公开(公告)号：KR101126142B1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：KR1020100030814

申请日：2010-04-05

Applicant: 주식회사 이그잭스 ,  삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 홍성재 ,  최재록 ,  신정한 ,  김영대 ,  김종윤 ,  여종모

IPC: G03F7/004

Abstract: 본 발명은 폴리이미드 전구체 함유 감광성 수지 조성물에 관한 것으로, 방향족 디안하이드라이드으로부터 유도된 2 종류 이상의 잔기와 유기 디아민으로부터 유도된 2 종류 이상의 잔기로 이루어지고 R1과 R2 중 적어도 하나가 에폭시 아크릴레이트로 치환된 잔기가 전체 디안하이드라이드으로부터 유도된 잔기의 2 내지 50%이고 R3과 R4 중 적어도 하나가 우레탄 아크릴레이트로 치환된 잔기가 전체 유기 디아민으로부터 유도된 잔기의 2 내지 50%이고 중량평균분자량(Mw)이 2,000 ~ 200,000인 폴리이미드 전구체 10~40중량%; 디아조 나프토퀴논 감광제 10~30중량%; 및 용매 잔량을 포함하는 폴리이미드 전구체 함유 감광성 수지 조성물본 발명에 따르면, 내열성특성과 탄성복원력이 우수하고, 계면에 대한 접착력과 알카리 수용액에 대한 노광부 및 비노광부의 용해도를 조절하여 비노광부의 막 감소가 적고, 광조사 100mJ/cm
2 이하에서 단시간에 고해상도 구현이 가능한 폴리이미드 전구체 함유 고감도 감광성 수지 조성물을 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR101015849B1

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：KR1020090018201

申请日：2009-03-03

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박병건 ,  양태훈 ,  서진욱 ,  이기용 ,  리사첸코,막심 ,  최보경 ,  이대우 ,  이길원 ,  이동현 ,  박종력 ,  안지수 ,  김영대 ,  나흥열 ,  정민재 ,  정윤모 ,  홍종원 ,  강유진 ,  장석락 ,  정재완 ,  윤상연

IPC: H01L29/786 ,  H05B33/02

CPC classification number: H01L29/6675 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 그를 구비하는 유기전계발광표시장치에 관한 것으로, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 상기 버퍼층 상에 위치하는 반도체층; 상기 반도체층과 절연되는 게이트 전극; 상기 반도체층과 상기 게이트 전극을 절연시키는 게이트 절연막; 및 상기 상기 게이트 전극과 절연되며, 상기 반도체층과 일부가 연결되는 소오스/드레인 전극을 포함하며, 상기 반도체층은 하나 또는 다수개의 홈부를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
또한, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 상기 버퍼층 상에 위치하는 반도체층; 상기 반도체층과 절연되는 게이트 전극; 상기 반도체층과 상기 게이트 전극을 절연시키는 게이트 절연막; 상기 상기 게이트 전극과 절연되며, 상기 반도체층과 일부가 연결되는 소오스/드레인 전극; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 절연막; 및 상기 절연막 상에 상기 소오스/드레인과 전기적으로 연결되는 제 1 전극, 유기막층 및 제 2 전극을 포함하며, 상기 반도체층은 하나 또는 다수개의 홈부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
다결정 실리콘, 게터링, 박막트랜지스터

公开(公告)号：KR101001550B1

公开(公告)日：2010-12-17

申请号：KR1020080050465

申请日：2008-05-29

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 최종현 ,  김영대

IPC: H01L29/786

Abstract: 본 발명은 평판 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치, 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 기판 상에 형성된 반도체층; 상기 반도체층의 채널 영역 상에 형성된 게이트 전극; 상기 반도체층과 게이트 전극 사이에 게재된 게이트 절연막; 상기 게이트 전극 상에 형성된 층간 절연막; 상기 층간 절연막, 상기 게이트 절연막 및 상기 반도체층을 관통하는 게터링 홀(gettering hole); 및 상기 게터링 홀을 통하여 상기 반도체층과 접속하는 소스 및 드레인 전극;을 포함하는 평판 표시 장치 박막 트랜지스터를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020090124328A

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：KR1020080050465

申请日：2008-05-29

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 최종현 ,  김영대

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/3226 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78618

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor for flat panel display device, organic light emitting display device comprising the same, and manufacturing thereof are provided to use the gettering hole as the contact hole. CONSTITUTION: The semiconductor layer(10) is formed in the top of the substrate. The gate electrode(22') is formed on the channel region of the above semiconductor layer. The gate insulating layer(14) is formed between the semiconductor layer and gate electrode. The inter-layer insulating film(15) is formed on the gate electrode. The gettering hole passes through the inter-layer insulating film, and the gate insulating layer and the semiconductor layer. The source electrode(24'a) and drain electrode(24'c) connect through the gettering hole with the semiconductor layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于平板显示装置的薄膜晶体管，包括该薄膜晶体管的有机发光显示装置及其制造，以使用吸气孔作为接触孔。 构成：半导体层（10）形成在基板的顶部。 栅电极（22'）形成在上述半导体层的沟道区上。 栅极绝缘层（14）形成在半导体层和栅电极之间。 层间绝缘膜（15）形成在栅电极上。 吸气孔穿过层间绝缘膜，栅极绝缘层和半导体层。 源电极（24'a）和漏电极（24'c）通过吸气孔与半导体层连接。

公开(公告)号：KR101155905B1

公开(公告)日：2012-07-03

申请号：KR1020090018490

申请日：2009-03-04

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 나흥열 ,  이기용 ,  정민재 ,  홍종원 ,  정윤모 ,  강유진 ,  장석락 ,  서진욱 ,  안지수 ,  양태훈 ,  김영대 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  정재완 ,  박종력 ,  최보경 ,  윤상현

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/042 ,  C30B25/165 ,  C30B35/00

Abstract: 본 발명은 원자층 증착 장비 및 이를 이용한 원자층 증착 방법에 관한 것으로, 원자층 증착 공정 시 기판이 챔버의 내부 온도에 의해 기판이 변형되는 것을 방지하며, 상기 기판 상에 균일하게 원자층을 형성할 수 있는 원자층 증착 장비 및 이를 이용한 원자층 증착 방법에 관한 것이다.
본 발명은 챔버; 상기 챔버의 내부 압력을 제어하기 위한 진공 펌프; 상기 진공 펌프와 대향되도록 위치하며, 상기 챔버 내부로 반응 가스를 공급하기 위한 가스 공급 수단; 상기 진공 펌프와 가스 공급 수단 사이에 위치하며, 가열 수단이 내장된 기판 홀더; 상기 기판 홀더와 가스 공급 수단 사이에 위치하며, 가장 자리에 냉각액이 이동하기 위한 냉각 통로가 내장된 마스크 조립체; 및 상기 마스크 조립체의 냉각 통로에 냉각액을 공급하기 위한 냉각원을 포함하는 원자층 증착 장비에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 가열 수단이 내장된 기판 홀더에 기판을 안착하고, 상기 기판과 제 1 거리만큼 이격되도록 냉각 통로가 내장된 마스크 조립체를 위치시키고, 상기 마스크 조립체의 냉각 통로에 냉각액을 공급하고, 상기 기판 홀더의 가열 수단을 이용하여 상기 기판을 가열하고, 진공 펌프를 이용하여 챔버 내부를 일정 압력으로 제어하고, 가스 공급 수단을 통해 제 1 반응 가스 및 제 2 반응 가스를 순차 공급하는 것을 포함하는 원자층 증착 방법에 관한 것이다.
원자층 증착 장비, 마스크 조립체

公开(公告)号：KR1020110101759A

公开(公告)日：2011-09-16

申请号：KR1020100020998

申请日：2010-03-09

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 윤주원 ,  이일정 ,  임충열 ,  김영대 ,  여종모 ,  권도현 ,  유철호

IPC: H01L51/50 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3248 ,  H01L51/5218 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/10

Abstract: An organic light emitting diode (OLED) display that includes a substrate, a thin film transistor, and a pixel electrode. The thin film transistor is formed on the substrate and includes a semiconductor layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode. The pixel electrode is electrically connected to the thin film transistor and is formed on the same layer as the source electrode and the drain electrode. The source electrode and the drain electrode include a first conductive layer, and the pixel electrode includes a first conductive layer and a second conductive layer stacked thereon.

Abstract translation: 一种有机发光二极管（OLED）显示器，其包括基板，薄膜晶体管和像素电极。 薄膜晶体管形成在基板上并且包括半导体层，栅电极，源电极和漏电极。 像素电极电连接到薄膜晶体管并且形成在与源电极和漏电极相同的层上。 源电极和漏电极包括第一导电层，并且像素电极包括堆叠在其上的第一导电层和第二导电层。

公开(公告)号：KR101049801B1

公开(公告)日：2011-07-15

申请号：KR1020090018927

申请日：2009-03-05

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정윤모 ,  이기용 ,  정민재 ,  서진욱 ,  홍종원 ,  나흥열 ,  강유진 ,  장석락 ,  양태훈 ,  안지수 ,  김영대 ,  박병건 ,  이길원 ,  이동현 ,  윤상연 ,  박종력 ,  최보경 ,  리사첸코,막심

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/263

CPC classification number: H01L21/02532 ,  C23C14/04 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02672

Abstract: 본 발명은 다결정 실리콘층의 제조방법 및 이에 이용되는 원자층 증착 장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판 상에 비정질 실리콘층을 형성하고, 상기 비정질 실리콘층이 형성된 상기 기판을 친수성 가스 또는 소수성 가스 분위기에 위치시키고, 상기 비정질 실리콘층 상에 개구부 및 폐쇄부를 구비하는 마스크를 위치시키고, 상기 마스크를 통하여 UV 램프를 상기 비정질 실리콘층 상에 조사하고, 상기 비정질 실리콘층 상에 결정화 유도 금속을 형성하고, 상기 기판을 열처리하여 상기 비정질 실리콘층을 다결정 실리콘층으로 결정화하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법 및 이에 이용되는 원자층 증착 장치를 제공한다.
결정화, 친수성, 소수성

Abstract translation: 本发明涉及制造多晶硅层的方法和为此使用的原子层沉积设备。

公开(公告)号：KR1020110052213A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：KR1020090109161

申请日：2009-11-12

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 권도현 ,  이일정 ,  임충열 ,  김영대 ,  여종모 ,  윤주원 ,  유철호

IPC: H01L51/52 ,  H05B33/14 ,  G02B5/20

CPC classification number: H01L27/322 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3258 ,  H01L2227/323 ,  H01L27/3265 ,  H05B3/14

Abstract: PURPOSE: A display device is provided to use a red color filter layer as an interlayer insulating film to electrically insulate a gate electrode and source/drain electrodes, thereby removing a separate process for forming a color filter layer. CONSTITUTION: A substrate(200) comprises a red sub pixel area, a green sub pixel area, and a blue sub pixel area. A buffer layer(210) is formed on the substrate. A gate insulating film(230) is formed on the entire substrate including a poly silicon pattern. A semiconductor layer includes source/drain areas(220a,220c) and a channel area(220b). The semiconductor layer is formed on a transistor area of each sub pixel area. A first capacitor electrode(220d) is formed on a capacitor area of each sub pixel area.

Abstract translation: 目的：提供一种使用红色滤色器层作为层间绝缘膜的显示装置，以使栅电极和源/漏电极电绝缘，由此去除用于形成滤色器层的单独处理。 构成：衬底（200）包括红色子像素区域，绿色子像素区域和蓝色子像素区域。 在衬底上形成缓冲层（210）。 在包括多晶硅图案的整个基板上形成栅绝缘膜（230）。 半导体层包括源/漏区（220a，220c）和沟道区（220b）。 半导体层形成在每个子像素区域的晶体管区域上。 在每个子像素区域的电容器区域上形成第一电容器电极（220d）。

公开(公告)号：KR100987381B1

公开(公告)日：2010-10-12

申请号：KR1020080069303

申请日：2008-07-16

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 김영대 ,  김경보 ,  김무진 ,  김철수 ,  김혜동 ,  임기주 ,  박용성 ,  김건식 ,  오준식 ,  장형욱 ,  김상욱

IPC: H05B33/04 ,  H01L31/10 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/3244 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/0421 ,  H01L27/3227 ,  H01L27/323

Abstract: 본 발명은 유기 발광 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 터치 패널 기능을 가진 유기 발광 디스플레이 장치에 있어서 포토 센서의 수광 효율이 향상된 유기 발광 디스플레이 장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판; 상기 기판상에 배치되는 디스플레이부; 상기 디스플레이부 상부에 배치되는 봉지 기판; 상기 기판의 적어도 어느 일 측에 형성되는 반사층; 및 상기 반사층과 상기 봉지 기판 사이에 개재되고, 상기 봉지 기판을 통해 입사되는 빛을 검출하는 포토 센서를 포함하는 유기 발광 디스플레이 장치를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020100100186A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：KR1020090018927

申请日：2009-03-05

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정윤모 ,  이기용 ,  정민재 ,  서진욱 ,  홍종원 ,  나흥열 ,  강유진 ,  장석락 ,  양태훈 ,  안지수 ,  김영대 ,  박병건 ,  이길원 ,  이동현 ,  윤상연 ,  박종력 ,  최보경 ,  리사첸코,막심

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/263

CPC classification number: H01L21/02532 ,  C23C14/04 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02672

Abstract: PURPOSE: A fabrication method of polycrystalline silicon and an atomic deposition apparatus thereof are provided to control the formation position of a seed and the size of grain by forming the crystallization guiding metal at a predetermined position and uniform concentration. CONSTITUTION: A buffer layer(110) is formed on a substrate(100). An amorphous silicon layer(120) is formed on the buffer layer. A mask(130) equipped with the opening and closing is located on the amorphous silicon layer. A UV lamp(140) is positioned on the mask. The crystallization induction metal is formed on the amorphous silicon layer.

Abstract translation: 目的：提供多晶硅的制造方法及其原子沉积装置，以通过在预定位置形成均匀浓度来控制晶种的形成位置和晶粒尺寸。 构成：在衬底（100）上形成缓冲层（110）。 在缓冲层上形成非晶硅层（120）。 配置有开闭的掩模（130）位于非晶硅层上。 UV灯（140）位于掩模上。 在非晶硅层上形成结晶感应金属。