个碳纳米管(CNT)的电子发射源的电子柱。更具体地，本发明涉及容易地对准碳纳米管(CNT)针尖的方法以及能够使用该方法的电子柱。

公开(公告)号：CN101375363A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200780003705.7

申请日：2007-06-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 山本喜之 ,  植田晓彦 ,  西林良树 ,  今井贵浩

IPC: H01J1/304 ,  H01J37/073 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/073 ,  H01J37/3174 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/26

Abstract: 本发明的目的在于提供高亮度、低能量分散且长寿命的电子发射阴极，提供采用金刚石制造的电子发射阴极。因此，本发明的目的在于提供可充分稳定地把持的，且前端尖锐化了的，提高了电场强度的金刚石电子发射阴极。本发明所涉及的金刚石电子发射阴极(110)至少分为3个区域，即在柱状前端以电子发射为目的的前端区域(203)、在长度方向以在对面上把持为目的的后端区域(201)、经过细径加工的中间区域(202)，后端区域的断面积是0.1mm2以上，前端区域的前端经过尖锐化加工，经过细径加工的中间区域的断面积最大为0.1mm2以下。

公开(公告)号：CN107636792A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201680029882.1

申请日：2016-01-06

Applicant: 韩国标准科学研究院

Inventor： 赵福来 ,  朴寅用

IPC: H01J37/26 ,  H01J37/06

CPC classification number: H01J37/065 ,  H01J37/06 ,  H01J37/26 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/06341

Abstract: 本发明涉及一种易于位置调节的电子枪及包括其的电子显微镜，电子枪改善了真空结构，以便在电子枪的灯丝块(filament block)或电子尖端的中心轴与阳极及聚焦透镜的中心轴机械地错位时，即使不具备用于保持真空的波纹管，也能够使得电子枪的灯丝块或电子尖端移动，为了使得电子束的中心轴与阳极板或二次阳极对齐，阳极板与维纳尔圆柱电极相面对，二次阳极与场发射电子源及一次阳极并排配置，即使不设置包围并密封电子束产生部的波纹管，也能够移动双重O环密封部或磁性流体密封部上的上面平板，从而不仅电子束排列容易，而且结构简化、组装以及分解容易，使用能够再次使用的橡胶O环，并且与不锈钢相比，在保持超高真空方面上没有差别，将相对磁导率值大的软钢用作腔室，从而即使不设置高导磁合金或坡莫合金等包围电子束产生部的追加的构成，也能够防止杂散磁场流入，从而不仅制造容易，而且因没有采用复杂的构成而具有经济性。

公开(公告)号：CN103198990B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310005725.5

申请日：2013-01-08

Applicant: FEI ,  公司

Inventor： L.W.斯万森 ,  G.A.施温德 ,  S.克罗格 ,  刘坤

IPC: H01J9/44

CPC classification number: H01J37/00 ,  G01T1/29 ,  H01J37/02 ,  H01J37/073 ,  H01J2237/06316 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/065

Abstract: 本发明涉及来自场发射源的发射参数的确定。通过电流如何随引出电压而变的测量可以确定发射体的状态。由在不同条件下发射的带电粒子的一系列相对简单的测量结果来确定场形因数β函数。然后可以使用该场形因数来确定发射的导出特性，在现有技术中是难以在不将源从聚焦镜筒移除并将其安装在专用设备中的情况下确定它们的。该关系式是由源配置确定的且已经发现其独立于发射体形状，并且因此可以随着发射体形状随时间推移而变来确定发射特性，而不必确定发射体形状且不必重新定义场形因数与所述一系列相对简单测量结果之间的关系式以及场形因数与其他发射参数之间的关系。

公开(公告)号：CN104094373A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201380008021.1

申请日：2013-02-15

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 大南祐介 ,  大岛卓 ,  伊藤博之 ,  佐藤贡 ,  伊东祐博

IPC: H01J37/18 ,  H01J37/16

CPC classification number: H01J37/28 ,  H01J37/09 ,  H01J37/16 ,  H01J37/18 ,  H01J2237/0451 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/10 ,  H01J2237/1405 ,  H01J2237/164 ,  H01J2237/2608 ,  H01J2237/2801

Abstract: 本发明提供能简单地装拆隔膜(101)且能将试样(6)配置于真空下和高压下的带电粒子线装置(111)。该带电粒子线装置(111)具有：对带电粒子源(110)和电子光学系统(1、2、7)进行保持的镜筒(3)；与镜筒(3)连结的第一框体(4)；向第一框体(4)的内侧凹陷的第二框体(100)；将镜筒(3)内的空间和第一框体(4)内的空间隔离且供带电粒子线透过的第一隔膜(10)；将第二框体(100)的凹部(100a)内的空间和第二框体(100)的凹部(100a)外的空间隔离且供带电粒子线透过的第二隔膜(101)；与收纳带电粒子源(110)的第三框体(22)连结的管(23)，第一隔膜(10)安装于管(23)，管(23)和第三框体(22)能沿光轴(30)的方向相对于镜筒(3)装拆。由第一框体(4)和第二框体(100)包围的空间(105)被减压，对配置于凹部(100a)中的试样(6)照射带电粒子线。

公开(公告)号：CN101042977B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200610060018.6

申请日：2006-03-22

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏洋 ,  刘亮 ,  魏巍 ,  姜开利 ,  范守善

IPC: H01J37/06 ,  H01J1/30 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J37/073 ,  H01J37/26 ,  H01J2201/30411 ,  H01J2201/30434 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/28

Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管场发射电子源，其包括：一导电基体、一碳纳米管和一导电金属层，该导电基体具有一锥形顶部，该碳纳米管一端通过范德华力附着于导电基体顶部的表面，另一端沿该导电基体顶部向外延伸，该导电金属层形成于该碳纳米管表面与该导电基体顶部表面。本发明还涉及上述碳纳米管场发射电子源的制造方法。

公开(公告)号：CN101375363B

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200780003705.7

申请日：2007-06-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 山本喜之 ,  植田晓彦 ,  西林良树 ,  今井贵浩

IPC: H01J1/304 ,  H01J37/073 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/073 ,  H01J37/3174 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/26

Abstract: 本发明的目的在于提供高亮度、低能量分散且长寿命的电子发射阴极，提供采用金刚石制造的电子发射阴极。因此，本发明的目的在于提供可充分稳定地把持的，且前端尖锐化了的，提高了电场强度的金刚石电子发射阴极。本发明所涉及的金刚石电子发射阴极(110)至少分为3个区域，即在柱状前端以电子发射为目的的前端区域(203)、在长度方向以在对面上把持为目的的后端区域(201)、经过细径加工的中间区域(202)，后端区域的断面积是0.1mm2以上，前端区域的前端经过尖锐化加工，经过细径加工的中间区域的断面积最大为0.1mm2以下。

公开(公告)号：CN101042977A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200610060018.6

申请日：2006-03-22

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏洋 ,  刘亮 ,  魏巍 ,  姜开利 ,  范守善

IPC: H01J37/06 ,  H01J1/30 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J37/073 ,  H01J37/26 ,  H01J2201/30411 ,  H01J2201/30434 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/28

Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管场发射电子源，其包括：一导电基体、一碳纳米管和一导电金属层，该导电基体具有一顶部，该碳纳米管一端与该导电基体顶部电性连接，另一端沿该导电基体顶部向外延伸，该导电金属层形成于该碳纳米管表面与该导电基体顶部表面。本发明还涉及上述碳纳米管场发射电子源的制造方法。

公开(公告)号：CN102789947B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201110137263.3

申请日：2011-05-16

Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所

Inventor： 刘华荣 ,  陈娉

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/06 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J37/04 ,  B82Y40/00 ,  H01J9/02 ,  H01J9/025 ,  H01J27/26 ,  H01J37/073 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/0807 ,  H01J2237/2623 ,  H01L21/31116

Abstract: 本发明提供了一种用于制造粒子源的方法，包括：将金属丝置于真空环境中并通入活性气体，并对金属丝的温度进行调节，并对金属丝施加正高压V，使得在金属丝头部侧面产生刻蚀带，在该刻蚀带内发生场致刻蚀；场致刻蚀使得金属丝头部顶端处表面电场增强，直到大于金属丝材料的场致蒸发电场，使得此处的金属原子被蒸发出去；在场致刻蚀触发了场致蒸发之后，场致刻蚀和场致蒸发这两种机制相互调节直到金属丝头部形状变成了由底座和底座上的针尖组成，其中场致刻蚀发生在侧面，形成了底座，而场致蒸发发生在顶端，形成了针尖；以及当获得具有预定形状的金属丝头部时，停止场致刻蚀和场致蒸发。