公开(公告)号：CN100524715C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200710084483.8

申请日：2007-03-02

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 牧野豊 ,  冈本九弘 ,  栗田行树

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05138 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中当通过化学镀方法在由铝-硅(Al-Si)制成的电极焊盘上形成镍(Ni)层时，在沉淀作为催化剂的锌(Zn)之前，以不连续点或岛的形式在电极焊盘的表面上形成铜(Cu)，从而设置薄铜(Cu)层。

公开(公告)号：CN100477193C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200510087915.1

申请日：2005-07-29

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 生云雅光 ,  冈本九弘 ,  渡边英二

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  H05K3/46

CPC classification number: H01L23/5385 ,  H01L21/481 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/13 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H05K3/0052 ,  H05K3/007 ,  H05K3/20 ,  H05K3/28 ,  H05K3/4682 ,  H05K2201/0187 ,  H05K2201/09036 ,  H05K2201/09518 ,  H05K2203/016 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/24917 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明涉及一种多层接线板，其包括多个接线板，其中，每一接线板中的接线层和树脂层以层叠形式交替设置；其中，多个接线板中除了一层预定树脂层之外，所有树脂层和接线层在多个接线板之间的切割区域分离并且隔开，其中该预定树脂层在该切割区域连续。

公开(公告)号：CN100524669C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200610089954.X

申请日：2003-03-14

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 斋藤信胜 ,  南泽正荣 ,  米田义之 ,  清水敦和 ,  今村和之 ,  菊池敦 ,  冈本九弘 ,  渡边英二

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括以下步骤：a.在硅衬底上形成金属薄膜层；b.通过在所述金属薄膜层上的多个水平面中形成导电层和绝缘层来形成薄膜多层衬底；c.通过粘合部件将支撑部件贴在所述薄膜多层衬底上；d.除去所述硅衬底和所述金属薄膜层；e.将所述薄膜多层衬底连同所述支撑部件一起个体化；f.将所述薄膜多层衬底安装在封装衬底上并且将所述薄膜多层衬底固定在所述封装衬底上；g.降低所述粘合部件的粘附性，从所述薄膜多层衬底上剥离所述支撑部件和所述粘合部件；以及h.将至少一个半导体芯片安装在所述薄膜多层衬底上。