公开(公告)号：KR101119046B1

公开(公告)日：2012-03-02

申请号：KR1020100001723

申请日：2010-01-08

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 권도현 ,  임충열 ,  노대현 ,  여종모 ,  윤주원 ,  이일정 ,  전송이 ,  유철호

IPC: H01L51/50 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/5215 ,  H01L27/3246 ,  H01L2227/323

Abstract: 본발명은유기전계발광표시장치및 그의제조방법에관한것으로서, 발광부및 비발광부를포함하는기판; 상기기판상에위치하는반도체층; 상기기판전면에걸쳐위치하는게이트절연막; 상기반도체층에대응되게위치하는게이트전극; 상기기판전면에걸쳐위치하는절연막; 상기절연막상에위치하며, 상기반도체층과전기적으로연결되는소스/드레인전극및 상기기판의발광부에위치하는제 1 전극; 상기제 1 전극의일부를개구시키는화소정의막; 상기화소정의막상에위치하며, 상기기판의비발광부에위치하는스페이서; 상기제 1 전극상에위치하는유기막층; 및상기기판전면에걸쳐위치하는제 2 전극을포함하며, 상기화소정의막은무기막이며, 상기스페이서는유기막인것을특징으로하는유기전계발광표시장치및 그의제조방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR101084232B1

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：KR1020090124724

申请日：2009-12-15

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 김병주 ,  안지수 ,  유철호 ,  김성철

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67184 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201

Abstract: 본 발명은 다수의 멀티 챔버를 포함하는 박막 트랜지스터 제조 장치에 관한 것으로, 별도의 공정 챔버 또는 멀티 챔버를 사용하지 않고 제 1 멀티 챔버에 의해 증착된 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로 결정화한 후, 전극을 형성하기 위한 제 2 멀티 챔버로 반입시킴으로써, 특성 편차를 최소화하고, 제조 공정 효율을 향상시킬 수 있는 박막 트랜지스터 제조 장치에 관한 것이다.
본 발명은 다수의 멀티 챔버를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 장치에 있어서, 기판 상에 비정질 실리콘의 증착을 위한 제 1 멀티 챔버; 상기 기판 상에 전극을 형성하기 위한 제 2 멀티 챔버; 및 상기 제 1 멀티 챔버와 제 2 멀티 챔버 사이에 위치하는 로딩/언로딩 챔버를 포함하며, 상기 로딩/언로딩 챔버는 내부의 하측에 위치하는 기판 홀더 및 내부의 상측에 위치하는 전원전압 인가부를 포함하는 박막 트랜지스터 제조 장치에 관한 것이다.
박막 트랜지스터 제조 장치, 로딩/언로딩 챔버

公开(公告)号：KR101023127B1

公开(公告)日：2011-03-24

申请号：KR1020080109045

申请日：2008-11-04

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 안지수 ,  김성철 ,  유철호

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/50

Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 그를 구비하는 유기전계발광표시장치에 관한 것으로, 화소부와 주변부를 포함하는 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하며, 화소부에 대응되는 반도체층; 상기 반도체층 상에 위치하는 게이트 절연막; 상기 반도체층과 절연되며, 상기 게이트 절연막 상에 위치하는 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극과 절연되며, 상기 반도체층과 콘택홀을 통하여 전기적으로 연결되는 소오스/드레인 전극을 포함하며, 상기 반도체층의 영역 중 콘택홀에 대응되는 영역은 불순물 도핑이 된 영역인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 그를 구비하는 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
결정화, 줄 열

公开(公告)号：KR1020110067933A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：KR1020090124724

申请日：2009-12-15

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 김병주 ,  안지수 ,  유철호 ,  김성철

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67184 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/683

Abstract: PURPOSE: A fabrication apparatus for a thin film transistor is provided to minimize characteristic deviation due to consecutive environment change by crystallizing deposited amorphous silicon into a poly-crystal silicon. CONSTITUTION: A first multiple chamber deposit amorphous silicon on a substrate. A second multiple chamber has an electrode on the substrate. A loading/unloading chamber(300) is interposed between the first multiple chamber and the second multiple chamber. A power voltage supply unit(320) is arranged on the substrate holder in the lower part and upper part of the loading/unloading chamber and A substrate holder(310) comprises a substrate support, a holder transfer unit, and a holder driving unit. The substrate is mounted in the substrate support. The holder driving unit controls the holder transfer unit.

Abstract translation: 目的：提供一种用于薄膜晶体管的制造装置，以通过将沉积的非晶硅结晶成多晶硅来最小化由于连续的环境变化引起的特性偏差。 构成：第一个多层沉积在基底上的非晶硅。 第二多腔室在衬底上具有电极。 装载/卸载室（300）介于第一多室和第二多室之间。 电源电压供应单元（320）设置在装载/卸载室的下部和上部的衬底保持器上，并且衬底保持器（310）包括衬底支撑件，保持器传送单元和保持器驱动单元。 基板安装在基板支撑件中。 支架驱动单元控制支架传送单元。

公开(公告)号：KR1020110067932A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：KR1020090124723

申请日：2009-12-15

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 김병주 ,  안지수 ,  유철호

IPC: H01L21/324 ,  H01L29/786 ,  G02F1/13

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/68 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/326

Abstract: PURPOSE: An amorphous silicon crystallization apparatus is provided to crystallize of amorphous silicon which is formed on a substrate of various sizes without changing facility by adjusting the distance between a first electrode and a second electrode. CONSTITUTION: In an amorphous silicon crystallization apparatus, a substrate holder(200) is arranged in the lower of a processing chamber. A power voltage supply unit(300) is arranged on the process chamber. The power voltage supply unit includes a first electrode and a second electrode of which polarity different from that of the first electrode. A controller controls the distance between the first electrode and the second electrode. A substrate holder includes a substrate support, a holder transfer unit, and a holder driving unit The holder transfer unit transfers the substrate support. The holder driving unit(230) controls the holder transfer unit.

Abstract translation: 目的：提供非晶硅结晶装置，以通过调节第一电极和第二电极之间的距离来改变形成在各种尺寸的基板上的非晶硅，而不改变设备。 构成：在非晶硅结晶装置中，衬底保持架（200）布置在处理室的下部。 电源电压单元（300）布置在处理室中。 电源电压单元包括与第一电极极性不同的第一电极和第二电极。 控制器控制第一电极和第二电极之间的距离。 衬底保持器包括衬底支撑件，保持器转移单元和保持器驱动单元。保持器转移单元传送衬底支撑件。 保持器驱动单元（230）控制保持器传送单元。

公开(公告)号：KR101002664B1

公开(公告)日：2010-12-21

申请号：KR1020080064000

申请日：2008-07-02

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 안지수 ,  황의훈 ,  유철호 ,  김광남 ,  김성철

IPC: H01L29/786 ,  H05B33/26 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/78675 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66757

Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 유기전계발광표시장치에 관한 것으로써, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하며 반도체층; 상기 반도체층 상에 위치하며 콘택홀 및 홀을 포함하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 게이트 전극을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 위치하는 층간절연막; 및 상기 층간절연막 상에 위치하며, 상기 게이트 전극과 절연되며, 상기 콘택홀을 통하여 상기 반도체층과 일부가 연결되는 소스/드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
또한, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하는 반도체층; 상기 반도체층 상에 위치하며, 콘택홀 및 홀을 포함하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 게이트 전극을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 위치하는 층간절연막; 상기 층간절연막 상에 위치하며, 상기 게이트 전극과 절연되고, 상기 콘택홀을 통하여 상기 반도체층과 일부가 연결되는 소스/드레인 전극; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 보호막; 및 상기 보호막 상에 위치하며, 상기 소스/드레인 전극과 전기적으로 연결되는 제 1 전극, 유기막층 및 제 2 전극을 포함하는 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
결정화, 줄 열(Joule heating)

Abstract translation: 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的有机发光显示器。 设置在衬底上的缓冲层; 位于缓冲层上的半导体层; 栅绝缘膜，位于半导体层上并包括接触孔和孔; 设置在栅极绝缘膜上的栅电极; 设置在包括栅电极的基板的整个表面上的层间绝缘膜; 以及位于层间绝缘膜上的源/漏电极及其制造方法，所述源电极/漏电极与栅电极绝缘并且部分地通过接触孔与半导体层连接。

公开(公告)号：KR100964227B1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：KR1020080041867

申请日：2008-05-06

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 권도현 ,  임충열 ,  노대현 ,  이일정 ,  유철호

IPC: H01L29/786 ,  H05B33/10 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L2227/323

Abstract: A thin film transistor (TFT) array arrangement, an organic light emitting display device that includes the TFT array arrangement and a method of making the TFT array arrangement and the organic light emitting display device. The method seeks to reduce the number of masks used in the making of the TFT array arrangement by employing half-tone masks that are followed by a two step etching process and by forming layers of the capacitor simultaneous with the formation of layers of the source, drain and pixel electrodes. As a result, individual layers of the capacitor are on the same level and are made of the same material as ones of the layers of the source, drain and pixel electrodes. The capacitor has three electrodes spaced apart by two separate dielectric layers to result in an increased capacity capacitor without increasing the size of the capacitor.

公开(公告)号：KR100948852B1

公开(公告)日：2010-03-22

申请号：KR1020030016011

申请日：2003-03-14

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사 ,  주식회사 판타지오

Inventor： 이상웅 ,  유철호 ,  김훈

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명에 따르면, 박막 증착장치가 개시된다. 상기 박막 증착장치는, 반응챔버의 내부에 설치되고 박막이 증착될 기판이 안착되는 서셉터와; 이 서셉터를 가열하는 히터를 구비하는 것으로서, 상기 히터로부터 서셉터의 적어도 일부분에 비접촉으로 열을 전달시키는 비접촉 열전달수단을 더 구비하고, 상기 비접촉 열전달 수단은, 상기 서셉터와 상기 히터의 대향면 사이에 형성된 유동홈과, 상기 유동홈 내를 유동하는 열전달 매질과, 상기 유동홈에 열전달 매질을 공급하는 매질공급수단을 포함하며, 상기 매질공급수단은 상기 열전달 매질을 상기 유동홈에 공급하기 전에 가열하는 가열수단을 더 구비한다. 개시된 박막 증착장치에 의하면, 히터에서 서셉터로 비접촉 방식에 의해 열을 전달시키기 때문에 서셉터의 온도 불균형을 해소하여 박막의 증착 균일도를 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR101155903B1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：KR1020100020998

申请日：2010-03-09

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 윤주원 ,  이일정 ,  임충열 ,  김영대 ,  여종모 ,  권도현 ,  유철호

IPC: H01L51/50 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3248 ,  H01L51/5218 ,  H01L2227/323

Abstract: 본 발명은 전극 구조를 개선한 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 기판과, 박막 트랜지스터와, 화소 전극을 포함한다. 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성되며, 반도체층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다. 화소 전극은, 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결되며, 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 층에 형성된다. 이때, 소스 전극 및 드레인 전극은 제1 도전층을 포함하고, 화소 전극은 제1 도전층 및 이에 적층되는 제2 도전층을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020110081522A

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：KR1020100001723

申请日：2010-01-08

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 권도현 ,  임충열 ,  노대현 ,  여종모 ,  윤주원 ,  이일정 ,  전송이 ,  유철호

IPC: H01L51/50 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/5215 ,  H01L27/3246 ,  H01L2227/323 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L2251/301

Abstract: PURPOSE: An organic light emitting display device and a fabricating method of the same are provided to increase production yield while reducing production costs by forming a pixel definition film with an inorganic film and forming a spacer and the pixel definition film at the same time. CONSTITUTION: In a organic light emitting display device and a fabricating method of the same, a substrate(200) comprises a lighting-emitting area and a non-lighting area. A semiconductor layer is located on the substrate. A gate insulating layer(230) is arranged over the substrate. A gate electrode(220) corresponds to the semiconductor layer. An insulating layer is arranged over the substrate. The source and the drain electrode are located on the insulating layer and is electrically connected to the semiconductor layer. The first electrode is arranged on the lighting-emitting area of the substrate. A pixel definition layer opens a part of the first electrode. A spacer is located on the pixel definition layer and is arranged on the non-lighting area. The pixel definition layer is an inorganic film and the spacer is an organic film.

Abstract translation: 目的：提供一种有机发光显示装置及其制造方法，以通过用无机膜形成像素定义膜并同时形成间隔物和像素定义膜来降低生产成本，同时降低生产成本。 构成：在有机发光显示装置及其制造方法中，基板（200）包括发光区域和非照明区域。 半导体层位于衬底上。 栅极绝缘层（230）布置在衬底上。 栅电极（220）对应于半导体层。 绝缘层布置在衬底上。 源极和漏极位于绝缘层上并与半导体层电连接。 第一电极布置在基板的发光区域上。 像素定义层打开第一电极的一部分。 间隔物位于像素定义层上并且布置在非照明区域上。 像素定义层是无机膜，间隔物是有机膜。