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公开(公告)号：CN105900208B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201480068636.8
申请日：2014-12-19
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/0213 , H01J2237/0268 , H01J2237/082 , H01J2237/31705
Abstract: 一种针对离子注入系统的离子源室(120)包括：外壳，至少部分地界定离子化区域，高能电子会从阴极(124)移动穿过所述离子化区域，以对注入所述外壳内部的气体分子进行离子化；衬垫区段(133、135、137、139)，限定所述外壳内部的一个或更多个内壁，其中每个衬垫区段包括面向内部表面，所述面向内部表面在所述离子注入系统的操作期间暴露于所述离子化区域；阴极屏蔽(153)，布置在所述阴极周围；排斥极(180)，与所述阴极相分离；板(128)，包括用于从离子源室释放离子的源孔(126)；其中，所述排斥极、所述衬垫区段、所述阴极屏蔽、所述板或在限定源孔的板中的插入件中的至少一个包括碳化硅，其中，碳化硅具有超额碳的非化学计量烧结材料。
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公开(公告)号：CN101971286A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980102279.1
申请日：2009-01-16
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/16 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/0268 , H01J2237/31705
Abstract: 本设备包括配置于真空室的界面的衬层。一构件位于真空式内以定义该界面。该衬层配置成用以保护工件免受污染，或是用以避免因原子或离子植入界面所引起的界面产生气泡。在一些实施例中，衬层可由真空室中的界面丢弃以及移除并以新的衬层取代。在一些实施例中，此衬层可为具有粗糙面的聚合物，以碳为基质或是由纳米管构成。
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公开(公告)号：CN105742211B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201510993622.3
申请日：2015-12-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67069 , C23C16/4404 , C23C16/4409 , C23C16/4412 , C23C16/45587 , H01J37/32449 , H01J2237/0268 , H01J2237/16 , H01L21/67017 , H01L21/6719
Abstract: 本发明提供一种用于在处理容器内独立且面内均匀地对多个基板进行处理的基板处理装置。晶圆处理装置包括：处理容器，其用于气密地容纳晶圆；载置台，其设有多个，该载置台用于在处理容器内载置晶圆；处理气体供给部，其用于自载置台的上方朝向晶圆供给处理气体；排气机构，其用于对处理容器内进行排气；分隔壁，其配置在处理容器内，该分隔壁以与各载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围载置台；以及内壁，其为圆筒形状，该内壁配置在处理容器的底面且以与载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围该载置台，在内壁上形成有狭缝，经由狭缝进行处理空间内的处理气体的排气。在内壁上设有使处理空间内的处理气体以不直接流入狭缝的方式迂回的分隔板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101730921A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200880017948.0
申请日：2008-05-27
Applicant: 应用材料股份有限公司
CPC classification number: H01J37/32724 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32477 , H01J37/32871 , H01J2237/0213 , H01J2237/0268 , H01J2237/2001 , H01J2237/335 , H01L21/67069 , H01L21/67103 , H01L21/67207 , Y10T29/49826
Abstract: 一种基板清洁腔室包含多种部件，例如，一消耗性陶瓷衬垫、基板加热底座、以及工艺套组。该消耗性陶瓷衬垫是经提供以连接一远程气体激发器的出气道至一基板清洁腔室的进气道。该基板加热底座包含一环状板，该环状板具有一基板承接表面，且该基板承接表面具有设置在一凹槽数组内的数个陶瓷球。一工艺套组包含一顶板、顶部衬垫、配气板、底部衬垫、集中环。
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公开(公告)号：CN108878324A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810678335.7
申请日：2015-12-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , C23C16/44 , C23C16/455 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/67069 , C23C16/4404 , C23C16/4409 , C23C16/4412 , C23C16/45587 , H01J37/32449 , H01J2237/0268 , H01J2237/16 , H01L21/67017 , H01L21/6719
Abstract: 本发明提供一种用于在处理容器内独立且面内均匀地对多个基板进行处理的基板处理装置。晶圆处理装置包括：处理容器，其用于气密地容纳晶圆；载置台，其设有多个，该载置台用于在处理容器内载置晶圆；处理气体供给部，其用于自载置台的上方朝向晶圆供给处理气体；排气机构，其用于对处理容器内进行排气；分隔壁，其配置在处理容器内，该分隔壁以与各载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围载置台；以及内壁，其为圆筒形状，该内壁配置在处理容器的底面且以与载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围该载置台，在内壁上形成有狭缝，经由狭缝进行处理空间内的处理气体的排气。在内壁上设有使处理空间内的处理气体以不直接流入狭缝的方式迂回的分隔板。
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公开(公告)号：CN105900208A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201480068636.8
申请日：2014-12-19
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/0213 , H01J2237/0268 , H01J2237/082 , H01J2237/31705
Abstract: 一种针对离子注入系统的离子源室(120)包括：外壳，至少部分地界定离子化区域，高能电子会从阴极(124)移动穿过所述离子化区域，以对注入所述外壳内部的气体分子进行离子化；衬垫区段(133、135、137、139)，限定所述外壳内部的一个或更多个内壁，其中每个衬垫区段包括面向内部表面，所述面向内部表面在所述离子注入系统的操作期间暴露于所述离子化区域；阴极屏蔽(153)，布置在所述阴极周围；排斥极(180)，与所述阴极相分离；板(128)，包括用于从离子源室释放离子的源孔(126)；其中，所述排斥极、所述衬垫区段、所述阴极屏蔽、所述板或在限定源孔的板中的插入件中的至少一个包括碳化硅，其中，碳化硅具有超额碳的非化学计量烧结材料。
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公开(公告)号：CN105742211A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510993622.3
申请日：2015-12-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67069 , C23C16/4404 , C23C16/4409 , C23C16/4412 , C23C16/45587 , H01J37/32449 , H01J2237/0268 , H01J2237/16 , H01L21/67017 , H01L21/6719
Abstract: 本发明提供一种用于在处理容器内独立且面内均匀地对多个基板进行处理的基板处理装置。晶圆处理装置包括：处理容器，其用于气密地容纳晶圆；载置台，其设有多个，该载置台用于在处理容器内载置晶圆；处理气体供给部，其用于自载置台的上方朝向晶圆供给处理气体；排气机构，其用于对处理容器内进行排气；分隔壁，其配置在处理容器内，该分隔壁以与各载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围载置台；以及内壁，其为圆筒形状，该内壁配置在处理容器的底面且以与载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围该载置台，在内壁上形成有狭缝，经由狭缝进行处理空间内的处理气体的排气。在内壁上设有使处理空间内的处理气体以不直接流入狭缝的方式迂回的分隔板。
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公开(公告)号：CN101730921B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200880017948.0
申请日：2008-05-27
Applicant: 应用材料股份有限公司
CPC classification number: H01J37/32724 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32477 , H01J37/32871 , H01J2237/0213 , H01J2237/0268 , H01J2237/2001 , H01J2237/335 , H01L21/67069 , H01L21/67103 , H01L21/67207 , Y10T29/49826
Abstract: 一种基板清洁腔室包含多种部件，例如，一消耗性陶瓷衬垫、基板加热底座、以及工艺套组。该消耗性陶瓷衬垫是经提供以连接一远程气体激发器的出气道至一基板清洁腔室的进气道。该基板加热底座包含一环状板，该环状板具有一基板承接表面，且该基板承接表面具有设置在一凹槽阵列内的数个陶瓷球。一工艺套组包含一顶板、顶部衬垫、配气板、底部衬垫、和集中环。
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