公开(公告)号：WO2014168345A1

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：PCT/KR2014/002050

申请日：2014-03-12

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 홍국선 ,  정현석 ,  이찬우 ,  이석근 ,  정경재 ,  김동회 ,  송희조 ,  노준홍 ,  김동욱 ,  최수석 ,  황용석 ,  박재영

IPC: C01G23/04 ,  B01J19/12 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: B01J19/088 ,  B01J2219/0877 ,  C01G23/047 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/64

Abstract: 간단하면서 지속적인 합성이 가능한 티타늄 산화물 나노 구조 제조 방법 및 장치를 제공한다. 본 발명에 따른 티타늄 산화물 나노 구조 제조 방법에서는 반응 챔버 내부에 티타늄 함유 전구체 용액을 투입한 후, 펄스 방식의 전원을 인가하여 플라즈마 아크 방전을 일으켜 티타늄 산화물 나노 구조를 생성한다. 본 발명에 따르면, 나노 구조를 구성하는 조성으로 전극을 구성할 필요가 없고 추가의 기체 공급이 필요 없으므로 기존의 방법에 비하여 간단하고, 용이하며, 공정 비용의 절감뿐만 아니라 대량 생산이 가능하다.

Abstract translation: 提供一种直接制造氧化钛纳米结构的方法和装置，同时允许持续的合成。 在根据本发明的氧化钛纳米结构体的制造方法中，通过将钛含量前体溶液引入反应室，然后施加脉冲型电源，使等离子体电弧 卸货。 根据本发明，不需要由构成纳米结构的组合物构成电极，不需要任何额外的气体供给，因此与现有的方法相比，本发明是直接，简单且节省的 加工成本，另外允许批量生产。

公开(公告)号：WO2009096709A2

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：PCT/KR2009/000426

申请日：2009-01-29

Applicant: 서울대학교산학협력단 ,  홍국선 ,  유현승 ,  이정섭 ,  김동욱 ,  조인선 ,  배신태 ,  정현석

Inventor： 홍국선 ,  유현승 ,  이정섭 ,  김동욱 ,  조인선 ,  배신태 ,  정현석

IPC: A61L27/46

CPC classification number: A61L27/46 ,  A61L24/0084 ,  A61L2430/02

Abstract: 본 발명은 음이온이 치환된 골 시멘트에 관한 것으로, 칼슘소스와 인산염소스로서 각각 적어도 1종의 화합물을 포함하는 건식성분, 가용성 인산염과 유화제를 물에 용해하여 얻은 경화액, 및 상기 건식성분과 경화액 중 적어도 한쪽에 더 첨가되는 음이온을 포함하는 음이온이 포함된 골 시멘트를 제공한다. 이에 따라, 주사기에 넣어서 사용할 수 있는 골 시멘트의 가장 기초적인 특성인 세팅 시간과 인젝션 시간을 동시에 쉽게 조절하여 수술 시 사용자들이 충분한 시술 시간을 가질 수 있도록 해준다.

Abstract translation:

固化通过阴离子得到的本发明溶解在包含至少一种化合物，可溶性磷酸盐和乳化剂如于，钙源和取代的水泥在水中的磷酸盐源的每个干组分 并且将含有阴离子的阴离子进一步添加到干组分和固化溶液中的至少一种中。 以这种方式，在同一时间容易控制的设定时间，可在运行它使用户能够具有足够的运行时间期间被放置在注射器骨水泥的最基本属性的喷射时间。

公开(公告)号：WO2010093130A3

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：PCT/KR2010/000410

申请日：2010-01-22

Applicant: 서울대학교산학협력단 ,  노준홍 ,  김동욱 ,  안재설 ,  장해린 ,  김동회 ,  홍국선 ,  진동규

Inventor： 노준홍 ,  김동욱 ,  안재설 ,  장해린 ,  김동회 ,  홍국선 ,  진동규

IPC: A61L27/32 ,  A61L27/06 ,  A61F2/28

Abstract: 본 발명은 생체 비활성 재료의 표면 개질방법에 관한 것으로, 생체 비활성 재료로 이루어지는 모재를 준비하는 단계; 및 고압의 캐리어 가스를 이용하여 생체활성 분말을 분사노즐을 통해 상기 생체 비활성 모재에 분사하여 상기 모재 상에 생체 활성층을 형성하는 단계를 포함하는 생체 비활성 재료의 표면 개질방법이 제공된다. 본 발명에 따르면 저온 분사 방식으로 다양한 피코팅체에 적용함으로서 코팅체와 피코팅체의 장점을 모두 갖는 새로운 생체재료를 저가로 대량 생산이 가능하다.

公开(公告)号：WO2015016399A1

公开(公告)日：2015-02-05

申请号：PCT/KR2013/006811

申请日：2013-07-30

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 홍국선 ,  신성식 ,  석재호 ,  김동회 ,  김주성 ,  박익재 ,  이찬우 ,  성원모 ,  조인선 ,  김동욱

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01G9/2027 ,  H01G9/2059 ,  Y02E10/542

Abstract: Ba-Sn-O 기반의 신규한 다성분계 산화물 반도체막을 구비한 광전극이 개시된다. 본 발명은 도전성 투명 기판; 및 상기 기판 상에 형성되는 다성분계 산화물 반도체막을 포함하는 염료감응 태양전지용 광전극을 제공한다. 상기 반도체막의 조성은 BaSnO 3 : M (여기서, M은 BaSnO 3 에 도핑되며, Sr, Ca, Mg, Zn, Pb, Ti, Mn, Sb, K, In, Zr, Te, Fe, Y, Sm, Sc, Co, La 및 Rh로 이루어진 금속 원소 중 최소한 1종의 금속)으로 표현될 수 있다. 본 발명에 따르면, BaSnO 3 반도체 산화막의 광전 에너지 변환 효율을 향상시켜 고효율의 태양전지 셀의 제조를 가능하게 하는 광전극을 제공할 수 있게 된다.

Abstract translation: 公开了一种包括新型Ba-Sn-O基多组分氧化物半导体膜的光电极。 本发明提供了一种染料敏化太阳能电池光电极，包括：导电透明基板; 以及在该基板上形成的多成分氧化物半导体膜。 半导体膜的组成可以由BaSnO 3：M表示（这里，M是在BaSnO 3中掺杂的金属，并且包含选自Sr，Ca，Mg，Zn，Pb，Ti，Mn，Sb，K， In，Zr，Te，Fe，Y，Sm，Sc，Co，La和Rh）。 根据本发明，可以提供通过提高BaSnO 3半导体氧化膜的光电能转换效率来制造高效太阳能电池的光电极。

公开(公告)号：WO2010120003A1

公开(公告)日：2010-10-21

申请号：PCT/KR2009/001956

申请日：2009-04-16

Applicant: 서울대학교산학협력단 ,  홍국선 ,  정현석 ,  유현승 ,  김백일 ,  권호근 ,  이수영

Inventor： 홍국선 ,  정현석 ,  유현승 ,  김백일 ,  권호근 ,  이수영

IPC: A61K8/19 ,  A61Q11/00 ,  A61K8/25

CPC classification number: A61Q11/00 ,  A61K8/24 ,  A61K8/25 ,  A61K2800/413

Abstract: 본 발명은 지각과민성 치아(시린이) 환자들에게 시린이 완화 효과가 있는 나노크기의 탄산아파타이트를 함유한 치약 조성물에 관한 것으로, 실리카와 1㎚∼500㎚의 평균입경을 갖는 탄산아파타이트를 1:0.5 내지 20의 중량비로 배합한 조성물을 유효성분으로 함유하는 치아의 지각과민 완화용 치약 조성물을 제공한다. 본 발명에 따르면, 실리카 연마제와 적정 배합비율로 혼합된 나노 탄산아파타이트는 노출된 상아세관을 다시 밀봉하는 차아 표면 코팅효과가 있고 치아를 구성하는 미네랄 성분과 물리, 화학적으로 동일하기 때문에 안전성이 높고 칫솔질만으로 치아 표면에 코팅층을 형성하기 때문에 치아 법랑질이 손상된 사람에게도 유용하게 적용이 가능하다.

Abstract translation: 本发明涉及含有纳米级碳酸盐磷灰石颗粒的牙膏组合物，其减轻患有过敏性牙齿的患者的疼痛（感冒温度敏感性），并提供含有通过混合二氧化硅和碳酸盐制备的活性成分的过敏牙齿的牙膏组合物 平均直径为1nm〜500nm的磷灰石颗粒，重量比为1:0.5至20.根据本发明，纳米级碳酸盐磷灰石颗粒以合适的混合比与磨料二氧化硅混合，有效地涂覆牙齿表面 重新密封暴露的牙质小管，由于其物理和化学成分与牙齿相同，所以安全性高，通过简单的刷牙在牙齿表面形成涂层，因此可以有效地被搪瓷损伤的人使用。

公开(公告)号：KR101439835B1

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：KR1020120075415

申请日：2012-07-11

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 홍국선 ,  신성식 ,  석재호 ,  박상백 ,  박종훈 ,  조인선 ,  김동욱

IPC: C01G19/00 ,  C01B13/08 ,  C01F11/00

CPC classification number: C01G19/00 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/50 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/64 ,  H01G9/2027 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02628 ,  Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: 신규한 Sn 기반의 삼성분계 산화물 반도체막이 개시된다. 본 발명은 무기염 소스로 Sn을 포함하되, Ba, Sr 및 Ca로 이루어진 알칼리 토금속 그룹 중에서 선택된 최소한 1종의 원소의 무기염 소스를 물과 과산화수소의 혼합 용매에 용해하는 단계; 상기 혼합 용액의 pH를 변화시켜 침전 반응시키고 숙성하는 단계; 상기 숙성을 거친 침전물을 건조 및 어닐링하여 MSnO
3 (여기서, M은 Ba, Sr 및 Ca로 이루어진 그룹 중에서 선택된 최소한 1종의 원소를 포함함) 분말을 제조하는 단계를 포함하는 삼성분계 산화물 반도체 화합물의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 나노 크기의 균일한 입도 분포를 갖는 삼성분계 산화물 반도체 화합물을 제공할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR101408083B1

公开(公告)日：2014-06-17

申请号：KR1020120053291

申请日：2012-05-18

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 홍국선 ,  남기태 ,  장해린 ,  진경석 ,  지미추 ,  양태열 ,  박지민 ,  정희윤

IPC: C04B38/00 ,  C04B35/645 ,  B28B1/50

CPC classification number: C04B35/645 ,  B28B11/243 ,  B29C43/003 ,  B29C2043/325

Abstract: 본 발명은 기공 크기와 기공률에 연속적인 경사도를 간단한 방법으로 정밀하게 제어하면서 부여할 수 있는 경사기공 구조를 갖는 세라믹 소결체의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 세라믹 분말과 고분자 분말을 1:1 내지 100:1의 무게비로 혼합한 혼합분말을 가압 성형하여 성형체를 얻는 단계; 및 상기 성형체에 경사압력을 부여하면서 소결하여 경사기공 구조를 갖는 소결체를 얻는 단계를 포함하는 다공성 세라믹 소결체의 제조방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020140020605A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：KR1020120087613

申请日：2012-08-10

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 홍국선 ,  남기태 ,  장해린 ,  유현승 ,  진경석

IPC: A61L27/04 ,  A61L24/02 ,  A61L31/02 ,  C01B25/32

CPC classification number: C01B25/32 ,  C01B25/322 ,  Y10S977/773 ,  Y10T428/2982

Abstract: Provided are whitlockite and a method for manufacturing the same. The method for manufacturing the whitlockite comprises the steps of: forming a cation aqueous solution by adding cation supply materials including calcium ion supply materials and cations (X) except calcium ion to water; and aging by adding phosphoric acid supply materials to the cation aqueous solution. 10-50 mol% of the cations (X) in the cation aqueous solution can be included based on total cations (Ca+X). The phosphoric acid supply material is added for mole ratio of anion to cation (anion/cation=P/(Ca+X)) to be 0.6 or higher. High purity whitlockite having enhanced crystalline can be mass produced by a simple process of the method for manufacturing whitlockite. [Reference numerals] (S10) Form cation aqueous solution by adding cation supply materials including calcium ion supply materials and cations (X) except calcium ion to water; (S20) Age by adding phosphoric acid supply materials to the cation aqueous solution; (S30) Form whitlockite powder by drying the aged aqueous solution

Abstract translation: 提供的是whitlockite及其制造方法。 制备白铁矿的方法包括以下步骤：通过向水中添加钙离子供给材料和除了钙离子之外的阳离子（X））的阳离子供给材料形成阳离子水溶液; 并通过向阳离子水溶液中加入磷酸供应材料来老化。 阳离子水溶液中的阳离子（X）的10-50摩尔％可以基于总阳离子（Ca + X）包括在内。 将阴离子与阳离子（阴离子/阳离子= P /（Ca + X））的摩尔比相加的磷酸供给材料为0.6以上。 具有增强结晶性的高纯度白铁矿可以通过简单的方法生产白铁矿的方法进行批量生产。 （附图标记）（S10）通过将除了钙离子之外的钙离子供给材料和阳离子（X））添加到水中的阳离子供给材料形成阳离子水溶液; （S20）通过向阳离子水溶液中加入磷酸供给材料的年龄; （S30）通过干燥老化水溶液形成黄铁矿粉末

公开(公告)号：KR1020140015696A

公开(公告)日：2014-02-07

申请号：KR1020120075415

申请日：2012-07-11

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 홍국선 ,  신성식 ,  석재호 ,  박상백 ,  박종훈 ,  조인선 ,  김동욱

IPC: C01G19/00 ,  C01B13/08 ,  C01F11/00

CPC classification number: C01G19/00 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/50 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/64 ,  H01G9/2027 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02628 ,  Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: A novel Sn-based tertiary oxide semiconductor membrane is disclosed. The present invention provides a method for manufacturing a tertiary oxide semiconductor compound, comprising the steps of: dissolving, in the mixed solvent of water and hydrogen peroxide, an inorganic salt of Sn and inorganic salts of one or more kinds of elements selected from the alkaline earth metal group consisting of Ba, Sr and Ca; precipitating and maturing the mixed solution by changing pH concentration of the mixed solution; and producing powder of MSnO3 (wherein M includes one or more kinds of elements selected from Ba, Sr and Ca) by drying and annealing the precipitation which has been matured. According to the present invention, a tertiary oxide semiconductor compound having a uniform nanoscale particle size distribution can be provided.

Abstract translation: 公开了一种新型的Sn基三氧化物半导体膜。 本发明提供一种三次氧化物半导体化合物的制造方法，包括以下步骤：在水和过氧化氢的混合溶剂中溶解Sn的无机盐和选自碱性的一种或多种元素的无机盐 由Ba，Sr和Ca组成的地球金属组; 通过改变混合溶液的pH浓度使混合溶液沉淀成熟; 并通过干燥并退火已经成熟的沉淀，生成MSnO 3粉末（其中M包括选自Ba，Sr和Ca中的一种或多种元素）。 根据本发明，可以提供具有均匀的纳米尺度分布的三氧化硅半导体化合物。

公开(公告)号：KR101277279B1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：KR1020100137887

申请日：2010-12-29

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 이상욱 ,  박익재 ,  박종훈 ,  김동회 ,  임동균 ,  노태훈 ,  홍국선 ,  한길상 ,  정현석

IPC: C01G23/047 ,  B82B3/00 ,  H01B1/08 ,  H01L31/04

CPC classification number: C01G23/047 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/82 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/13 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/82 ,  C30B7/12 ,  C30B29/16 ,  C30B29/602

Abstract: 본 발명은 산화 티타늄 나노 튜브 재료 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 산화 티타늄 나노 튜브 재료는, 나노 튜브를 구성하는 결정 그레인들이 정방정계 결정 시스템의 [001] 방향을 선호 방향으로 하여 배향된 결정 구조를 가지며, XRD 데이터의 (004)면 피크에 대한 락킹 커브(rocking curve)의 반가폭(Full Width at Half Maximum)이 11.1~20.3도임을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 산화 티타늄 나노 튜브 재료는, 나노 튜브를 구성하는 결정 그레인들이 정방정계 결정 시스템의 (004)면 또는 [001] 방향을 선호 방향으로 하여 배향되어 있어서 우수한 광전 특성을 가진다.