-
公开(公告)号：WO2023059124A1
公开(公告)日：2023-04-13
申请号：PCT/KR2022/015109
申请日：2022-10-07
Applicant: 전남대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 다공성 구조의 금속 그래핀 복합체를 형성하고 그 표면을 금속으로 감싸는 금속 그래핀 복합 구조체를 형성하여 높은 방열 효과를 갖는 금속 그래핀 복합 구조 히트파이프 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 상기 금속 그래핀 복합 구조 히트파이프는, 내부 기공 표면에 그래핀 층이 형성된 다공성 웍(10); 및 상기 다공성 웍(10)의 금속 도금에 의해 상기 다공성 웍(10)의 외부 표면에 형성되는 금속 도금층(20);을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
-
公开(公告)号：WO2021145695A1
公开(公告)日：2021-07-22
申请号：PCT/KR2021/000534
申请日：2021-01-14
Applicant: 전남대학교산학협력단
IPC: H01L21/02
Abstract: 본 발명의 일실시예는 전자 소자용 박막을 제공한다. 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하는 탄소나노튜브-금속촉매 복합체층; 및 상기 탄소나노튜브- 금속촉매 복합체층 상에 위치하는 금속산화물 에피택셜층; 을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 실시예에 따른 전자 소자용 박막은, 기판과 금속산화물 에피택셜 구조체 사이의 격자상수 차이로 인해 종래 내부적으로 발생하였던 관통 전위와 스트레인이 감소되어, 격자상수 차이에 거의 영향을 받지 않아 결함에 자유로울 수 있다.
-
公开(公告)号：WO2023059125A1
公开(公告)日：2023-04-13
申请号：PCT/KR2022/015110
申请日：2022-10-07
Applicant: 전남대학교산학협력단
IPC: B22F3/00 , B22F3/03 , B22F3/10 , F28D15/04 , H01L23/373
Abstract: 본 발명은 다공성 구조의 금속 그래핀 복합체를 형성하고 그 표면을 금속으로 감싸는 금속 그래핀 복합 구조체를 형성하여 높은 방열 효과를 갖는 금속 그래핀 복합 구조 히트스프레더 제조 방법 및 이에 의해 제조된 히트스프레더는, 내부가 중공인 패드 형상의 외벽을 형성하는 금속 기재(10); 및 소결에 의해 내부 기공 표면에 그래핀 층이 형성되어 상기 금속 기재(10)의 내부 면에 형성되는 다공성 웍(20);을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다. 도 1
-
公开(公告)号：WO2021149970A1
公开(公告)日：2021-07-29
申请号：PCT/KR2021/000533
申请日：2021-01-14
Applicant: 전남대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브 분산 용액, 팔라듐 형성용액 및 니켈 형성용액을 준비하는 단계; 및 상기 탄소나노튜브 분산용액, 팔라듐 형성용액 및 니켈 형성용액을 혼합하여 상기 탄소나노튜브의 표면에 무전해 도금방법에 의해 미세 분말형태의 니켈-팔라듐 합금을 형성하는 단계; 를 포함하는 니켈-팔라듐 탄소나노튜브 미세복합체의 제조방법을 제공 한다. 상기 제조 방법에 의하여 제조된 니켈-팔라듐 탄소나노튜브 미세복합체는 제조 공정이 매우 간단하여 우수한 생산성을 확보할 수 있고, 상기 니켈-팔라듐 탄소나노튜브 미세복합체가 포함된 전자파 차폐제는 전자파 차폐용액의 형태로 기재에 분사되어 전자파 차폐 필름을 제조할 수 있어, 대면적화 구현에 유리한 장점이 있다.
-
公开(公告)号：WO2014126438A1
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：PCT/KR2014/001282
申请日：2014-02-18
Applicant: 전남대학교산학협력단
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/14 , H01L33/42
Abstract: 반도체 발광 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 반도체 발광 소자는 발광구조물과, 발광구조물의 하면 측에 적층 배치되고 전극이 비아홀을 통해 발광구조물의 반도체층과 전기적으로 연결되는 전극구조물과, 발광구조물의 상부에 배치된 반도체층 상에 형성된 전류펼침층을 포함한다. 이러한 전류펼침층으로 인해 비아홀의 수를 줄일 수 있어서 발광효율이 높아진다.
Abstract translation: 公开了一种半导体发光元件及其制造方法。 半导体发光元件包括：发光结构; 电极结构层叠在所述发光结构的下表面侧，并且具有通过通孔与所述发光结构的半导体层电连接的电极; 以及形成在设置在发光结构的上部的半导体层上的电流扩展层。 由于电流扩展层，可以减少通孔的数量，并且提高发光效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020210052722A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：KR1020190136851
申请日：2019-10-30
Applicant: 전남대학교산학협력단
IPC: H01G9/20 , H01L31/12 , H01L31/0304 , H01L33/26
Abstract: 본발명은 GaN계합금을포함하고, 태양광을흡수하는광전극; 및상기광전극의일면에위치하고, 상기광전극을투과하는태양광을흡수하여가시광을발광하는형광체구조층을포함하고, 상기형광체구조층은실리콘성형체및 상방전환발광체를포함하는것을특징으로하는광전기화학셀용광전극구조체를제공한다.
-
公开(公告)号：KR1020170111646A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020160037520
申请日：2016-03-29
Applicant: 전남대학교산학협력단
IPC: G02B3/00 , B29D11/00 , H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/306
CPC classification number: G02B3/0012 , B29D11/00009 , B29D11/00865 , G02B3/0037 , H01L21/02304 , H01L21/30604 , H01L21/3065
Abstract: 본발명은양면실리콘렌즈및 이의제조방법에대한것으로, 보다구체적으로는양면실리콘렌즈를전면패터닝공정만으로제조할수 있는방법에관한것이다. 본발명의양면실리콘렌즈의제조방법에의하면전면및 후면패터닝공정을모두수행하지않고전면패터닝공정만으로양면실리콘렌즈를제조할수 있는효과가있다. 또한, 본발명의양면실리콘렌즈의제조방법에의하면전면패터닝공정만을수행하므로각 면렌즈실리콘렌즈사이의정렬을높은정렬도로구현할수 있으며, 다양한형상의다양한곡률을갖는양면실리콘렌즈를제조할수 있는효과가있다.
Abstract translation: 本发明在硅透镜的两侧，及其生产方法，以能够更专门制造euroneun双面硅胶透镜只有前图案化步骤的方法。 根据本发明的双面硅透镜的生产过程中，不进行两者的正面和背面图案化步骤存在能够制造双面硅胶透镜只有前图案化步骤的效果。 此外，根据本发明的双面硅透镜的制造方法，因为它仅执行前图案化工艺，并且可以实现每个侧透镜硅透镜道高对准之间的对准，可以制造具有各种形状的不同曲率的双面硅油透镜效果 一。
-
公开(公告)号：KR1020170099197A
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：KR1020160021272
申请日：2016-02-23
Applicant: 전남대학교산학협력단
Abstract: 본발명은단일벽탄소나노튜브및 이의제조방법, 그리고이를이용한자외선발광다이오드에관한것으로, 보다구체적으로는 P형질화물계반도체와오믹(ohmic)접촉이가능하며광투과도의감소가적은본 발명은단일벽탄소나노튜브및 이의제조방법, 그리고이를이용한자외선발광다이오드에관한것이다. 본발명의단일벽탄소나노튜브특히, 자외선발광다이오드의투명전극용단일벽탄소나노튜브의제조방법에의하면, P형질화물계반도체와오믹(ohmic)접촉이가능하며광투과도의감소가적은자외선발광다이오드의투명전극용단일벽탄소나노튜브를제조할수 있다. 또한, 본발명의제조방법에의하면붕소계열의환원제를사용하함으로써도금조절이용이할뿐만아니라니켈이고르게도금되는효과가있으며, 급속열처리를수행하여니켈또는니켈합금으로피막화할수 있다. 또한, 본발명의자외선발광다이오드는 P형질화물계반도체와오믹(ohmic)접촉이가능하며광투과도의감소가적어높은효율의증대를이룰수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用单壁碳纳米管和它们的制备方法，在紫外线发光二极管和此，具体而言，P型基于氮化物的半导体和欧姆（欧姆）的接触是可能的，并且本发明是减少更小的透光率更 单壁碳纳米管，其制造方法以及使用其的紫外线发光二极管。 根据单壁碳纳米管的SWNT用于本发明的紫外线发光二极管的电极特别透明的生产过程中，P转染较少紫外线发光基于货物半导体和欧姆（欧姆）的接触是可能的，并且减少光透射 可以制造用于二极管的透明电极的单壁碳纳米管。 此外，和以及根据本发明用于控制通过使用还原剂与硼系列镍的效果电镀的制造方法中被均匀地涂覆，可以迅速地通过执行镍或镍合金的热处理筛选膜。 另外，本发明的紫外发光二极管能够与P型半导体欧姆接触并且具有减小的光透射率，由此实现高效率增加。
-
公开(公告)号：KR1020170099196A
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：KR1020160021269
申请日：2016-02-23
Applicant: 전남대학교산학협력단
Abstract: 본발명은단일벽탄소나노튜브및 이의제조방법, 그리고이를이용한자외선발광다이오드에관한것으로, 보다구체적으로는 P형질화물계반도체와오믹(ohmic)접촉이가능하며광투과도의감소가적은단일벽탄소나노튜브및 이의제조방법, 그리고이를이용한자외선발광다이오드에관한것이다. 본발명의단일벽탄소나노튜브특히, 자외선발광다이오드의투명전극용단일벽탄소나노튜브의제조방법에의하면, P형질화물계반도체와오믹(ohmic)접촉이가능하며광투과도의감소가적은자외선발광다이오드의투명전극용단일벽탄소나노튜브를제조할수 있다. 또한, 본발명의자외선발광다이오드는 P형질화물계반도체와오믹(ohmic)접촉이가능하며, 광투과도의감소가적어높은효율의증대를이룰수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种紫外线发光二极管使用单壁碳纳米管和它们的制备方法，而这一点，更具体地，P型基于氮化物的半导体和欧姆（欧姆）的接触是可能的，并且光透射碳的小单壁还原 纳米管，其制造方法以及使用该纳米管的紫外线发光二极管。 根据单壁碳纳米管的SWNT用于本发明的紫外线发光二极管的电极特别透明的生产过程中，P转染较少紫外线发光基于货物半导体和欧姆（欧姆）的接触是可能的，并且减少光透射 可以制造用于二极管的透明电极的单壁碳纳米管。 此外，本发明的紫外线发光二极管可以是P型基于氮化物的半导体和欧姆接触（欧姆），并且具有和实现的光透射少高效率的降低的增加。
-
公开(公告)号：KR101295468B1
公开(公告)日：2013-08-09
申请号：KR1020120018462
申请日：2012-02-23
Applicant: 전남대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/12 , H01L33/24 , H01L2933/0016
Abstract: PURPOSE: A light emitting device and a method for fabricating the same are provided to reduce defects by burying a thin n-type electrode in a recessed part. CONSTITUTION: A p-type semiconductor layer is formed on an active layer. A p-type electrode (900) is formed on the p-type semiconductor layer. An n-type electrode (400) is formed in an n-type semiconductor layer. An n-type pad (800) is arranged on the exposed surface of the n-type semiconductor layer. An insulating layer is formed on the n-type electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种发光器件及其制造方法，以通过将n型薄电极埋入凹部来减少缺陷。 构成：在有源层上形成p型半导体层。 p型电极（900）形成在p型半导体层上。 n型电极（400）形成在n型半导体层中。 n型衬垫（800）布置在n型半导体层的暴露表面上。 在n型电极上形成绝缘层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.026 seconds)
