公开(公告)号：KR1020140141701A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：KR1020147030423

申请日：2013-03-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토우데츠야

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45508 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45506 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/0228

Abstract: 본 발명은 반응 가스의 분산성이 높고, 면내 균일성이 양호한 막을 성막할 수 있는 성막 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
진공 분위기인 처리실 내의 배치부(2)와 천장부(31) 사이에 배치되는 기판(W)에 대하여 복수 종류의 반응 가스나 치환용 가스를 순서대로 공급하여 성막 처리를 행하는 성막 장치에 있어서, 중앙 가스 토출부(4b)는, 기판(W)의 중앙부 상측에 배치되며, 가로방향 외측을 향해 가스를 확산시키기 위한 가스 토출구(42)가 형성되고, 주위 가스 공급부(5)는, 상기 중앙 가스 토출부(4b)를 둘러싸도록 배치되며, 평면도로 보았을때 기판(W)의 외주측 및 중앙부측을 향해 각각 가로방향으로 가스를 확산시키도록 둘레 방향을 따라서 형성된 복수의 가스 토출구(511, 512)를 갖는다.

Abstract translation: 本发明的目的在于提供一种能够形成反应性气体的分散性高且面内均匀性良好的膜的成膜装置。

公开(公告)号：KR101063105B1

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：KR1020097002282

申请日：2007-07-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  다다구니히로 ,  와카바야시사토시 ,  사이토우데츠야

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/45574

Abstract: In a gas supply device called a gas shower head or the like, the occurrence of dense areas of particles such as cross-like particles is suppressed and the degree of freedom of process conditions is increased by making more uniform the flow velocity distribution of gas flows from the center to the outer peripheral parts of a board along the circumferential direction than before. The arrangement pattern of gas supply holes formed in the shower plate of the gas supply device is so set that these holes are arranged on a large number of concentric circles and that a gas supply hole on a concentric circle and gas supply holes nearest that gas supply hole and on concentric circles respectively inwardly and outwardly adjacent to that concentric circle are not arranged in the radial direction of the concentric circles.

公开(公告)号：KR1020090028804A

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：KR1020097002282

申请日：2007-07-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  다다구니히로 ,  와카바야시사토시 ,  사이토우데츠야

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/45574

Abstract: In a gas supply device called a gas shower head or the like, the occurrence of dense areas of particles such as cross-like particles is suppressed and the degree of freedom of process conditions is increased by making more uniform the flow velocity distribution of gas flows from the center to the outer peripheral parts of a board along the circumferential direction than before. The arrangement pattern of gas supply holes formed in the shower plate of the gas supply device is so set that these holes are arranged on a large number of concentric circles and that a gas supply hole on a concentric circle and gas supply holes nearest that gas supply hole and on concentric circles respectively inwardly and outwardly adjacent to that concentric circle are not arranged in the radial direction of the concentric circles.

Abstract translation: 在称为气体喷淋头等的气体供给装置中，通过使气流的流速分布更均匀，抑制了诸如十字形颗粒的致密区域的出现，并且加工条件的自由度增加 从圆盘方向的中心到外周部分比以前。 形成在气体供给装置的喷淋板中的气体供给孔的布置图案被设定为使得这些孔布置在大量同心圆上，并且同心圆上的气体供应孔和最靠近气体供应的气体供应孔 孔和同心圆分别向内和向外邻近该同心圆，并不排列在同心圆的径向方向上。

公开(公告)号：KR101657388B1

公开(公告)日：2016-09-13

申请号：KR1020147030423

申请日：2013-03-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토우데츠야

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45508 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45506 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/4583

Abstract: 본발명은반응가스의분산성이높고, 면내균일성이양호한막을성막할수 있는성막장치를제공하는것을과제로한다. 진공분위기인처리실내의배치부(2)와천장부(31) 사이에배치되는기판(W)에대하여복수종류의반응가스나치환용가스를순서대로공급하여성막처리를행하는성막장치에있어서, 중앙가스토출부(4b)는, 기판(W)의중앙부상측에배치되며, 가로방향외측을향해가스를확산시키기위한가스토출구(42)가형성되고, 주위가스공급부(5)는, 상기중앙가스토출부(4b)를둘러싸도록배치되며, 평면도로보았을때기판(W)의외주측및 중앙부측을향해각각가로방향으로가스를확산시키도록둘레방향을따라서형성된복수의가스토출구(511, 512)를갖는다.

Abstract translation: 本发明的目的在于提供一种能够形成反应性气体的分散性高且面内均匀性良好的膜的成膜装置。 在膜形成用于进行膜通过，以使基板（W）供给的多个种类的反应气体纳粹hwanyong气体的形成处理装置设置在所述处理真空环境室配置部（2）wacheon书31，中心气体之间 排出部（4B）被设置在基板（W）的中心上侧，朝向宽度方向外侧，并正式型气体排出口42的城堡用于扩散气体，周围的气体供给装置5，在中心气体排出部 并且，多个气体喷出口511,512在俯视观察下，沿周向排列为使气体向横向扩散至基板W的外周侧和中央侧。

公开(公告)号：KR1020120116490A

公开(公告)日：2012-10-22

申请号：KR1020127021449

申请日：2011-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와사키히로오 ,  사이토우데츠야 ,  나가오카히데키

IPC: H01L21/683 ,  B23Q3/08 ,  H02N13/00

CPC classification number: H01L21/68785 ,  H01L21/68792

Abstract: 배기 가능하게 이루어진 처리 용기 내에 마련되며 처리해야할 피처리체를 탑재하기 위한 탑재대 구조체에 있어서, 상기 피처리체를 탑재하기 위한, 적어도 가열 수단이 마련된 유전체로 이루어지는 탑재대와, 상기 탑재대를 지지하기 위해서 상기 처리 용기의 저부측으로부터 기립시켜서 마련되는 동시에, 상단부가 상기 탑재대 하면에 연결되며, 내부에 길이 방향을 따라서 형성된 복수의 관통 구멍을 갖는 유전체로 이루어지는 지주를 구비하는 것을 특징으로 하는 탑재대 구조체이다.

公开(公告)号：KR1020120112661A

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：KR1020127019798

申请日：2010-12-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와사키히로오 ,  사이토우데츠야 ,  나가오카히데키 ,  무라오카다카시 ,  야마모토히로히코

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68742 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/68785

Abstract: 본 발명은, 배기 가능하게 이루어진 처리 용기 내에 마련되어 처리하기 위한 피처리체를 탑재하기 위한 탑재대 구조에 관한 것이다. 본 발명의 탑재대 구조는, 판 형상의 탑재대 본체 상에 상기 피처리체를 탑재하기 위한 열확산판을 지지시키는 동시에, 상기 탑재대 본체와 상기 열확산판의 경계 부분에 가스 확산실을 마련하여 이루어지는 탑재대와, 상기 탑재대에 마련된 가열 수단과, 상기 탑재대를 지지하기 위해서 상기 처리 용기의 저부로부터 기립시켜서 마련되고 상단부가 상기 탑재대 하면에 접속되는 동시에 상기 가스 확산실에 연통되어 퍼지 가스를 흐르게 하도록 되어 있는 1개 또는 복수의 지주관과, 상기 탑재대 본체의 측면과 하면을 덮도록 하여 마련된 탑재대 커버 부재와, 상기 지주관의 주위를 둘러싸는 동시에 상단부가 상기 탑재대 커버 부재에 연결되어, 상기 가스 확산실로부터 상기 탑재대 본체와 상기 탑재대 커버 부재 사이의 간극으로 흐른 상기 퍼지 가스를 하방으로 안내하여 가스 출구로부터 배출하도록 되어 있는 지주관 커버 부재를 구비한다.