一种闪存纠错方法和装置

    公开(公告)号:CN106816179A

    公开(公告)日:2017-06-09

    申请号:CN201510852721.X

    申请日:2015-11-30

    Abstract: 本发明提供一种闪存纠错方法和装置,包括:确定采用第n+1读电压阈值读取闪存页得到的数据和采用第m读电压阈值读取闪存页得到的数据中的第一数据位,第一数据位为采用第n+1读电压阈值读取闪存页得到的数据中与采用第m读电压阈值读取闪存页得到的数据中相同数据位对应的数据不同的数据位,进而降低采用第n+1读电压阈值读取闪存页得到的数据中的第一数据位的可信度;根据调整后的第一数据位的可信度,对采用第n+1读电压阈值读取闪存页得到的数据进行纠错译码。其中,联合使用两次读取的同一闪存页得到的数据,降低数据位不同的数据对应的数据位的可信度,从而有效提高了纠错译码的成功率,使得SSD存储系统的性能大幅提升。

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