-
公开(公告)号：KR1020080009970A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：KR1020060069827
申请日：2006-07-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: A photoresist developer is provided to reduce a process time, improve a production efficiency, and thus enhance productivity of a semiconductor production process. A photoresist developer includes 0.50-2.38wt% of a hydrogen-bonding compound, 0.01-5.00wt% of a surfactant, and the balance of an aqueous alkaline solution. The hydrogen-bonding compound comprises 4-(3-aminopropyl)morpholine represented by the following formula. A method for forming a photoresist pattern includes the steps of: selectively exposing a photoresist layer formed on a semiconductor substrate to a light; and developing the exposed photoresist layer using the photoresist developer.
Abstract translation: 提供光致抗蚀剂显影剂以减少处理时间，提高生产效率，从而提高半导体生产过程的生产率。 光致抗蚀剂显影剂包括0.50-2.38重量％的氢键合化合物，0.01-5.00重量％的表面活性剂，余量为碱性水溶液。 氢键化合物包含由下式表示的4-（3-氨基丙基）吗啉。 形成光致抗蚀剂图案的方法包括以下步骤：将形成在半导体衬底上的光致抗蚀剂层选择性地暴露于光; 以及使用光致抗蚀剂显影剂显影曝光的光致抗蚀剂层。
-
公开(公告)号：KR1020060083479A
公开(公告)日：2006-07-21
申请号：KR1020050004194
申请日：2005-01-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/027
CPC classification number: G03F7/0397 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , Y10S430/106 , Y10S430/111 , Y10S430/115
Abstract: 감광성 수지, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 제조 방법에서, 감광성 수지는, 산에 의해 반응하기 쉬운 불안정성 단위인 블록킹 그룹을 포함하고, 6000 내지 8000의 중량 평균 분자량을 가지며, 블록킹 비율이 5 내지 40%이다. 상기 감광성 수지를 사용함으로서, 반응성 결함이 감소된 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
Abstract translation: 在感光性树脂，在制造光致抗蚀剂组合物和使用相同的包含相同，光敏树脂的光致抗蚀剂图案，的方法包括那些阻断基团容易不稳定单元与酸反应，并且具有6000的重均分子量为8000，阻挡 比例是5至40％。 通过使用该光敏树脂，可以形成具有降低的反应性缺陷的光刻胶图案。
-
公开(公告)号：KR1020050113792A
公开(公告)日：2005-12-05
申请号：KR1020040038900
申请日：2004-05-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/027
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0395
Abstract: 포토레지스트 패턴의 현상 결함을 방지할 수 있는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것으로서, 상기 조성물은 70 내지 130의 분자량을 갖는 차단 그룹을 포함하는 감광성 수지 2 내지 10중량%, 광산 발생제 0.1 내지 0.5중량% 및 여분의 용매를 포함한다. 상술한 조성을 갖는 포토레지스트 조성물은 수직 프로파일을 갖고, 베이킹 공정시 온도에 민감하지 않으며, 저면에 푸팅이 발생하지 않는 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR100620437B1
公开(公告)日：2006-09-11
申请号：KR1020050004194
申请日：2005-01-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/027
CPC classification number: G03F7/0397 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , Y10S430/106 , Y10S430/111 , Y10S430/115
Abstract: 감광성 수지, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 제조 방법에서, 감광성 수지는, 산에 의해 반응하기 쉬운 불안정성 단위인 블록킹 그룹을 포함하고, 6000 내지 8000의 중량 평균 분자량을 가지며, 블록킹 비율이 5 내지 40%이다. 상기 감광성 수지를 사용함으로서, 반응성 결함이 감소된 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020050113788A
公开(公告)日：2005-12-05
申请号：KR1020040038896
申请日：2004-05-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/004
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0392 , Y10S430/115 , Y10S430/122 , G03F7/091
Abstract: 포토레지스트 패턴의 현상 결함을 방지할 수 있는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것으로서, 상기 조성물은 패터닝을 위한 목적물 상에 도포되고, 모노페닐술포늄염, 트리페닐술포늄염 또는 이들의 혼합물을 포함하는 광산 발생제 0.1 내지 0.5중량%, 폴리머 수지 2 내지 10중량% 및 여분의 용매를 포함한다. 상술한 조성을 갖는 포토레지스트 조성물은 수직 프로파일을 갖고, 저면에 푸팅 현상이 발생하지 않으며, 상부의 손실이 없는 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：KR100886219B1
公开(公告)日：2009-02-27
申请号：KR1020070055456
申请日：2007-06-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0337
Abstract: 자기정렬된 이중 패터닝을 채택하는 미세 패턴 형성 방법이 제공된다. 상기 미세 패턴 형성 방법은 기판을 제공하는 것을 구비한다. 상기 기판 상에 제1 마스크 패턴들을 형성한다. 상기 제1 마스크 패턴들을 갖는 기판 상에 반응막을 형성한다. 화학적 부착 공정(chemical attachment process)에 의해 상기 제1 마스트 패턴들에 인접한 상기 반응막을 반응시키어 상기 제1 마스크 패턴들의 외벽들을 따라 상기 희생막들을 형성한다. 미반응된 상기 반응막을 제거하여 상기 희생막들을 노출시킨다. 상기 제1 마스크 패턴들의 마주보는 측벽들과 인접한 상기 희생막들 사이에 제2 마스트 패턴들을 형성한다. 상기 희생막들을 제거하여 상기 제1 및 제 2 마스크 패턴들과 아울러서 이들 사이의 상기 기판을 노출시킨다. 상기 제1 및 제2 마스크 패턴들을 식각 마스크로 사용하여 상기 기판을 식각한다.
미세 패턴, 희생막, 화학적 부착 공정-
公开(公告)号：KR1020090005521A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：KR1020070068625
申请日：2007-07-09
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: A siloxane polymer composition is provided to ensure excellent blocking property of opening, and excellent solubility to the teramethyl ammoniom hydroxide solution. A siloxane polymer composition having a structure indicated as the chemical formula 1, comprises siloxane polymer introduced with a carboxylic acid 2-7 weight% and organic solvent 93-98 weight%. In the chemical formula 1, R1, R2, R3 and R4 are independently H, OH, CH3, C2H5, C3H7, C4H9 or C5H11; R' is CH2, C2H4, C3H6, C4H8, C5H10 or C6H10; and n is a positive number satisfying the number average molecular weight of 4000-5000.
Abstract translation: 提供硅氧烷聚合物组合物以确保优异的开口封闭性，以及对三甲基氢氧化铵溶液的优异溶解性。 具有化学式1所示结构的硅氧烷聚合物组合物包含引入2-7重量％羧酸的硅氧烷聚合物和93-98重量％的有机溶剂。 在化学式1中，R 1，R 2，R 3和R 4独立地为H，OH，CH 3，C 2 H 5，C 3 H 7，C 4 H 9或C 5 H 11; R'是CH 2，C 2 H 4，C 3 H 6，C 4 H 8，C 5 H 10或C 6 H 10; n为满足数均分子量为4000〜5000的正数。
-
公开(公告)号：KR1020080107557A
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：KR1020070055456
申请日：2007-06-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0337 , H01L21/02282 , H01L21/308
Abstract: A fine pattern forming method for adopting the self-aligned double patterning is provided to reduce the pitch size less than the limit resolution of the photo lithography process by forming the second mask pattern between the sacrificing layers along the exterior wall of the first mask patterns. A fine pattern forming method comprises the following processes. The substrate(100) is provided. A first mask pattern(110) is formed on the top of the substrate. A reaction film(120) is formed on the top of the substrate having the first mask patterns. A sacrificing layer(120a) is formed along the exterior walls of the first mask patterns by reacting the reaction film adjacent to first mast patterns according to the chemical attachment process. The sacrificing film is exposed by removing the reaction film which is not reacted. The second mask patterns are formed between the sacrificing layers which are adjacent to the side walls facing the first mask patterns. The first and second mask patterns are exposed by removing the sacrificing layers. The substrate is etched by using the first and second mask patterns as the etching mask.
Abstract translation: 提供了采用自对准双重图案化的精细图案形成方法，通过沿着第一掩模图案的外壁在牺牲层之间形成第二掩模图案，以减小小于光刻工艺的极限分辨率的间距尺寸。 精细图案形成方法包括以下处理。 提供基板（100）。 第一掩模图案（110）形成在基板的顶部。 在具有第一掩模图案的基板的顶部上形成反应膜（120）。 通过根据化学附着过程使与第一桅杆图案相邻的反应膜反应，沿着第一掩模图案的外壁形成牺牲层（120a）。 通过除去未反应的反应膜来暴露牺牲膜。 在与面向第一掩模图案的侧壁相邻的牺牲层之间形成第二掩模图案。 通过去除牺牲层来暴露第一和第二掩模图案。 通过使用第一和第二掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻衬底。
-
公开(公告)号：KR100763553B1
公开(公告)日：2007-10-04
申请号：KR1020060113067
申请日：2006-11-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027 , H01L21/66
CPC classification number: G01N21/3563 , G01N21/8422 , H01L22/00
Abstract: An apparatus and method for analyzing photoresist is provided to select a proper irradiate light acceding to photoresist samples and to analyze properties of the photoresist in real time. A light of a wavelength that reacts to a sample is selected according to a kind of the sample(S100). The selected light is irradiated on the sample to exposure the sample to the light. Component changes and properties of the sample are analyzed while the light is irradiated. The light is any one of laser light of ultraviolet region and X-rays of X-ray region. If the laser light is selected, a laser source gas for exposing a photoresist is selected, and the laser light is generated by using the selected laser source gas.
Abstract translation: 提供了用于分析光致抗蚀剂的装置和方法，以选择适合于光致抗蚀剂样品的照射光并实时分析光刻胶的性质。 根据样品的种类选择与样品反应的波长的光（S100）。 所选择的光照射在样品上以将样品曝光。 在照射光时分析样品的组分变化和性质。 该光是紫外线区域的激光和X射线区域的X射线中的任一种。 如果选择激光，则选择用于曝光光致抗蚀剂的激光源气体，并且通过使用所选择的激光源气体产生激光。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.025 seconds)
