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公开(公告)号：KR101399814B1
公开(公告)日：2014-05-27
申请号：KR1020117030618
申请日：2010-06-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/76814 , C23C16/02 , C23C16/40 , H01L21/28556 , H01L21/3105 , H01L21/32051 , H01L21/76831 , H01L21/76844 , H01L21/76867
Abstract: 오목부(2)를 갖는 low-k막으로 이루어지는 절연층(122)이 표면에 형성된 피처리체(W)에 Mn을 포함하는 박막을 형성하는 성막 방법에 있어서, 절연층의 표면에 친수화 처리를 실시해서 친수성의 표면으로 하는 친수화 공정과, 친수화 처리가 실행된 절연층의 표면에 Mn함유 원료를 이용해서 성막 처리를 실시하는 것에 의해 Mn을 포함하는 박막을 형성하는 박막 형성 공정을 갖는다. 이것에 의해, 비유전율이 낮은 low-k막으로 이루어지는 절연층의 표면에 Mn을 포함하는 박막, 예를 들면, MnOx를 효율적으로 형성한다.
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公开(公告)号：KR101171587B1
公开(公告)日：2012-08-07
申请号：KR1020107018727
申请日：2009-02-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/67207 , H01L21/02063 , H01L21/02068 , H01L21/67253 , H01L21/67742 , H01L21/76814 , H01L21/76831 , H01L21/76834 , H01L21/76843 , H01L21/76858 , H01L21/76861 , H01L21/76865 , H01L21/76873 , H01L21/76877 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은, 기판 표면에 형성된 층간 절연막에, 하층측 도전로에 전기적으로 접속되는 구리를 주성분으로 하는 상층측 도전로를 매립하기 위한 오목부를 형성하는 공정과, 망간의 유기 화합물을 함유하는 가스를 공급하여, 층간 절연막의 노출면을 덮도록, 상기 층간 절연막으로의 구리의 확산을 억제하기 위한 망간의 화합물로 이루어진 배리어층을 형성하는 공정과, 상기 배리어층을 형성한 후, 배리어층을 구성하는 망간의 화합물 중의 망간의 비율을 높이기 위해 그 배리어층에 유기산을 공급하는 공정과, 유기산 공급 공정후, 상기 배리어층의 표면에 구리를 주성분으로 하는 시드층을 형성하는 공정과, 시드층 형성 공정후, 배리어층의 표면 또는 층 속의 망간을 시드층의 표면에 석출시키기 위해 상기 기판을 가열 처리하는 공정과, 가열에 의해 시 드층의 표면에 석출된 망간을 제거하기 위해 그 시드층에 세정액을 공급하는 공정과, 세정액 공급 공정후, 구리를 주성분으로 하는 상층측 도전로를 상기 오목부 내에 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR101422982B1
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：KR1020127027017
申请日：2011-03-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/76814 , C23C16/045 , C23C16/401 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/3105 , H01L21/32051 , H01L21/76826 , H01L21/76831 , H01L21/76843 , H01L21/76844 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 성막 방법은 성막 장치(100)의 처리용기(1) 내에, 절연막이 마련된 웨이퍼(W)를 배치하는 공정과, 처리용기(1) 내에, TEOS 등의 실리콘 원자를 포함하는 화합물의 가스와 수증기 등의 OH기 공여성 가스를 공급하고, 상기 절연막의 표면에 Si-OH기를 형성시키는 표면 개질 공정과, 처리용기(1) 내에 망간함유 재료를 포함하는 성막 가스를 공급하고, CVD법에 의해 Si-OH기가 형성된 절연막의 표면에 망간함유막을 성막하는 성막 공정을 구비하고 있다. 표면 개질 공정에서는 실리콘 원자를 포함하는 화합물의 가스와, OH기 공여성 가스를, 처리 용기 내에 동시에 공급해도 좋고, 교대로 공급해도 좋다.
Abstract translation: 沉积在成膜装置100的处理室1中进行，包括以下步骤：将晶片（W），绝缘膜设置，所述化合物的过程中容器（1）中，TEOS气体和水蒸汽含有硅原子，如，如 OH的阴气体，在绝缘膜的表面形成Si-OH基的工序;向处理容器1内供给含有含锰材料的成膜气体的工序， 以及在其上形成有OH基的绝缘膜的表面上形成含锰膜的膜形成步骤。 在表面改性步骤中，可以在处理容器中同时或同时供应含有硅原子和含OH基团的气体的化合物的气体。
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公开(公告)号：KR1020120025543A
公开(公告)日：2012-03-15
申请号：KR1020117030618
申请日：2010-06-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/76814 , C23C16/02 , C23C16/40 , H01L21/28556 , H01L21/3105 , H01L21/32051 , H01L21/76831 , H01L21/76844 , H01L21/76867
Abstract: 오목부(2)를 갖는 low-k막으로 이루어지는 절연층(122)이 표면에 형성된 피처리체(W)에 Mn을 포함하는 홈막을 형성하는 성막 방법에 있어서, 절연층의 표면에 친수화 처리를 실시해서 친수성의 표면으로 하는 친수화 공정과, 친수화 처리가 실행된 절연층의 표면에 Mn함유 원료를 이용해서 성막 처리를 실시하는 것에 의해 Mn을 포함하는 홈막을 형성하는 홈막 형성 공정을 갖는다. 이것에 의해, 비유전율이 낮은 low-k막으로 이루어지는 절연층의 표면에 Mn을 포함하는 홈막, 예를 들면, MnOx를 효율적으로 형성한다.
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公开(公告)号：KR101036024B1
公开(公告)日：2011-05-19
申请号：KR1020097011007
申请日：2007-11-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 사토히로시
IPC: B05C11/00 , B05C5/00 , H01L21/288 , H01L21/3205
CPC classification number: H05K3/125 , H01L27/1292 , H05K2203/013 , H05K2203/086 , H05K2203/1147
Abstract: 밀봉 부재(21)를 상승시켜서 지지 부재(13)의 당접면(17a)의 밀봉 부재(21)의 가장자리부(21a)를 당접시켜, 정밀 토출 노즐(5)를 격리한 상태에서, 배기 장치(41)를 작동시켜서 챔버(1)내로 도입하고, 챔버(1)내 분위기를 퍼지 가스로 치환함과 함께, 챔버(1)내의 압력을 대기압으로 되돌린 후, 밀봉 부재(21)를 하강시켜서 정말 토출 노즐(5)의 격리를 해제한다. 다음으로, 캐리지(7)를 X 방향으로 왕복 이동시키면서, 기판(S)표면을 향해 액체 디바이스 재료의 액적을 토출한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100995236B1
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：KR1020077018342
申请日：2006-01-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C16/45542 , C23C16/06 , C23C16/45529 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975
Abstract: 베이스와의 밀착성이 높아서 막벗겨짐의 발생을 억제할 수 있고, 게다가, 미세화가 진행되더라도 스텝 커버리지를 충분히 높게 할 수 있으며, 또한 합금종의 원소를 충분히 확산시킬 수 있는 박막의 적층 구조의 형성 방법을 제공한다. 진공 가능하게 이루어진 처리 용기(4) 내에서 피처리체의 표면에 복수의 박막을 퇴적하여 박막의 적층 구조를 형성하는 방법에 있어서, 합금종으로서의 제 1 금속을 포함하는 원료 가스와 환원 가스를 이용하여 제 1 금속으로 이루어지는 합금종막(104)을 형성하는 합금종막 형성 공정과, 상기 제 1 금속과는 상이한 모재로서의 제 2 금속을 포함하는 원료 가스와 환원 가스를 이용하여 제 2 금속으로 이루어지는 모재막(106)을 상기 합금종막보다 두껍게 형성하는 모재막 형성 공정을, 각각 1회 이상 교대로 행하도록 한다.
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公开(公告)号：KR1020070094959A
公开(公告)日：2007-09-27
申请号：KR1020077018342
申请日：2006-01-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C16/45542 , C23C16/06 , C23C16/45529 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975
Abstract: This invention provides a method for thin film laminate structure formation that has high adhesion to a substrate and thus can suppress film separation, can satisfactorily enhance a step coverage even in the case of enhanced fineness, and can realize satisfactory diffusion of alloying species elements. In this method, a plurality of thin films are deposited on a surface of an object within an evacuatable treatment vessel (4) to form a thin film laminate structure. In this case, an alloying species film formation step of forming a first metal alloy species film (104) using a starting material gas containing a first metal as an alloying species and a reducing gas and a base material film formation step of forming a second metal base material film (106), in a larger thickness than the thickness of the alloying species film, using a starting material gas containing a second metal as a base material different from the first metal, and a reducing gas, are alternately carried out once or more.
Abstract translation: 本发明提供了一种薄膜叠层结构形成方法，其具有对基材的高粘附性，因此可以抑制膜分离，即使在细度提高的情况下也能令人满意地提高台阶覆盖率，并且可以实现合金种类元素的令人满意的扩散。 在该方法中，在可抽出的处理容器（4）内的物体的表面上沉积多个薄膜，以形成薄膜叠层结构。 在这种情况下，使用含有作为合金种的第一金属的原料气体和还原气体形成第一金属合金种类膜（104）的合金化物质成膜工序和形成第二金属的基材成膜工序 使用含有第二金属作为不同于第一金属的基材的原料气体和还原气体，比厚度大于合金化膜的厚度的基材薄膜（106）交替进行一次，或者 更多。
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公开(公告)号：KR100731424B1
公开(公告)日：2007-06-21
申请号：KR1020050099672
申请日：2005-10-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 곤도 에이이치
IPC: H01L21/208
CPC classification number: H01L21/288 , C23C18/04 , C23C18/08 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76877 , Y10T428/12819 , Y10T428/12903
Abstract: 기판 상에 형성된 Cu 확산 방지막 상에 Cu막을 형성하는 성막 방법에 있어서, Cu 확산 방지막과 Cu막을 밀착시키기 위해 제공되는 밀착막을 Cu 확산 방지막 상에 형성하고, 초임계 상태의 매체에 전구체를 용해시킨 처리 매체를 기판으로 공급하여 밀착막 상에 Cu막을 형성한다.
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公开(公告)号：KR1020140099940A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：KR1020147018605
申请日：2012-11-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L51/05 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/0558 , H01L51/0002 , H01L51/0541
Abstract: 유기 트랜지스터의 제조 방법은, 기판(1)상에 베이스 절연층(3)을 적층 형성하는 공정과, 베이스 절연층(3)상에 소스·드레인 전극(5a, 5b)을 형성하는 공정과, 소스·드레인 전극(5a, 5b)을 덮고, 또한 베이스 절연층(3)에 접하도록 유기 반도체층(7)을 적층 형성하는 공정과, 유기 반도체층(7)상에, 게이트 절연층(9)을 적층 형성하는 공정과, 게이트 절연층(9)상에 게이트 전극(11)을 형성하는 공정과, 유기 반도체층(7)을 형성하기 전에, 베이스 절연층(3)의 유기 반도체층(7)에 접하는 면에 표면 처리를 행하는 공정을 구비하고 있다. 표면 처리는, 유기 반도체층(7)과 동일 재료를 이용하여 적층 형성한 2개의 층의 사이의 접착 일을 W1로 했을 때에, 유기 반도체층(7)을, 표면 처리한 베이스 절연층(3)상에 형성했을 경우의 베이스 절연층(3)과 유기 반도체층(7)의 사이의 접착 일 W2가, W1≥W2의 관계로 되도록 행해진다.
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公开(公告)号：KR1020100109966A
公开(公告)日：2010-10-11
申请号：KR1020107018727
申请日：2009-02-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/67207 , H01L21/02063 , H01L21/02068 , H01L21/67253 , H01L21/67742 , H01L21/76814 , H01L21/76831 , H01L21/76834 , H01L21/76843 , H01L21/76858 , H01L21/76861 , H01L21/76865 , H01L21/76873 , H01L21/76877 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은, 기판 표면에 형성된 층간 절연막에, 하층측 도전로에 전기적으로 접속되는 구리를 주성분으로 하는 상층측 도전로를 매립하기 위한 오목부를 형성하는 공정과, 망간의 유기 화합물을 함유하는 가스를 공급하여, 층간 절연막의 노출면을 덮도록, 상기 층간 절연막으로의 구리의 확산을 억제하기 위한 망간의 화합물로 이루어진 배리어층을 형성하는 공정과, 상기 배리어층을 형성한 후, 배리어층을 구성하는 망간의 화합물 중의 망간의 비율을 높이기 위해 그 배리어층에 유기산을 공급하는 공정과, 유기산 공급 공정후, 상기 배리어층의 표면에 구리를 주성분으로 하는 시드층을 형성하는 공정과, 시드층 형성 공정후, 배리어층의 표면 또는 층 속의 망간을 시드층의 표면에 석출시키기 위해 상기 기판을 가열 처리하는 공정과, 가열에 의해 시드층의 표면에 석출된 망간을 제거하기 위해 그 시드층에 세정액을 공급하는 공정과, 세정액 공급 공정후, 구리를 주성분으로 하는 상층측 도전로를 상기 오목부 내에 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.
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