公开(公告)号：KR1020090051769A

公开(公告)日：2009-05-22

申请号：KR1020097006127

申请日：2007-08-22

Applicant: 쿠어스택 가부시키가이샤 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시바타가즈오 ,  가와사키히로오

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/205

CPC classification number: H05B3/145 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67103

Abstract: 고주파 유도를 억제하는 어스 전극을 내장함으로써 고주파 유도 발열을 억제하는 동시에, 여기된 반응 가스에 의해서 침식되지 않는 면형 히터 및 이것을 갖춘 반도체 열처리 장치를 제공한다. 면형 히터(1)는, 실리카 유리 판형체(2) 내부에 평면형으로 배치, 밀봉된 카본 와이어 발열체(CW)와, 상기 카본 와이어 발열체(CW) 위쪽의 실리카 유리 판형체(2) 내부에 평면형으로 배치, 밀봉된 어스 전극(3)을 구 비하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020120116490A

公开(公告)日：2012-10-22

申请号：KR1020127021449

申请日：2011-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와사키히로오 ,  사이토우데츠야 ,  나가오카히데키

IPC: H01L21/683 ,  B23Q3/08 ,  H02N13/00

CPC classification number: H01L21/68785 ,  H01L21/68792

Abstract: 배기 가능하게 이루어진 처리 용기 내에 마련되며 처리해야할 피처리체를 탑재하기 위한 탑재대 구조체에 있어서, 상기 피처리체를 탑재하기 위한, 적어도 가열 수단이 마련된 유전체로 이루어지는 탑재대와, 상기 탑재대를 지지하기 위해서 상기 처리 용기의 저부측으로부터 기립시켜서 마련되는 동시에, 상단부가 상기 탑재대 하면에 연결되며, 내부에 길이 방향을 따라서 형성된 복수의 관통 구멍을 갖는 유전체로 이루어지는 지주를 구비하는 것을 특징으로 하는 탑재대 구조체이다.

公开(公告)号：KR1020120112661A

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：KR1020127019798

申请日：2010-12-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와사키히로오 ,  사이토우데츠야 ,  나가오카히데키 ,  무라오카다카시 ,  야마모토히로히코

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68742 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/68785

Abstract: 본 발명은, 배기 가능하게 이루어진 처리 용기 내에 마련되어 처리하기 위한 피처리체를 탑재하기 위한 탑재대 구조에 관한 것이다. 본 발명의 탑재대 구조는, 판 형상의 탑재대 본체 상에 상기 피처리체를 탑재하기 위한 열확산판을 지지시키는 동시에, 상기 탑재대 본체와 상기 열확산판의 경계 부분에 가스 확산실을 마련하여 이루어지는 탑재대와, 상기 탑재대에 마련된 가열 수단과, 상기 탑재대를 지지하기 위해서 상기 처리 용기의 저부로부터 기립시켜서 마련되고 상단부가 상기 탑재대 하면에 접속되는 동시에 상기 가스 확산실에 연통되어 퍼지 가스를 흐르게 하도록 되어 있는 1개 또는 복수의 지주관과, 상기 탑재대 본체의 측면과 하면을 덮도록 하여 마련된 탑재대 커버 부재와, 상기 지주관의 주위를 둘러싸는 동시에 상단부가 상기 탑재대 커버 부재에 연결되어, 상기 가스 확산실로부터 상기 탑재대 본체와 상기 탑재대 커버 부재 사이의 간극으로 흐른 상기 퍼지 가스를 하방으로 안내하여 가스 출구로부터 배출하도록 되어 있는 지주관 커버 부재를 구비한다.

公开(公告)号：KR101084784B1

公开(公告)日：2011-11-21

申请号：KR1020097006127

申请日：2007-08-22

Applicant: 쿠어스택 가부시키가이샤 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시바타가즈오 ,  가와사키히로오

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/205

CPC classification number: H05B3/145 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67103

Abstract: 고주파 유도를 억제하는 어스 전극을 내장함으로써 고주파 유도 발열을 억제하는 동시에, 여기된 반응 가스에 의해서 침식되지 않는 면형 히터 및 이것을 갖춘 반도체 열처리 장치를 제공한다. 면형 히터(1)는, 실리카 유리 판형체(2) 내부에 평면형으로 배치, 밀봉된 카본 와이어 발열체(CW)와, 상기 카본 와이어 발열체(CW) 위쪽의 실리카 유리 판형체(2) 내부에 평면형으로 배치, 밀봉된 어스 전극(3)을 구 비하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020100127200A

公开(公告)日：2010-12-03

申请号：KR1020107003278

申请日：2009-03-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카스미 ,  고마츠도모히토 ,  가와사키히로오

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/68757 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68792

Abstract: 본 발명은, 배치대에 큰 열응력이 발생하는 것을 방지하여, 이 배치대 자체가 파손되는 것을 방지할 수 있고, 부식 방지용 퍼지 가스의 공급량을 억제할 수 있는 배치대 구조를 제공한다. 본 발명은, 내부 가스를 배기할 수 있는 처리 용기(22) 안에 설치되고, 피처리체(W)를 배치하기 위한 배치대 구조(54)에 관한 것이다. 이 배치대 구조(54)는, 피처리체(W)가 배치되고, 유전체로 이루어지는 배치대(58)와, 배치대(58)에 설치되며, 배치대(58)에 배치된 피처리체(W)를 가열하는 가열 수단(64)과, 처리 용기(22)의 바닥부(44)에 대하여 기립하도록 설치되고, 상단부가 배치대(58)의 하면에 접합되어 배치대(58)를 지지하며, 유전체로 이루어지는 복수의 보호 지주관(60)을 구비하고 있다. 또한, 각 보호 지주관(60) 안에, 배치대까지 연장되는 기능 봉체(62)가 삽입 관통되어 있다.