公开(公告)号：CN104685604A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201380041167.6

申请日：2013-10-02

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 威廉·李 ,  威廉·雷诺兹 ,  斯坦利·斯通

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/20 ,  H01J37/18 ,  H01L21/67 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01J37/18 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2002 ,  H01J2237/2007 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/204 ,  H01J2237/31705 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67766

Abstract: 本发明涉及一种离子注入系统，该系统向置于冷却夹盘上的处理腔室的真空环境中的工件提供离子。处理腔室内的预冷站具有配置成将工件冷却至第一温度的冷却的工件支撑件，处理腔室内的后热站具有配置成将工件加热至第二温度的加热的工件支撑件。第一温度低于处理温度，第二温度高于外部温度。工件传送臂进一步配置成在夹盘、装载锁定腔室、预冷站及后热站中的两个或两个以上构件之间同时传送两个或两个以上工件。

公开(公告)号：CN102203914B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN200980143988.4

申请日：2009-11-12

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 维克多·M·本夫尼斯特 ,  詹姆士·S·贝福 ,  法兰克·辛克莱 ,  约瑟·C·欧尔森

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/05 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J49/30 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/055 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/31705

Abstract: 一种带状离子束质量分析器，具有第一螺线管线圈、第二螺线管线圈以及钢质磁轭配置。每个螺线管线圈具有大致的“轨道”组态，界定了一个可供带状离子束从中穿行的空间。这两个螺线管线圈沿着带状离子束的穿行方向而分开。每个螺线管线圈产生均匀的磁场，供较宽的带状离子束进行质量解析，以产生想要的离子图像，其中离子是由离子源产生的。

公开(公告)号：CN102473575A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080031271.3

申请日：2010-07-15

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 奈尔·卡尔文

IPC: H01J37/09 ,  H01J37/317 ,  H01J3/40 ,  H01J37/02

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J3/40 ,  H01J37/026 ,  H01J37/09 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/31705

Abstract: 提供一种用于在离子植入系统中减少粒子污染的设备。该设备包括外壳(250)，该外壳具有入口(260)、出口(262)和至少一个进气口叶片侧(264)，所述至少一个进气口叶片侧具有在其内限定的多个进气口叶片(266)。离子植入系统的射束线(P)通过该入口和出口，其中所述至少一个进气口叶片侧的多个进气口叶片被配置成机械地过滤沿射束线行进的离子束的边缘。该外壳可具有两个进气口叶片侧(254A，B)和一个进气口叶片顶部(278)，其中当垂直于该射束线测量时，该外壳的入口和出口的各自的宽度大致由两个进气口叶片侧相对于彼此的位置限定。所述进气口叶片侧的一个或多个可调整地安装，其中该外壳的入口和出口中的一个或多个的宽度可控制。

公开(公告)号：CN101504906B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200810167498.5

申请日：2008-10-10

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 杰弗里·赖丁 ,  格雷戈里·罗伯特·奥尔科特 ,  李·斯普拉根 ,  罗伯特·米切尔 ,  马丁·希尔金 ,  马修·卡斯尔 ,  马文·法利

IPC: H01J37/02 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/16 ,  H01J37/026 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/31705

Abstract: 本发明提供一种离子束导管。还提供具有这种离子束导管的离子注入器。该导管在该注入器中位于与待注入晶片相邻的位置，以在注入期间限制用于晶片中和的带电粒子，该导管包括一个或多个壁，所述一个或多个壁限定了穿过该导管以允许离子束通过的中心钻孔，其中所述一个或多个壁被构成为使得该中心钻孔逐渐变细。有利地，由于导管具有向外逐渐变细的中心钻孔，由此缓解了当离子束通过导管时射束撞击的问题。

公开(公告)号：CN101120427B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680004939.9

申请日：2006-02-16

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 安东尼·雷诺 ,  艾立克·赫尔曼森 ,  约瑟·C·欧尔森 ,  葛登·恩吉尔

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/244

CPC classification number: H01J37/244 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/24405 ,  H01J2237/31703 ,  H01J2237/31705

Abstract: 本发明提供一种静电抑制型的法拉第筒与能量污染监测器的混合装置及使用所述装置的相关方法。本发明的装置可选择性地测量离子束的两种特性，例如测量减速离子束的电流及能量污染程度。根据本发明一方面，本发明提供的离子束测量装置包括：用来接收离子束的光圈；配置在光圈旁的负偏压电极；配置在负电压电极旁的正偏压电极；配置在正偏压电极旁的选择偏压电极；以及收集器。其中，选择偏压电极可选择性地选定为负偏压或正偏压。

公开(公告)号：CN101523546A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780037763.1

申请日：2007-10-10

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： W·戴维斯·李 ,  奈尔·卡尔文

IPC: H01J37/244 ,  H01J37/317 ,  G01T1/29

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/244 ,  H01J2237/24405 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/24535 ,  H01J2237/31703 ,  H01J2237/31705

Abstract: 与处理工具一起使用的法拉第杯结构(110)。所述杯结构具有被耦合至电路的导电冲击板，用于监视撞击所述冲击板(120)的离子，以获得所述离子束电流的指示。遮罩(122)放置在所述导电冲击板前面，用于把离子束横截面分割成区域或部分。所述遮罩包括延伸至所述冲击板的壁，用于阻止到达所述传感器的离子和从所述传感器移除的颗粒进入到所述处理工具的被抽空的区域中。

公开(公告)号：CN101504906A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200810167498.5

申请日：2008-10-10

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 杰弗里·赖丁 ,  格雷戈里·罗伯特·奥尔科特 ,  李·斯普拉根 ,  罗伯特·米切尔 ,  马丁·希尔金 ,  马修·卡斯尔 ,  马文·法利

IPC: H01J37/02 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/16 ,  H01J37/026 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/31705

Abstract: 本发明提供一种离子束导管。还提供具有这种离子束导管的离子注入器。该导管在该注入器中位于与待注入晶片相邻的位置，以在注入期间限制用于晶片中和的带电粒子，该导管包括一个或多个壁，所述一个或多个壁限定了穿过该导管以允许离子束通过的中心钻孔，其中所述一个或多个壁被构成为使得该中心钻孔逐渐变细。有利地，由于导管具有向外逐渐变细的中心钻孔，由此缓解了当离子束通过导管时射束撞击的问题。

公开(公告)号：CN101369509A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810002722.5

申请日：2008-01-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 埃里克·科拉尔特 ,  迈克尔·约翰·金

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/08 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/028 ,  H01J2237/31705

Abstract: 本发明涉及具有紧邻穿过离子注入器的离子束的路径的表面的部件。上述表面易于发生沉积，并且本发明解决与沉积材料的剥离相关的问题。本发明提供一种离子注入器部件，其具有至少部分地限定穿过所述离子注入器的离子束路径的表面，其中，所述表面的至少一部分被粗糙化。所述表面的所述部分被粗糙化以提供表面特征，所述表面特征至少部分由所述表面的相邻部分的取向的急剧变化而限定。

公开(公告)号：CN101305443A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200680041821.3

申请日：2006-11-10

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： P·林 ,  M·格拉夫

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J2237/028 ,  H01J2237/31705

Abstract: 一种离子植入器(110)，包含：离子源(112)，用以产生沿射束路径运动的离子束；以及真空室或植入室(130)，例如硅晶片这样的工件被放置在所述真空室或植入室内与所述离子束相交，通过离子束对工件的表面进行离子植入。衬垫具有内向表面，其限定抽空的内部区域的至少一部分，并且包含横越所述衬垫的表面而隔开的沟槽，从而在离子植入器的操作过程中捕获在所述内部区域里产生的污染物。

公开(公告)号：CN101140847A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200710136246.1

申请日：2007-07-12

Applicant: 应用材料有限公司

Inventor： R·D·戈德堡

IPC: H01J37/02 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/026 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/0475 ,  H01J2237/18 ,  H01J2237/31705

Abstract: 本发明涉及一种用于离子注入机中的离子束，其位于注入机中与半导体晶片相邻近的位置。这种导管用来约束在注入过程中晶片中和所使用的带电粒子。根据本发明，一种导管包括一个轴，沿着所述轴接收离子束的开口端，与所述轴基本平行的导管壁，和穿过所述导管壁的至少一个开口，所述导管壁从所述导管内到外形成气体流通通道，所述通道具有与所述导管轴成锐角排列的长度，及横向于所述长度的最小尺寸，以便垂直于所述导管轴的通过通道的视线被充分阻挡。