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公开(公告)号：KR1020150023263A
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：KR1020147032123
申请日：2013-03-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/3455 , C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J37/3447 , H01J37/3452 , H01J2237/332
Abstract: 본 발명은, 자성 재료로 이루어지는 타깃을 사용하여 마그네트론 스퍼터를 행함에 있어서, 장치의 생산성을 높게 할 수 있는 기술을 제공하는 것이다. 기판 위에서, 당해 기판의 중심축으로부터 상기 기판의 면을 따른 방향으로 그 중심축이 편이하여 배치되고, 자성 재료로 이루어지는 타깃인 원통체와, 이 원통체를 당해 원통체의 축 둘레로 회전시키는 회전 기구와, 상기 원통체의 공동부 내에 설치된 마그네트 배열체와, 상기 원통체에 전압을 인가하는 전원부를 구비하는 장치를 구성한다. 그리고, 상기 마그네트 배열체의 상기 원통체의 축과 직교하는 단면 형상은, 원통체의 둘레 방향에서의 양단부보다 중앙부가 당해 원통체의 주면측으로 돌출되어 있다. 이에 의해, 두께가 비교적 큰 타깃을 사용해도, 타깃으로부터 누설되는 자장의 강도의 저하를 억제하고, 또한 에로젼의 국소적인 진행을 억제할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101726031B1
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：KR1020147032112
申请日：2013-04-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L43/12 , H01L21/203 , C23C14/14 , C23C14/35 , C23C14/58
CPC classification number: C23C14/5853 , C23C14/08 , C23C14/14 , C23C14/3464 , C23C14/352 , C23C14/564 , H01J37/34 , H01J37/3405 , H01J37/3426 , H01J37/3429 , H01J37/3447 , H01J2237/3322 , H01L43/12
Abstract: 본발명은, 기판에대하여금속산화막을성막함에있어서, 기판간에서금속산화막의저항값을안정화시키는처리장치및 처리방법을제공하는것이다. 플라즈마스퍼터처리가가능한진공용기(2) 내부에산소를흡수하는부재로이루어지는타깃(31a)과금속으로이루어지는타깃(31b)을배치하고, 진공용기(2) 내부에기판(S)을반입한다. 커버플레이트(43)로기판(S)을덮고, 타깃(31a)을스퍼터하여진공용기(2) 내부에성막하여, 당해막에진공용기(2) 내부의산소를흡착시킨다. 그리고커버플레이트(43)를기판(S) 위로부터이동시키고, 타깃(31b)을스퍼터해서기판(S) 위에금속막을성막한다. 다시기판(S) 위로이동시킨커버플레이트(43)로부터산소를필요량만큼공급하여, 금속막을금속산화막으로한다. 그리고타깃(31a)을스퍼터하여진공용기(2) 내부의산소를흡착시킨뒤에, 금속산화막이형성된기판(S)을진공용기(2) 내부로부터반출한다.
Abstract translation: 本发明中，如在成膜金属氧化物膜为基材，以提供用于稳定基片之间的金属氧化物层的电阻值的处理装置和处理方法。 放置一个目标（31A），一个目标（31B）形成为包括吸收该等离子体溅射过程可能真空容器（2）内部的氧的部件的充电，并提请在真空容器（2）的基板（S）。 用盖板43覆盖基板S，溅射靶材31a，在真空容器2的内部形成膜，将真空容器2内的氧吸附到膜上。 接着，使盖板43从基板S的上方移动，通过溅射靶材31b而在基板S上形成金属膜。 从在基板S上移动的盖板43向基板S供给必要量的氧气，并将该金属膜用作金属氧化物膜。 在靶31a被溅射以吸附真空容器2中的氧之后，将其上形成有金属氧化物膜的基板S从真空容器2的内部取出。
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公开(公告)号：KR1020150016945A
公开(公告)日：2015-02-13
申请号：KR1020147032112
申请日：2013-04-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L43/12 , H01L21/203 , C23C14/14 , C23C14/35 , C23C14/58
CPC classification number: C23C14/5853 , C23C14/08 , C23C14/14 , C23C14/3464 , C23C14/352 , C23C14/564 , H01J37/34 , H01J37/3405 , H01J37/3426 , H01J37/3429 , H01J37/3447 , H01J2237/3322 , H01L43/12 , H01L21/203
Abstract: 본 발명은, 기판에 대하여 금속 산화막을 성막함에 있어서, 기판간에서 금속 산화막의 저항값을 안정화시키는 처리 장치 및 처리 방법을 제공하는 것이다. 플라즈마 스퍼터 처리가 가능한 진공 용기(2) 내부에 산소를 흡수하는 부재로 이루어지는 타깃(31a)과 금속으로 이루어지는 타깃(31b)을 배치하고, 진공 용기(2) 내부에 기판(S)을 반입한다. 커버 플레이트(43)로 기판(S)을 덮고, 타깃(31a)을 스퍼터하여 진공 용기(2) 내부에 성막하여, 당해 막에 진공 용기(2) 내부의 산소를 흡착시킨다. 그리고 커버 플레이트(43)를 기판(S) 위로부터 이동시키고, 타깃(31b)을 스퍼터해서 기판(S) 위에 금속막을 성막한다. 다시 기판(S) 위로 이동시킨 커버 플레이트(43)로부터 산소를 필요량만큼 공급하여, 금속막을 금속 산화막으로 한다. 그리고 타깃(31a)을 스퍼터하여 진공 용기(2) 내부의 산소를 흡착시킨 뒤에, 금속 산화막이 형성된 기판(S)을 진공 용기(2) 내부로부터 반출한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101900215B1
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：KR1020177019593
申请日：2016-01-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L43/12 , C23C14/082 , C23C14/165 , C23C14/34 , C23C14/568 , C23C14/5853 , H01F10/16 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F41/18 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 수직자화형자기터널접합소자를형성하는방법이제공된다. 이방법은, 피처리체의제1 자성층상에터널배리어층을형성하는공정과, 터널배리어층이형성된피처리체를냉각하는공정과, 냉각하는공정후에, 터널배리어층상에제2 자성층을형성하는공정을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150027053A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：KR1020147032117
申请日：2013-04-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/203 , C23C14/35 , H01L21/28
CPC classification number: H01J37/3455 , C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3452 , H01L21/203 , H01L21/28061
Abstract: 본 발명은, 마그네트론 스퍼터링에 의해 기판의 면 내에 균일성 높게 성막을 행할 수 있는 기술을 제공하는 것이다. 진공 용기 내의 적재부에 적재된 기판을 향하도록 배치된 타깃과, 이 타깃의 배면측에 설치되고, 마그네트를 배열하여 이루어지는 마그네트 배열체를 구비한 마그네트론 스퍼터링 장치에 있어서, 상기 진공 용기 내에 플라즈마 발생용 가스를 공급하기 위한 가스 공급부와, 상기 적재부를 회전시키기 위한 회전 기구와, 상기 타깃에 전압을 인가하는 전원부와, 상기 마그네트 배열체를, 제1 영역과 이 제1 영역보다 타깃의 외측 테두리부측으로 치우친 제2 영역의 사이에서 이동시키기 위한 이동 기구와, 상기 마그네트 배열체의 평균 이동 속도가 상기 제1 영역과 제2 영역의 사이에서 상이하도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비하도록 장치를 구성한다.
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公开(公告)号：KR101813420B1
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：KR1020167011101
申请日：2014-08-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고지마,야스히코 , 소네,히로시 , 고미,아츠시 , 나카무라,간토 , 기타다,도루 , 스즈키,야스노부 , 스즈키,유스케 , 다카츠키,고이치 , 히라사와,다츠오 , 사토,게이스케 , 야스무로,치아키 , 시마다,아츠시
CPC classification number: C23C14/0036 , C23C14/0063 , C23C14/081 , C23C14/165 , C23C14/352 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/3405 , H01J37/3426 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 일실시형태의성막장치는처리용기를구비한다. 처리용기내에는적재대가설치되어있고, 적재대의상방에는금속타깃이설치되어있다. 또한, 헤드가, 산화가스를적재대를향해서분사하도록구성되어있다. 이헤드는, 적재대상에서피처리체가적재되는적재영역과금속타깃과의사이의제1 영역과, 금속타깃과적재영역과의사이의공간으로부터이격된제2 영역과의사이에서이동가능하다.
Abstract translation: 膜装置的一个实施例包括处理容器。 处理容器内设有装载台，在装载台上方设有金属靶。 此外，头部构造成朝向装载台注入氧化气体。 头部是第一区域和从金属靶和装载区域和所述目标对象装载在金属靶，加载目的地之间的装载区域之间的空间分隔的第二区域之间移动。
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7.发明公开
公开(公告)号：KR1020170095982A
公开(公告)日：2017-08-23
申请号：KR1020177019593
申请日：2016-01-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L43/12 , C23C14/082 , C23C14/165 , C23C14/34 , C23C14/568 , C23C14/5853 , H01F10/16 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F41/18 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/10 , C23C14/58 , H01F10/26
Abstract: 수직자화형자기터널접합소자를형성하는방법이제공된다. 이방법은, 피처리체의제1 자성층상에터널배리어층을형성하는공정과, 터널배리어층이형성된피처리체를냉각하는공정과, 냉각하는공정후에, 터널배리어층상에제2 자성층을형성하는공정을포함한다.
Abstract translation: 提供了一种形成垂直磁化型磁隧道结元件的方法。 该方法包括形成冷却处理和隧道势垒层的步骤的一个工序中的加工，以形成所述物体的所述第一磁性层和，冷却的步骤之后在隧道势垒层的对象，以形成隧道势垒层上的第二磁性层 它包括。
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公开(公告)号：KR1020160078969A
公开(公告)日：2016-07-05
申请号：KR1020167011101
申请日：2014-08-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고지마,야스히코 , 소네,히로시 , 고미,아츠시 , 나카무라,간토 , 기타다,도루 , 스즈키,야스노부 , 스즈키,유스케 , 다카츠키,고이치 , 히라사와,다츠오 , 사토,게이스케 , 야스무로,치아키 , 시마다,아츠시
CPC classification number: C23C14/0036 , C23C14/0063 , C23C14/081 , C23C14/165 , C23C14/352 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/3405 , H01J37/3426 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 일실시형태의성막장치는처리용기를구비한다. 처리용기내에는적재대가설치되어있고, 적재대의상방에는금속타깃이설치되어있다. 또한, 헤드가, 산화가스를적재대를향해서분사하도록구성되어있다. 이헤드는, 적재대상에서피처리체가적재되는적재영역과금속타깃과의사이의제1 영역과, 금속타깃과적재영역과의사이의공간으로부터이격된제2 영역과의사이에서이동가능하다.
Abstract translation: 根据一个实施例的沉积装置包括处理容器。 安装台安装在加工容器的内部，金属靶被安装在安装台的上方。 此外，头部构造成朝向安装台注入氧化气体。 该头部构造成在限定在金属靶和安装在安装台上的目标物体的安装区域之间的第一区域和从金属靶和安装区域之间限定的空间间隔开的第二区域之间移动。 出版物摘要该沉积装置设有处理容器。 在处理容器中设置有安装平台，在安装平台的上方设置有金属靶。 此外，头部构造成朝向安装平台喷射氧化气体。 该头部可以在金属靶和安装在安装平台上的工件的安装区域之间的第一区域和与金属靶材与安装区域之间的空间分离的第二区域之间移动。
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