Abstract:
A multilayer resist structure and a method for fabricating a thin film pattern using the same are provided to lower the etching aspect ratio of the lower thin film and increase the etching selectivity of the lower thin film using the PVD amorphous carbon mask. A method for fabricating the thin film pattern comprises the step for laminating the PVD amorphous carbon mask(130) on the lower thin film(120); the step for laminating successively the hard mask on the PVD amorphous carbon mask, the bottom anti-reflective coations(150), and the photoresist pattern(160); the step for etching the bottom anti-reflective layer and the hard mask using the photoresist pattern as the etching mask; the step for etching the PVD amorphous carbon layer using the patterned hard mask as the etching mask; the step for etching the lower thin film using the PVD amorphous carbon layer as the etching mask.
Abstract:
A method for fabricating a conductive carbon thin film of high hardness and an application of the carbon thin film as an electrode for a thin film electro-luminescent device are provided to protect a substrate and a thin film against oxidation and moisture by using the carbon thin film. A carbon thin film having high conductivity and high hardness is manufactured by using a closed-field unbalanced magnetron sputtering apparatus. The closed-field unbalanced magnetron sputtering apparatus includes a chamber(20) composed of a substrate support member, a jig(22) for fixing the substrate support member, a gas supply member, a DC bias power supply(25), and a cooling line(23), and an evacuating member for maintaining a vacuum condition in the chamber. The closed-field unbalanced magnetron sputtering apparatus uses as a sputtering target a graphite target attached to an electromagnetic power unit.
Abstract:
본실시예에의한소자어레이는, 어레이로배열된복수의 N 타입 TFT(N type Thin Film Transistor)들과, 어레이로배열된복수의 P 타입 TFT(P type Thin Film Transistor)들및 복수의 N 타입 TFT들과복수의 P 타입 TFT들상에형성된절연층(insulation layer)을포함하며, N 타입 TFT와, P 타입 TFT는전도성물질로인쇄되어배선된다.
Abstract:
하부 박막에 대한 식각 선택비를 높이고 식각시 종횡비를 낮출 수 있는 아주 얇은 나노스케일 PVD 비정질 카본을 이용하여 다층 레지스트 구조를 형성하고 이를 이용하여 박막 패턴을 형성하는 방법을 제공한다. 하부 박막 상에 PVD 비정질 카본 마스크를 적층하는 단계; 상기 PVD 비정질 카본 마스크 상에 하드 마스크(hard-mask), 하부 반사방지막(bottom anti-reflective coating), 포토 레지스트 패턴을 차례로 적층하는 단계; 포토 레지스트 패턴을 식각 마스크로 하부 반사방지막과 하드마스크를 식각하는 단계; 패터닝된 하드마스크를 식각 마스크로 하여 PVD 비정질 카본층을 식각하는 단계; 및 상기 PVD 비정질 카본층을 식각 마스크로 하부 박막을 식각하는 단계를 포함하는 박막 패턴 형성 방법을 제공한다.
Abstract:
본 발명은 고경도를 지닌 전도성 탄소 박막의 제조 방법 및 전극으로써 박막 전계 발광 소자에 전극에 전도성 탄소 박막을 응용에 관한 것이다. 본 발명에서는 고경도, 전도성 탄소박막 제작시 비대칭 마그네트론 스퍼터링 (Closed-field unbalanced magnetron sputtering) 방식을 제시하였으며, 제작된 탄소 박막은 높은 강도, 낮은 마찰력, 낮은 마모율, 부드러운 표면, 내부식성 및 내 산화성 등의 우수한 물리적인 특성들을 지니며, 장치 및 공정상의 특성으로 인해 어떠한 도핑 없이 낮은 비저항 (