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公开(公告)号：TW201625935A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104128217
申请日：2015-08-27
Applicant: 荷蘭VU基金會 , STICHTING VU , 荷蘭阿姆斯特丹大學 , UNIVERSITEIT VAN AMSTERDAM , 物質基礎研究基金會 , STICHTING VOOR FUNDAMENTEEL ONDERZOEK DER MATERIE , ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor： 丹 波夫 亞瑞 傑佛瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY , 瑪庸傑席恩 賽門 吉傑斯柏特 裘瑟胡斯 , MATHIJSSEN, SIMON GIJSBERT JOSEPHUS , 帕迪 尼特許 , PANDEY, NITESH , 懷特 史堤芬 密卻爾 , WITTE, STEFAN MICHIEL , 艾奇瑪 卡傑德 , EIKEMA, KJELD
IPC: G01N21/956 , G03F7/20 , G01B11/00
CPC classification number: G01N21/956 , G01B11/00 , G01N2201/12 , G03F7/70141 , G03F7/70625 , G03F7/70633 , G03F7/70641 , G03H1/0443 , G03H2001/0033 , G03H2001/0204 , G03H2001/0458
Abstract: 藉由一微影程序在一基板(W)上形成度量目標。在不同條件下，使用空間同調輻射來照射包括一或多個光柵結構之一目標(T)。由該目標區域繞射之輻射(650)干涉參考輻射(652)以在一影像偵測器(623)處形成一干涉圖案。擷取該干涉圖案之一或多個影像。自該(等)擷取影像及自該參考輻射之知識計算該偵測器處之該收集散射輻射之一複合場。自該複合場計算由各光柵繞射之輻射之一合成輻射量測影像(814)。自該光柵之一繞射光譜之相反部分之該等合成輻射量測影像(814、814')獲得該光柵之一不對稱性量測。使用適合目標，可自該量測不對稱性計算該微影程序之重疊及其他效能參數。
Abstract in simplified Chinese: 借由一微影进程在一基板(W)上形成度量目标。在不同条件下，使用空间同调辐射来照射包括一或多个光栅结构之一目标(T)。由该目标区域绕射之辐射(650)干涉参考辐射(652)以在一影像侦测器(623)处形成一干涉图案。截取该干涉图案之一或多个影像。自该(等)截取影像及自该参考辐射之知识计算该侦测器处之该收集散射辐射之一复合场。自该复合场计算由各光栅绕射之辐射之一合成辐射量测影像(814)。自该光栅之一绕射光谱之相反部分之该等合成辐射量测影像(814、814')获得该光栅之一不对称性量测。使用适合目标，可自该量测不对称性计算该微影进程之重叠及其他性能参数。
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公开(公告)号：TW202004369A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108137588
申请日：2018-05-25
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V. , 荷蘭基金會科研院所 , STICHTING NEDERLANDSE WETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK INSTITUTEN , 荷蘭VU基金會 , STICHTING VU , 荷蘭阿姆斯特丹大學 , UNIVERSITEIT VAN AMSTERDAM
Inventor： 懷特 史堤芬 密卻爾 , WITTE, STEFAN MICHIEL , 強森 吉傑斯伯特 賽門 馬泰斯 , JANSEN, GIJSBERT SIMON MATTHIJS , 費里森 拉爾斯 克里斯汀 , FREISEM, LARS CHRISTIAN , 艾奇瑪 卡傑德 希傑布蘭 艾德華 , EIKEMA, KJELD SIJBRAND EDUARD , 麥提森 賽門 吉司伯 喬瑟佛思 , MATHIJSSEN, SIMON GIJSBERT JOSEPHUS
Abstract: 一種度量衡裝置(302)包括用於產生(310) EUV輻射之一高階諧波產生(HHG)輻射源。使用包含一孔徑陣列(424、702)之一波前感測器(420)及一影像感測器(426)來監測該HHG源之操作。光柵(706)將穿過各孔徑之輻射分散，使得影像偵測器針對遍及光束之不同光譜分量及不同部位擷取高階繞射的位置及強度。以此方式，該波前感測器可經配置以量測多個諧波在該陣列中之各部位處的一波前傾斜。在一個實施例中，該等孔徑劃分成兩個子集(A)及(B)，各子集之該等光柵(706)具有一不同色散方向。光譜解析的波前資訊(430)被用於回饋控制(432)以穩定化該HGG源之操作，及/或改良度量衡結果之準確度。
Abstract in simplified Chinese: 一种度量衡设备(302)包括用于产生(310) EUV辐射之一高级谐波产生(HHG)辐射源。使用包含一孔径数组(424、702)之一波前传感器(420)及一影像传感器(426)来监测该HHG源之操作。光栅(706)将穿过各孔径之辐射分散，使得影像侦测器针对遍及光束之不同光谱分量及不同部位截取高级绕射的位置及强度。以此方式，该波前传感器可经配置以量测多个谐波在该数组中之各部位处的一波前倾斜。在一个实施例中，该等孔径划分成两个子集(A)及(B)，各子集之该等光栅(706)具有一不同色散方向。光谱解析的波前信息(430)被用于回馈控制(432)以稳定化该HGG源之操作，及/或改良度量衡结果之准确度。
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公开(公告)号：TW201803011A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106122758
申请日：2017-07-06
Applicant: 荷蘭基金會科研院所 , STICHTING NEDERLANDSE WETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK INSTITUTEN , 荷蘭阿姆斯特丹大學 , UNIVERSITEIT VAN AMSTERDAM , 荷蘭VU基金會 , STICHTING VU , ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V. , ASML控股公司 , ASML HOLDING N.V.
Inventor： 波伊茲 湯瑪士 , POIESZ, THOMAS , 艾堅達 薩帝許 , ACHANTA, SATISH , 艾肯巴斯 摩米特 阿里 , AKBAS, MEHMET ALI , 安東諾夫 比瓦多 , ANTONOV, PAVLO , 鮑克奈格特 傑羅伊恩 , BOUWKNEGT, JEROEN , 法蘭肯 瓊斯特 威爾漢穆斯 瑪莉亞 , FRENKEN, JOOST WILHELMUS MARIA , 帕西提 伊芙琳 瓦莉斯 , PACITTI, EVELYN WALLIS , 添 凱特 尼可拉斯 , TEN KATE, NICOLAAS , 提瑞 布魯斯 , TIRRI, BRUCE , 唯霍夫 真 , VERHOEVEN, JAN
IPC: H01L21/683
CPC classification number: G03F7/707 , G03F7/70783 , H01L21/6875 , H01L21/68757
Abstract: 本發明揭示一種基板固持器、一種製造一基板固持器之方法、一種包含該基板固持器之微影裝置及一種使用該微影裝置製造器件之方法。在一個配置中，提供用於一微影裝置中之一基板固持器。該基板固持器支撐一基板。該基板固持器包含一主體。該主體具有一主體表面。提供自該主體表面突出之複數個瘤節。每一瘤節具有一瘤節側表面及一遠端表面。每一瘤節之該遠端表面與該基板接合。該等瘤節之該等遠端表面大致上適形於一支撐平面且支撐該基板。將一碳基材料層提供於碳基材料之複數個分離區域中。該碳基材料層提供一表面，該表面具有比碳基材料之該複數個分離區域外部之該主體表面的一部分更小的一摩擦係數。該碳基材料層僅覆蓋該等瘤節中之至少一者之該遠端表面的部分。替代地，該碳基材料層覆蓋該等瘤節中之至少一者之該遠端表面及該瘤節側表面的至少一部分。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种基板固持器、一种制造一基板固持器之方法、一种包含该基板固持器之微影设备及一种使用该微影设备制造器件之方法。在一个配置中，提供用于一微影设备中之一基板固持器。该基板固持器支撑一基板。该基板固持器包含一主体。该主体具有一主体表面。提供自该主体表面突出之复数个瘤节。每一瘤节具有一瘤节侧表面及一远程表面。每一瘤节之该远程表面与该基板接合。该等瘤节之该等远程表面大致上适形于一支撑平面且支撑该基板。将一碳基材料层提供于碳基材料之复数个分离区域中。该碳基材料层提供一表面，该表面具有比碳基材料之该复数个分离区域外部之该主体表面的一部分更小的一摩擦系数。该碳基材料层仅覆盖该等瘤节中之至少一者之该远程表面的部分。替代地，该碳基材料层覆盖该等瘤节中之至少一者之该远程表面及该瘤节侧表面的至少一部分。
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公开(公告)号：TWI686675B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW107117845
申请日：2018-05-25
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V. , 荷蘭基金會科研院所 , STICHTING NEDERLANDSE WETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK INSTITUTEN , 荷蘭VU基金會 , STICHTING VU , 荷蘭阿姆斯特丹大學 , UNIVERSITEIT VAN AMSTERDAM
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公开(公告)号：TW201740215A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW106108621
申请日：2017-03-15
Applicant: 荷蘭VU基金會 , STICHTING VU , 荷蘭阿姆斯特丹大學 , UNIVERSITEIT VAN AMSTERDAM , 荷蘭基金會科研院所 , STICHTING NEDERLANDSE WETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK INSTITUTEN , ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor： 布恩薩哲 弗拉斯 德克 艾伍德 , BOONZAJER FLAES, DIRK EWOUD , 懷特 史堤芬 密卻爾 , WITTE, STEFAN MICHIEL , 艾奇瑪 卡傑德 希傑布蘭 艾德華 , EIKEMA, KJELD SIJBRAND EDUARD
CPC classification number: G03F7/7065 , G01B11/00 , G01N21/4788 , G01N21/956 , G01N2201/061 , G01N2201/0635 , G02B21/16 , G03F7/70625 , G03F7/70633 , H05G2/003 , H05G2/008
Abstract: 本發明提供一種檢測裝置，在該檢測裝置中，表面上的一目標係運用包含第一照明分量及第二照明分量之照明輻射來照明。該等照明分量在該表面上形成一或多個週期性照明圖案。針對該等照明分量中之至少一者的一可控制特性之許多值，在一偵測器處捕捉在由該目標散射之後由該照明輻射形成的複數個經散射輻射圖案。該經捕捉輻射接著用以重新建構描述該目標之資料。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种检测设备，在该检测设备中，表面上的一目标系运用包含第一照明分量及第二照明分量之照明辐射来照明。该等照明分量在该表面上形成一或多个周期性照明图案。针对该等照明分量中之至少一者的一可控制特性之许多值，在一侦测器处捕捉在由该目标散射之后由该照明辐射形成的复数个经散射辐射图案。该经捕捉辐射接着用以重新建构描述该目标之数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW202004356A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108111839
申请日：2019-04-03
Applicant: 荷蘭VU基金會 , STICHTING VU , 荷蘭基金會科研院所 , STICHTING NEDERLANDSE WETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK INSTITUTEN , 荷蘭阿姆斯特丹大學 , UNIVERSITEIT VAN AMSTERDAM , 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 迪 波爾 喬安 斐茲傑瑞德 , DE BOER, JOHANNES FITZGERALD , 坦拿 偉士可 湯瑪士 , TENNER, VASCO TOMAS , 丹 包伊夫 亞歷 傑福瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY , 梅斯尼斯 克里斯多斯 , MESSINIS, CHRISTOS
Abstract: 本發明揭示用於判定一結構之一特性的方法及設備。在一個配置中，該結構經第一照射輻射照射以產生第一散射輻射。一第一干涉圖案係藉由到達一感測器的該第一散射輻射的一部分與第一參考輻射之間的干涉形成。該結構亦經第二照射輻射自一不同的方向照射。一第二干涉圖案係使用第二參考輻射而形成。該第一干涉圖案及該第二干涉圖案用來判定該結構之該特性。該第一參考輻射及該第二參考輻射至該感測器上之方位角不同。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示用于判定一结构之一特性的方法及设备。在一个配置中，该结构经第一照射辐射照射以产生第一散射辐射。一第一干涉图案系借由到达一传感器的该第一散射辐射的一部分与第一参考辐射之间的干涉形成。该结构亦经第二照射辐射自一不同的方向照射。一第二干涉图案系使用第二参考辐射而形成。该第一干涉图案及该第二干涉图案用来判定该结构之该特性。该第一参考辐射及该第二参考辐射至该传感器上之方位角不同。
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公开(公告)号：TWI682248B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW107135020
申请日：2018-10-04
Applicant: 荷蘭VU基金會 , STICHTING VU , 荷蘭基金會科研院所 , STICHTING NEDERLANDSE WETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK INSTITUTEN , 荷蘭阿姆斯特丹大學 , UNIVERSITEIT VAN AMSTERDAM , 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
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公开(公告)号：TW201734651A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105135618
申请日：2016-11-02
Applicant: 荷蘭基金會科研院所 , STICHTING NEDERLANDSE WETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK INSTITUTEN , 荷蘭阿姆斯特丹大學 , UNIVERSITEIT VAN AMSTERDAM , 荷蘭VU基金會 , STICHTING VU , ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 薩耶迪 艾默邁迪 , SAEDI, AMIRMEHDI , 法蘭肯 瓊斯特 威爾漢穆斯 瑪莉亞 , FRENKEN, JOOST WILHELMUS MARIA , 斯福李高吉 克麗斯汀娜 , SFILIGOJ, CRISTINA , 唯霍夫 真 , VERHOEVEN, JAN
CPC classification number: G03F7/70316 , G02B5/0875 , G02B5/0891 , G03F1/24 , G03F1/52 , G03F7/70958 , G21K1/062
Abstract: 本發明提供一種供用於EUV微影中之多層反射器，其例如包含交替的Mo層與RbxSiy層。該RbxSiy及Mo界面熱力地穩定，從而減少該等層之相互混合及防止反射率之降低。該RbxSiy層可經氫化以形成RbSiH3。對於Mo/RbSiH3之狀況，可使用Mo層與RbSiH3層之間的一RbH間層。一Mo/RbH多層鏡面亦係實用的。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种供用于EUV微影中之多层反射器，其例如包含交替的Mo层与RbxSiy层。该RbxSiy及Mo界面热力地稳定，从而减少该等层之相互混合及防止反射率之降低。该RbxSiy层可经氢化以形成RbSiH3。对于Mo/RbSiH3之状况，可使用Mo层与RbSiH3层之间的一RbH间层。一Mo/RbH多层镜面亦系实用的。
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公开(公告)号：TW201903536A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107117845
申请日：2018-05-25
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V. , 荷蘭基金會科研院所 , STICHTING NEDERLANDSE WETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK INSTITUTEN , 荷蘭VU基金會 , STICHTING VU , 荷蘭阿姆斯特丹大學 , UNIVERSITEIT VAN AMSTERDAM
Inventor： 懷特 史堤芬 密卻爾 , WITTE, STEFAN MICHIEL , 強森 吉傑斯伯特 賽門 馬泰斯 , JANSEN, GIJSBERT SIMON MATTHIJS , 費里森 拉爾斯 克里斯汀 , FREISEM, LARS CHRISTIAN , 艾奇瑪 卡傑德 希傑布蘭 艾德華 , EIKEMA, KJELD SIJBRAND EDUARD , 麥提森 賽門 吉司伯 喬瑟佛思 , MATHIJSSEN, SIMON GIJSBERT JOSEPHUS
Abstract: 一種度量衡裝置(302)包括用於產生(310) EUV輻射之一高階諧波產生(HHG)輻射源。使用包含一孔徑陣列(424、702)之一波前感測器(420)及一影像感測器(426)來監測該HHG源之操作。光柵(706)將穿過各孔徑之輻射分散，使得影像偵測器針對遍及光束之不同光譜分量及不同部位擷取高階繞射的位置及強度。以此方式，該波前感測器可經配置以量測多個諧波在該陣列中之各部位處的一波前傾斜。在一個實施例中，該等孔徑劃分成兩個子集(A)及(B)，各子集之該等光柵(706)具有一不同色散方向。光譜解析的波前資訊(430)被用於回饋控制(432)以穩定化該HGG源之操作，及/或改良度量衡結果之準確度。
Abstract in simplified Chinese: 一种度量衡设备(302)包括用于产生(310) EUV辐射之一高级谐波产生(HHG)辐射源。使用包含一孔径数组(424、702)之一波前传感器(420)及一影像传感器(426)来监测该HHG源之操作。光栅(706)将穿过各孔径之辐射分散，使得影像侦测器针对遍及光束之不同光谱分量及不同部位截取高级绕射的位置及强度。以此方式，该波前传感器可经配置以量测多个谐波在该数组中之各部位处的一波前倾斜。在一个实施例中，该等孔径划分成两个子集(A)及(B)，各子集之该等光栅(706)具有一不同色散方向。光谱解析的波前信息(430)被用于回馈控制(432)以稳定化该HGG源之操作，及/或改良度量衡结果之准确度。
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公开(公告)号：TW201725355A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105141921
申请日：2016-12-16
Applicant: 荷蘭VU基金會 , STICHTING VU , 荷蘭阿姆斯特丹大學 , UNIVERSITEIT VAN AMSTERDAM , 物質基礎研究基金會 , STICHTING VOOR FUNDAMENTEEL ONDERZOEK DER MATERIE , ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 懷特 史堤芬 密卻爾 , WITTE, STEFAN MICHIEL , 艾奇瑪 卡傑德 希傑布蘭 艾德華 , EIKEMA, KJELD SIJBRAND EDUARD
CPC classification number: G03F9/7042 , G01B15/00 , G01N23/2055 , G03F7/70625 , H05G2/008
Abstract: 本發明提供一種微影裝置，其係將一所欲圖案施加至一基板上(通常施加至該基板之一目標部分上)之一機器。一微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。該微影裝置具有一檢測裝置，該檢測裝置具有一EUV輻射源。該輻射源發射包括一特定波長之相干輻射之一輻射光束。該光束傳播至照明光學系統，該照明光學系統將該輻射光束聚焦成照明輻射之一經聚焦光束。該照明光學系統照明該基板上之一三維產品結構，該產品結構散射使該照明輻射散射。在一偵測器之該表面上，藉由該產品結構散射之該輻射形成用於重新建構描述該三維產品結構之資料之一繞射圖案。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种微影设备，其系将一所欲图案施加至一基板上(通常施加至该基板之一目标部分上)之一机器。一微影设备可用于(例如)集成电路(IC)之制造中。该微影设备具有一检测设备，该检测设备具有一EUV辐射源。该辐射源发射包括一特定波长之相干辐射之一辐射光束。该光束传播至照明光学系统，该照明光学系统将该辐射光束聚焦成照明辐射之一经聚焦光束。该照明光学系统照明该基板上之一三维产品结构，该产品结构散射使该照明辐射散射。在一侦测器之该表面上，借由该产品结构散射之该辐射形成用于重新建构描述该三维产品结构之数据之一绕射图案。
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