개선된 실링 구조를 갖는 플라즈마 반응기
    2.
    发明授权
    개선된 실링 구조를 갖는 플라즈마 반응기 有权
    等离子体反应器,密封结构改善

    公开(公告)号:KR101455159B1

    公开(公告)日:2014-10-27

    申请号:KR1020130039338

    申请日:2013-04-10

    Abstract: 반도체 공정 부산물을 플라즈마화된 라디칼로 처리하는 플라즈마 반응기로서, 상기 플라즈마 반응기(100)는, 원통형 바디부(110); 상기 원통형 바디부(110) 내측에 구비되며, 상기 원통형 바디부(110)보다 높은 길이를 갖는 원통형 유전체(120); 상기 원통형 유전체(120)의 외측면과 접촉하여 구비되며, 상기 원통형 바디부(110) 상부에 구비되는 오-링(130);상기 원통형 바디부(110) 및 상기 원통형 유전체(120)에 구비되어, 상기 원통형 유전체(120) 내부에서 발생하는 래디칼이 상기 원통형 유전체(120) 외부로 유출되는 것을 방지하는 캡부(140)를 포함하며, 여기에서 상기 오링(130)은 상기 원통형 유전체(120), 상기 원통형 바디부(110) 및 상기 캡부(140)에 의하여 형성되는 삼각형 공간 내에 안착되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기가 제공된다.

    반도체 공정 시스템용 가스 파우더처리 장치 및 방법
    3.
    发明公开
    반도체 공정 시스템용 가스 파우더처리 장치 및 방법 审中-实审
    用于半导体工艺系统处理气体粉末的装置和方法

    公开(公告)号:KR1020130090698A

    公开(公告)日:2013-08-14

    申请号:KR1020120012022

    申请日:2012-02-06

    Inventor: 김익년 김성락

    CPC classification number: H01L21/67098 H01L21/205 H01L21/67034

    Abstract: PURPOSE: An apparatus and method for processing gas powder for a semiconductor processing system are provided to increase the lifetime of a pump by including a processing chamber and a reaction chamber. CONSTITUTION: A processing chamber (100) receives a processing gas. A reaction chamber receives an exhaust gas. A pump (120) applies a vacuum to the processing chamber. A heating block raises the temperature of the reaction chamber. A cooling block collects powder. [Reference numerals] (AA) ALD exhaust gas

    Abstract translation: 目的:提供一种用于处理半导体处理系统的气体粉末的设备和方法,以通过包括处理室和反应室来增加泵的使用寿命。 构成:处理室(100)接收处理气体。 反应室接收废气。 泵(120)向处理室施加真空。 加热块提高了反应室的温度。 冷却块收集粉末。 (标号)(AA)ALD废气

    플라즈마 반응기 및 이를 이용한 가스스크러버
    4.
    发明公开
    플라즈마 반응기 및 이를 이용한 가스스크러버 有权
    等离子体反应器和使用该气体的气体

    公开(公告)号:KR1020130049481A

    公开(公告)日:2013-05-14

    申请号:KR1020110114531

    申请日:2011-11-04

    CPC classification number: B01J19/088 B01D53/32 B01D2259/818

    Abstract: PURPOSE: A plasma reactor and a gas scrubber using the same are provided to maintain bondage by weight without an adhesive member or a fastening member by inserting and coupling the discharge inner body with magnetic force generation unit. CONSTITUTION: A plasma reactor comprises a high-frequency oscillator (15); a waveguide module; a discharge outer body; cooling bodies (42) arranged inside the discharge outer body; and a discharge inner body (150). The waveguide module transmits the oscillated high frequency. The discharge outer body is perpendicularly arranged from the waveguide module and passes the high frequency transmitted along the waveguide module. The cooling bodies include slits in order for the high frequency transmitted from the waveguide module to be guided inside. The discharge inner body is arranged inside the cooling body and is inserted and coupled by weight and is combined with the discharge outer body. The outer periphery of the discharge inner body is formed in a conical shape in which the cross section becomes smaller as moving towards the lower side.

    Abstract translation: 目的:提供等离子体反应器和使用该等离子体反应器的气体洗涤器,通过将放电内体与磁力产生单元插入和联接来提供重量而不用粘合构件或紧固构件。 构成:等离子体反应器包括高频振荡器(15); 波导模块; 放电外体; 布置在排出外体内的冷却体(42) 和排出内体(150)。 波导模块传输振荡的高频。 放电外体从波导模块垂直布置,并通过沿波导模块传输的高频。 冷却体包括狭缝,以便从波导模块传输的高频被引导到内部。 排出内体布置在冷却体的内部,并通过重量插入和连接,并与排出外体结合。 排出内体的外周形成为朝向下侧移动时的截面变小的圆锥形状。

    플라즈마 반응기 및 이를 이용한 가스스크러버
    5.
    发明公开
    플라즈마 반응기 및 이를 이용한 가스스크러버 有权
    等离子体反应器和使用该气体的气体

    公开(公告)号:KR1020130048576A

    公开(公告)日:2013-05-10

    申请号:KR1020110113497

    申请日:2011-11-02

    Abstract: PURPOSE: A plasma reactor and a gas scrubber using the same are provided to prevent efficiency degradation due to high temperature heat of a magnetic force generation member. CONSTITUTION: A high frequency oscillator(15) oscillates high frequency wave. A waveguide module(20) transmits the high frequency wave oscillated in the high frequency oscillator. A discharge outer body(32) is perpendicularly arranged to the waveguide module and passes the high frequency wave transmitted along the waveguide module. A magnetic force generation unit(40) is arranged inside the discharge outer body, generates a magnetic force and is cooled by a coolant circulating in the outside. [Reference numerals] (12) Power supply unit

    Abstract translation: 目的:提供等离子体反应器和使用其的气体洗涤器,以防止由于磁力产生构件的高温热导致的效率降低。 构成:高频振荡器(15)振荡高频波。 波导模块(20)传输在高频振荡器中振荡的高频波。 放电外体(32)垂直地布置在波导模块上并使沿着波导模块传输的高频波通过。 磁力产生单元(40)布置在放电外体的内部,产生磁力并由在外部循环的冷却剂冷却。 (附图标记)(12)电源单元

    상압 플라즈마 가스 스크러빙 장치
    6.
    发明公开
    상압 플라즈마 가스 스크러빙 장치 有权
    大气压力等离子气体清洗设备

    公开(公告)号:KR1020120049968A

    公开(公告)日:2012-05-18

    申请号:KR1020100111232

    申请日:2010-11-10

    CPC classification number: H01L21/67034 H01L21/67046 H01L21/67098 H05H1/46

    Abstract: PURPOSE: An apparatus for scrubbing an atmospheric pressure plasma gas is provided to improve the process efficiency of a process gas by maintaining a process gas to be 150 degrees or more as an indirect heat source of plasma. CONSTITUTION: A process gas inflow line(140) is connected to a bottom portion of an exterior wall(130b). The process gas inflow line lets a process gas to be processed flow from the outside. A process gas exhaust line(150) is connected to an upper end of the exterior wall. The process gas exhaust line discharges the process gas flowing in. An injection portion injects water into a waveguide(110).

    Abstract translation: 目的:提供一种用于洗涤大气压等离子体气体的装置,以通过将处理气体维持在等离子体的间接热源150度以上来提高处理气体的处理效率。 构成:工艺气体流入管线(140)连接到外壁(130b)的底部。 处理气体流入管线使处理气体被处理从外部流出。 工艺气体排出管线(150)连接到外壁的上端。 处理气体排出管线排出流入的工艺气体。注入部分将水注入波导管(110)。

    플라즈마 가스 스크러버 장치
    7.
    发明授权
    플라즈마 가스 스크러버 장치 有权
    等离子气体洗涤设备

    公开(公告)号:KR101113722B1

    公开(公告)日:2012-02-27

    申请号:KR1020090128740

    申请日:2009-12-22

    CPC classification number: B01D53/323 B01D53/78 B01D2258/0216 B01D2259/818

    Abstract: 플라즈마 가스 스크러버 장치가 제공된다.
    본 발명에 따른 플라즈마 가스 스크러버 장치는 상기 플라즈마에 의하여 폐가스가 처리되는 복수개의 공정 챔버; 상기 공정 챔버 각각에 구비되어 상기 공정 챔버로부터 배출되는 폐가스에 물을 분사하기 위한 복수의 노즐; 상기 복수의 공정 챔버 및 노즐이 연결된 하나 이상의 물탱크; 및 상기 물탱크의 연결되며, 상기 공정 챔버 및 노즐로부터 발생한 수증기를 냉각, 응축시키기 위한 하나 이상의 응축기를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 플라즈마 가스 스크러버 장치는 복수개의 공정 챔버를 구비하므로, 처리되는 용량에 따라 상기 공정 챔버의 수를 적절히 선택함으로써 최적의 폐가스 처리가 가능하고, 처리하는 폐가스 용량이 증가하는 경우, 종래 기술에서는 복수개의 물탱크 및 응축기를 사용하여야 하므로, 장비가 차지하는 공간 또한 넓어지게 됨으로써 경제적인 손실이 발생하였지만, 본 발명에서는 물탱크 및 응축기를 복수의 공정 챔버가 공통으로 사용하므로, 적은 용량뿐 만 아니라 대용량의 경우에도 매우 경제적이며 효과적인 폐가스 처리가 가능하며, 더 나아가, 복수개의 공정 챔버를 각각 별도의 반도체 장비에 연결시키는 경우, 각 장비의 조건에 따라 탄력적인 폐가스 처리가 가능한 가스 스크러버 장치를 제공한다.

    상압 플라즈마 장치 및 이를 위한 도파관
    8.
    发明公开
    상압 플라즈마 장치 및 이를 위한 도파관 有权
    大气等离子体设备和波导相同

    公开(公告)号:KR1020110088021A

    公开(公告)日:2011-08-03

    申请号:KR1020100007725

    申请日:2010-01-28

    CPC classification number: H01J37/32229 H01J37/32201 H05H1/46 H05H2001/4622

    Abstract: PURPOSE: An atmospheric pressure plasma apparatus and a waveguide therefor are provided to achieve an effect which stably maintains generated plasma and a convergence effect which is applied through a waveguide having a height difference of more than 2. CONSTITUTION: An oscillator supplies electro-magnetic waves to a first high height part(210). A first tapered part(220) is connected with the end part of the first high height part. A second high height part(230) is connected with the end part of the first tapered part. A second tapered part(240) is connected with the end part of the second high height part. A low height part(250) is connected with the end part of the second tapered part.

    Abstract translation: 目的:提供一种大气压等离子体装置及其波导,以实现稳定地维持产生的等离子体的效果和通过高度差大于2的波导应用的会聚效应。构成:振荡器提供电磁波 到第一高高度部分(210)。 第一锥形部分(220)与第一高高度部分的端部连接。 第二高高度部分(230)与第一锥形部分的端部连接。 第二锥形部分(240)与第二高高度部分的端部连接。 低高度部分(250)与第二锥形部分的端部连接。

    반도체 챔버 라이너
    9.
    发明授权
    반도체 챔버 라이너 有权
    半导体室用衬套

    公开(公告)号:KR100906392B1

    公开(公告)日:2009-07-07

    申请号:KR1020070130138

    申请日:2007-12-13

    CPC classification number: H01L21/67069 H01J37/32623 H01J37/32633

    Abstract: 본 발명은 반도체 챔버 라이너에 관한 것으로서, 외부와 밀폐되어 웨이퍼를 공정처리하기 위한 반응공간을 제공하되 하부에는 웨이퍼가 안착되는 정전척이 구비된 반응부와, 상기 반응부와 게이트를 통해 연통되되 상기 반응부 내부의 유체를 배기시키기 위한 배기포트가 구비된 배기부를 포함하는 반도체 챔버에 장착되는 반도체 챔버 라이너에 있어서, 상기 반응부의 내벽면에 장착되되 상기 게이트에 대응되는 부분에 게이트홀이 형성된 원통부 및 상기 반응부의 하면에 장착되되 상기 원통부의 하단부로부터 내측 방향으로 일체로 연장형성된 플랜지부를 포함하는 제1라이너; 일단부가 상기 게이트홀의 하측 부분에 연결되도록 결합되고 타단부가 상기 배기포트 측으로 연장형성되어, 상기 게이트홀의 하측에 장착되는 제2라이너; 및 일단부가 상기 게이트홀의 상측 부분에 연결되도록 결합되고 타단부가 상기 배기부 측으로 연장형성되어, 상기 게이트홀의 상측에 장착됨과 동시에 상기 제2라이너의 상부에 결합되는 제3라이너;를 포함하여 구성될 수 있으며, 상기와 같이 구성된 본 발명에 의하면, 분해 및 조립이 간편하여 세정을 쉽게 할 수 있고, 장비의 유지보수 시간이 단축되어 생산량을 극대화할 수 있다.
    반도체, 챔버, 라이너, 세라믹, 거칠기

    반도체 챔버 라이너
    10.
    发明公开
    반도체 챔버 라이너 有权
    半导体室内衬

    公开(公告)号:KR1020090062720A

    公开(公告)日:2009-06-17

    申请号:KR1020070130138

    申请日:2007-12-13

    CPC classification number: H01L21/67069 H01J37/32623 H01J37/32633

    Abstract: A semiconductor chamber liner is provided to couple a second liner with a third liner firmly by using a coupling groove formed in the third liner and a coupling protrusion formed in the second liner. A first liner(110) is mounted in an inner wall of a reactor. The first liner includes a flange part mounted on a lower part of the reactor and a cylindrical part with a gate hole formed in the position corresponding to the gate. One end of a second liner(120) is coupled with the lower part of the gate hole. The other end of a second liner is mounted on the lower part of the gate hole. One end of a third liner(130) is coupled with the upper part of the gate hole. The other end of the third liner is mounted on the upper part of the gate hole. The other part of the third liner is coupled with the upper part of the second liner.

    Abstract translation: 提供半导体室衬套以通过使用形成在第三衬套中的联接槽和形成在第二衬套中的联接突起来将第二衬套与第三衬套牢固地连接。 第一衬里(110)安装在反应器的内壁中。 第一衬套包括安装在电抗器的下部的凸缘部分和形成在对应于门的位置的门孔的圆柱形部分。 第二衬套(120)的一端与门孔的下部连接。 第二衬套的另一端安装在门孔的下部。 第三衬套(130)的一端与门孔的上部连接。 第三衬套的另一端安装在门孔的上部。 第三衬套的另一部分与第二衬套的上部连接。

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