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公开(公告)号:KR102007059B1
公开(公告)日:2019-08-02
申请号:KR1020147015926
申请日:2012-12-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/31
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公开(公告)号:KR1020110120349A
公开(公告)日:2011-11-03
申请号:KR1020117022419
申请日:2010-03-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 고마츠도모히토
IPC: H01L21/683 , H01L21/205 , H01L21/3063
CPC classification number: C23C16/46 , C23C16/4586 , H01J37/32091 , H01J2237/2001 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H05B3/22 , H05B2203/037
Abstract: 처리 용기 내에서 피처리체(W)에 열처리를 실시하기 위해 피처리체를 탑재하고, 또한 탑재된 피처리체를 가열하는 탑재대 구조(60)가 제공된다. 탑재대 본체(62)의 최외주의 가열 존(96)을 가열하기 위한 최외주 저항 가열 히터(100)의 둘레방향이 다른 복수의 위치에 최외주 급전라인(L1~L4)이 접속되고, 이것에 의해서 최외주 저항 가열 히터(100)가 복수의 히터 구분(100A~100D)으로 구획된다. 히터 제어부(92)는 각 최외주 급전라인의 전기적 상태(예를 들면, 전압 인가 상태, 제로 전위 상태, 플로팅 상태)를 개별적으로 제어할 수 있다. 히터 구분마다의 전력 공급 상태를 간단한 구성에 의해 변화시킬 수 있다.
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公开(公告)号:KR1020110004485A
公开(公告)日:2011-01-13
申请号:KR1020107028657
申请日:2007-05-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 고마츠도모히토
IPC: H01L21/205 , H01L21/324 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67103 , C23C16/4581 , C23C16/48 , H01L21/324 , H05B3/143
Abstract: 발열판을, 발열판 수용 용기내에 장착 및 분리 가능하게 마련해서 탑재대를 구성하는 것에 의해, 발열판을 교체, 혹은 교환 가능하게 한 탑재대 구조를 제공한다. 탑재대 구조(29)는, 처리 용기(4)내에 배치되어 피처리체(W)에 대하여 소정의 열처리를 실시하기 위해서 상기 피처리체를 탑재하는 탑재대(32)와, 상기 탑재대를 상기 처리 용기의 바닥부로부터 기립시켜서 지지하는 통체 형상의 받침대(30)를 가진다. 상기 탑재대(32)는, 전기 가열원으로 이루어지는 발열체(38)를 내열성 재료중에 매립하여 이루어지는 발열판(40)과, 내부에 상기 발열판을 장착 및 분리 가능하게 수용하는 내열 내부식성 재료로 이루어지는 발열판 수용 용기(42)를 가진다. 발열판 수용 용기(42)는 개구를 가지는 용기 본체(76)와, 용기 본체(76)에 부착된 덮개부(78)를 포함한다. 이에 의해, 발열판(40)을 교체, 혹은 교환 가능하게 한다.
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公开(公告)号:KR1020140117630A
公开(公告)日:2014-10-07
申请号:KR1020147023798
申请日:2012-12-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H05H1/24 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32266 , H01J37/32192 , H01J37/32201 , H01J37/3222 , H01J37/32229 , H05H1/46 , H05H2001/4615 , H05H2001/4622 , H05H2001/463 , H01J37/3244
Abstract: 마이크로파 방사 기구(43)는, 마이크로파를 전송하는 전송로(44)와, 마이크로파 전송로(44)를 통해 전송되어 온 마이크로파를 챔버(1) 내에 방사하는 안테나부(45)를 갖고, 안테나부(45)는, 마이크로파를 방사하는 슬롯(131)이 형성된 안테나(81)와, 안테나(81)로부터 방사된 마이크로파를 투과시키고, 그 표면에 표면파가 형성되는 유전체 부재(110b)를 갖고, 또한, 적어도 슬롯(131) 내벽 및 유전체 부재(110b)의 표면 및 내부를 포함하는, 표면 전류 및 변위 전류가 흐르는 폐회로(C)를 갖고, 폐회로(C)의 길이가, 마이크로파의 파장을 λ
0 으로 한 경우에, nλ
0 ±δ(n은 양의 정수, δ는 미세 조정 성분(0을 포함한다)이다)가 되도록 한다.Abstract translation: 微波发射机构包括:传输微波的传输路径; 以及天线部分,其将通过传输路径传输的微波发射到室中。 天线部分包括具有微波发射的狭缝的天线,从天线发射的微波穿过的电介质构件和表面电流和位移电流的闭合电路。 表面波形成在电介质构件的表面中。 闭路至少具有:槽的内壁; 以及电介质构件的表面和内部。 当微波的波长为λ0时,闭路电路的长度为nλ0±δ,其中n为正整数,δ为包括0的微调组件。
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公开(公告)号:KR1020140101362A
公开(公告)日:2014-08-19
申请号:KR1020147015926
申请日:2012-12-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC classification number: H01J37/3222 , H01J37/32229 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J2237/006 , H05H1/46 , H05H2001/4615 , H05H2001/463
Abstract: 동축 도파관을 통해 전송된 마이크로파를 처리 용기 내에 방사하고, 처리 용기 내의 금속면에 전파시켜 가스를 플라즈마화시킴으로써 표면파 플라즈마를 생성하기 위한 플라즈마 발생용 안테나를 제공한다. 플라즈마 발생용 안테나는, 상기 플라즈마 발생용 안테나 내에 가스를 흘리는 가스 경로와, 상기 가스 경로에 연통(連通)되고, 상기 가스 경로를 통과한 가스를 처리 용기 내에 도입하는 복수의 가스 구멍과, 상기 가스 경로와 분리된 상태에서 상기 가스 경로를 관통하고, 동축 도파관을 통해 지파판(遲波板; slow wave plate)을 투과한 마이크로파를 통과시켜, 처리 용기 내에 방사하는 복수의 슬롯을 구비하며, 인접하는 슬롯 사이는, 처리 용기 내의 플라즈마 생성 공간으로 개구되는 부분의 간격(WB)보다도 상기 가스 경로를 관통하는 부분의 간격(WA)이 넓게 되어 있다.
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公开(公告)号:KR1020100113494A
公开(公告)日:2010-10-21
申请号:KR1020107014192
申请日:2009-01-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/46
CPC classification number: H01L21/67248 , C23C16/46 , H01L21/67103
Abstract: 상면에 피처리체(W)를 배치하기 위한 배치대(26)와, 배치대(26)에 동심형으로 구획된 복수의 가열존마다 설치된 복수의 가열 히터부를 갖는 가열 기구(30)와, 배치대(26)의 중심부에 접속되고, 기립한 상태로 상기 배치대를 수평으로 지지하는 다리부(28)와, 복수의 가열존 안의 최내측 둘레의 가열존에 대응시켜 설치된 온도 측정부(38)와, 온도 측정부(38)의 측정값에 기초하여 최내측 둘레의 가열 히터부의 온도를 피드백 제어하여, 가열존 간의 온도차가 배치대(26)가 파손되지 않는 범위가 되도록 결정된, 최내측 둘레의 가열 히터부에 대한 안전 공급 전력비로, 다른 가열 히터부에의 공급 전력을 제어하는 전원 제어부(42)를 구비한다.
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公开(公告)号:KR1020080035639A
公开(公告)日:2008-04-23
申请号:KR1020087003876
申请日:2006-08-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 고마츠도모히토
IPC: H01L21/02 , C23C16/458
CPC classification number: C04B41/86 , C04B41/009 , C04B41/5022 , C23C16/4581 , C23C16/4586 , H01L21/68742 , H01L21/68757 , C04B41/4523 , C04B35/00 , C04B35/581
Abstract: Provided is a placing table structure wherein breakage of a ceramic placing table and that of a bonding section between the placing table and a column supporting the placing table are eliminated. The placing table structure is provided with the ceramic placing table (32) for placing a subject (W) to be treated for performing prescribed heat treatment to the subject in a treatment chamber (4), and a supporting means (31) for supporting the placing table. On the surface of the placing table, a quartz glass coating layer (54) is formed in a status where a compression stress in a planar direction is held. Thus, breakage of the ceramic placing table and that of the bonding section between the placing table and the column supporting the placing table are eliminated.
Abstract translation: 提供了一种放置台结构,其中消除了陶瓷放置台的断裂和放置台与支撑放置台之间的接合部的断裂。 放置台结构设置有陶瓷放置台(32),用于将待处理对象(W)放置在处理室(4)中的对象进行规定的热处理;以及支撑装置(31),用于支撑 放置表。 在放置台的表面上,以保持平面方向的压缩应力的状态形成石英玻璃涂层(54)。 因此,消除了陶瓷放置台的断裂和放置台与支撑放置台之间的接合部的断裂。
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公开(公告)号:KR101902112B1
公开(公告)日:2018-09-27
申请号:KR1020170052696
申请日:2017-04-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32192 , H01J37/32201 , H01J37/32229 , H01J37/32247 , H01J37/32458 , H01J37/32715 , H01J2237/3321 , H01J2237/334
Abstract: 본발명은처리가스를가스의특성에따른적절한해리상태로해리시킬수 있고, 또한처리가스의도입균일성및 소망한플라즈마균일성을양립시킬수 있는플라즈마처리장치를제공한다. 플라즈마처리장치는챔버(1)와, 웨이퍼를탑재하는탑재대(11)와, 천정벽(10)을거쳐서챔버(1) 내에마이크로파를도입하는플라즈마원(2)와, 천정벽(10)으로부터제 1 가스를챔버(1) 내에도입하는제 1 가스도입부(21)와, 천정벽(10)으로탑재대(11)의사이로부터제 2 가스를챔버(1) 내에도입하는제 2 가스도입부(22)를구비한다. 제 2 가스도입부(22)는복수의가스토출구멍(116)이형성되고, 천정벽(10)과탑재대(11)의사이의소정의높이위치에위치하도록마련된링 형상부재(110)와, 천정벽(10)과링 형상부재(110)를연결하는각부(111a)를갖고, 링형상부재(110)로의제 2 가스의공급은각부(11a)를거쳐서행해진다.
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公开(公告)号:KR1020100127200A
公开(公告)日:2010-12-03
申请号:KR1020107003278
申请日:2009-03-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/68757 , H01L21/67248 , H01L21/68792
Abstract: 본 발명은, 배치대에 큰 열응력이 발생하는 것을 방지하여, 이 배치대 자체가 파손되는 것을 방지할 수 있고, 부식 방지용 퍼지 가스의 공급량을 억제할 수 있는 배치대 구조를 제공한다. 본 발명은, 내부 가스를 배기할 수 있는 처리 용기(22) 안에 설치되고, 피처리체(W)를 배치하기 위한 배치대 구조(54)에 관한 것이다. 이 배치대 구조(54)는, 피처리체(W)가 배치되고, 유전체로 이루어지는 배치대(58)와, 배치대(58)에 설치되며, 배치대(58)에 배치된 피처리체(W)를 가열하는 가열 수단(64)과, 처리 용기(22)의 바닥부(44)에 대하여 기립하도록 설치되고, 상단부가 배치대(58)의 하면에 접합되어 배치대(58)를 지지하며, 유전체로 이루어지는 복수의 보호 지주관(60)을 구비하고 있다. 또한, 각 보호 지주관(60) 안에, 배치대까지 연장되는 기능 봉체(62)가 삽입 관통되어 있다.
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