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公开(公告)号：CN107768488A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710908411.4
申请日：2017-09-29
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0037
Abstract: 本发明公开了一种基于硅表面微结构的介质薄膜固态发光器件，包括自上到下依次分布的信号电极、ITO电极、绝缘介质层、硅衬底及背电极，其中，硅衬底的上表面设置有硅表面微结构，该放光器件的工作电压较低，并且导电路径数量多，导电路径的直径较大，器件的发光性能较好。
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公开(公告)号：CN107240595A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710660667.8
申请日：2017-08-04
Applicant: 南京大学
Inventor： 仝香
CPC classification number: H01L33/0037 , B82Y20/00 , H01L27/153 , H01L33/0041 , H01L33/0054 , H01L33/04
Abstract: 本发明提供了一种硅基光子材料器件制备方法，具体包括以下步骤：a)通过特殊方式加工制作出具有高密度和小尺寸的有序硅纳米晶粒；b)通过光刻工艺的方式对晶粒进行加工；c)采用UHV/CVD在硅衬底上生长Ge量子点；d)对加工过后的晶粒掺杂化学混合元素；e)利用步骤d)制备得到的晶粒形成光开关阵列构成光波导开关；f)化学研磨与物理成型；g)对加工出的硅基光子电路板进行晶粒探针测试。本发明的制备方法可获得热导性好、电学性能好的硅基光子材料器件，且制备方法简单、成本低廉、工艺可靠。
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公开(公告)号：CN105867018A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610184687.8
申请日：2016-03-28
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor： 樊勇
IPC: G02F1/13357 , H01L33/34 , H01L33/40
CPC classification number: H01L33/0054 , G02F1/133602 , G02F1/133603 , G02F1/133605 , G02F1/133621 , G02F2001/133612 , H01L27/15 , H01L29/1606 , H01L33/0037 , H01L33/0041 , H01L33/34 , H01L33/44 , G02F1/1336 , H01L33/40
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯显示装置、石墨烯发光元件及其制作方法。该制作方法包括：提供下基板，在下基板上形成间隔设置的多个金属栅极；形成覆盖下基板和金属栅极的第一绝缘保护层；在第一绝缘保护层上形成石墨烯发光层，其中，石墨烯发光层包括间隔设置的多个石墨烯发光块；在各石墨烯发光块上形成间隔设置的石墨烯源极和石墨烯漏极；形成覆盖第一绝缘保护层、石墨烯发光层、石墨烯源极和石墨烯漏极的第二绝缘保护层；在第二绝缘保护层上贴合上基板。通过上述方式，本发明石墨烯发光元件使用金属作为栅极、石墨烯作为源极和漏极、以及石墨烯作为发光层，从而实现了提高发光元件的发光效率的同时，降低了发光元件的功耗。
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公开(公告)号：CN105867018B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201610184687.8
申请日：2016-03-28
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor： 樊勇
IPC: G02F1/13357 , H01L33/34 , H01L33/40
CPC classification number: H01L33/0054 , G02F1/133602 , G02F1/133603 , G02F1/133605 , G02F1/133621 , G02F2001/133612 , H01L27/15 , H01L29/1606 , H01L33/0037 , H01L33/0041 , H01L33/34 , H01L33/44
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯显示装置、石墨烯发光元件及其制作方法。该制作方法包括：提供下基板，在下基板上形成间隔设置的多个金属栅极；形成覆盖下基板和金属栅极的第一绝缘保护层；在第一绝缘保护层上形成石墨烯发光层，其中，石墨烯发光层包括间隔设置的多个石墨烯发光块；在各石墨烯发光块上形成间隔设置的石墨烯源极和石墨烯漏极；形成覆盖第一绝缘保护层、石墨烯发光层、石墨烯源极和石墨烯漏极的第二绝缘保护层；在第二绝缘保护层上贴合上基板。通过上述方式，本发明石墨烯发光元件使用金属作为栅极、石墨烯作为源极和漏极、以及石墨烯作为发光层，从而实现了提高发光元件的发光效率的同时，降低了发光元件的功耗。
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公开(公告)号：CN104428910A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201380034591.8
申请日：2013-06-28
Applicant: 皇家飞利浦有限公司
CPC classification number: H01L33/145 , C09K11/643 , H01L33/0037 , H01L33/0087 , H01L33/0095 , H01L33/025 , H01L33/16 , H01L33/28 , H01L33/285 , H01L33/36 , H01L33/502 , H01L2933/0016 , H05B33/14
Abstract: 本发明提供一种包括作为有源层的基于氧化锌镁的层的发光半导体器件，其中基于氧化锌镁的层包括具有带有1-350ppm的Al的Zn1-xMgxO标称成分的铝掺杂氧化锌镁层，其中x在0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1310344C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN01810760.5
申请日：2001-06-07
Applicant: 萨里大学
CPC classification number: H01L33/34 , H01L33/0008 , H01L33/0037 , H01L33/025 , H01S5/2063
Abstract: 通过包括由P型层(11)和N型层(12)形成的结(10)的辐射发射光电半导体器件说明一种由晶体材料制造的电子或光电器件，其中所述晶体材料的带隙特性参数通过在所述晶体材料晶格结构中原子尺度上引入形变而局部改变，而且所述器件的电子和/或光电参数取决于所述带隙的改变，其中P型层(11)和N型层(12)都由间接带隙半导体材料形成。P型层(11)包含位错环阵列，位错环产生了应变场以空间限定并促进电荷载流子的辐射复合。
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公开(公告)号：CN108886073A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201680076089.7
申请日：2016-12-23
Applicant: 维耶尔公司
Inventor： 格拉姆雷扎·查济 , 埃桑诺拉·法蒂 , 侯赛因·扎马尼·西博尼
IPC: H01L33/20 , H01L21/8234 , H01L27/15
CPC classification number: H01L33/0037 , H01L27/153 , H01L33/62
Abstract: 竖直电流模式固态器件包括连接焊盘和侧壁，其中，侧壁包括金属‑绝缘体‑半导体(MIS)结构，其中，竖直器件的漏电流效应通过使MIS结构偏压经由侧壁来限制。
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公开(公告)号：CN104428910B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201380034591.8
申请日：2013-06-28
Applicant: 皇家飞利浦有限公司
CPC classification number: H01L33/145 , C09K11/643 , H01L33/0037 , H01L33/0087 , H01L33/0095 , H01L33/025 , H01L33/16 , H01L33/28 , H01L33/285 , H01L33/36 , H01L33/502 , H01L2933/0016 , H05B33/14
Abstract: 本发明提供一种包括作为有源层的基于氧化锌镁的层的发光半导体器件，其中基于氧化锌镁的层包括具有带有1‑350ppm的Al的Zn1‑xMgxO标称成分的铝掺杂氧化锌镁层，其中x在0
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公开(公告)号：CN105185884A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510320484.2
申请日：2015-06-11
Applicant: 上海电力学院
Inventor： 汤乃云
CPC classification number: H01L33/0037 , H01L33/0041 , H01L33/005 , H01L33/26
Abstract: 本发明涉及一种柔性二维材料发光器件，该发光器件从下到上依次包括柔性衬底层(1)、第一金属层、介质层(4)、二维半导体材料层(5)，以及设置在介质层(4)上并位于二维半导体材料层(5)两端的第二金属层。与现有技术相比，本发明具有便携性好、光电响应速度快、集成密度高、加工性能好、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN1433580A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN01810760.5
申请日：2001-06-07
Applicant: 萨里大学
CPC classification number: H01L33/34 , H01L33/0008 , H01L33/0037 , H01L33/025 , H01S5/2063
Abstract: 通过包括由P型层(11)和N型层(12)形成的结(10)的辐射发射光电半导体器件说明一种由晶体材料制造的电子或光电器件，其中所述晶体材料的带隙特性参数通过在所述晶体材料晶格结构中原子尺度上引入形变而局部改变，而且所述器件的电子和/或光电参数取决于所述带隙的改变，其中P型层(11)和N型层(12)都由间接带隙半导体材料形成。P型层(11)包含位错环阵列，位错环产生了应变场以空间限定并促进电荷载流子的辐射复合。
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