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公开(公告)号：KR102224624B1
公开(公告)日：2021-03-08
申请号：KR1020190023352A
申请日：2019-02-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0725 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/05 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0725 , B23K26/0624 , B23K26/0006 , B23K26/0604 , B23K26/36 , B23K26/386 , B23K26/53 , H01L31/022466 , H01L31/0322 , H01L31/0324 , H01L31/035281 , H01L31/0504 , H01L31/074 , H01L31/0749 , H01L31/18 , H01L31/1864 , H01L31/1884 , B23K2101/40 , B23K2103/166 , Y02E10/541
Abstract: 본 발명의 일 관점에 따르면, 서로 다른 밴드갭을 갖는 2개 이상의 광흡수층이 적층된 다중접합 태양전지를 제공한다.
상기 다중접합 태양전지는 제 1 광흡수층을 구비하는 제 1 셀; 및 상기 제 1 셀 상에 전기적으로 직렬 연결된 제 2 셀;을 포함하고, 상기 제 2 셀은 상기 제 1 광흡수층보다 상대적으로 밴드갭이 더 큰 제 2 광흡수층 및 상기 제 2 광흡수층을 관통하는 복수개의 홈부를 포함한다.-
公开(公告)号：WO2021107221A1
公开(公告)日：2021-06-03
申请号：PCT/KR2019/016722
申请日：2019-11-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 본 발명은 CIS 계 박막에 있어서, CIS계 박막 내부에 황의 도핑 농도가 0.1 내지 4 at%가 되도록 함으로써, 미세구조, 결정성 및 밴드갭의 변화는 일으키지 않으면서도, 황 첨가에 의한 결함화학적 셀레늄 빈자리 결함 패시베이션이 가능한 고품위의 CIS 계 박막을 제공할 수 있다. 상기의 박막을 활용하여 광전압 및 충진율이 개선되어 광전 성능이 향상된 CIS 계 태양 전지를 제공할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2021002523A1
公开(公告)日：2021-01-07
申请号：PCT/KR2019/008303
申请日：2019-07-05
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G06N3/063
Abstract: 본 발명은 뉴로모픽 장치에 관한 것으로, 각각은 뉴런의 주소를 고유적으로 가지는 복수의 뉴런들을 포함하는 뉴런 블록부, 각각은 시냅스 주소를 고유적으로 가지는 복수의 시냅스들을 포함하는 시냅스 블록부 및 상기 시냅스 주소 중 제1 시냅스 주소를 기초로 분할되고, 각각은 상기 시냅스 주소 중 제2 시냅스 주소를 기초로 인덱싱되며 프리시냅틱 뉴런과 포스트시냅틱 뉴런의 주소들로 구성된 전후 뉴런 엘리먼트를 포함하는 복수의 병렬 LUT 모듈들을 포함하는 토폴로지 블록부를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2019103207A1
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：PCT/KR2017/013584
申请日：2017-11-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/046 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 본 발명은 일체형 태양전지 및 이의 제조 방법을 개시하고 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 전극, 실리콘 기판, n형 에미터 층이 순서대로 적층된 형태의 제1 태양전지 셀과, 상기 n형 에미터 층 상에 형성되는 접합층과, 상기 접합층 상에 형성되는 계면층(또는 희생층), 그리고, 페로브스카이트 층을 구비하여 상기 계면층 상에 결합되는 제2 태양전지 셀을 포함하는 일체형 태양전지를 제공할 수 있다. 본 발명에 따른 계면층은 일체형 태양전지 제조 과정 중 열분해되어 일부 또는 전부가 소실될 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 일체형 태양전지를 구성하는 두 셀 사이에 계면층을 마련하여 일체형 태양전지를 제조하면, 두 셀 간 전하 전달 및 재결합 특성을 향상시킬 수 있고, 이에 따라 광전변환효율이 월등히 향상된 일체형 태양전지를 제공할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2019054555A1
公开(公告)日：2019-03-21
申请号：PCT/KR2017/012212
申请日：2017-11-01
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18 , H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02601 , H01L21/0274 , H01L21/31116 , H01L31/02366 , H01L31/18
Abstract: 본 발명은 반도체 기판을 텍스쳐링하는 방법과, 이 방법에 의해 제조된 반도체 기판, 그리고, 이러한 반도체 기판을 포함하는 태양 전지를 개시하고 있다. 본 발명의 일실시예는, 반도체 기판 상에 금속 나노 입자를 형성하는 금속 나노 입자 형성 단계와, 상기 반도체 기판을 에칭하는 제1 식각 단계와, 상기 금속 나노 입자를 제거하는 금속 나노 입자 제거 단계, 그리고, 상기 제1 식각 단계에서 에칭된 반도체 기판을 에칭하여 나노 구조체를 형성하는 제2 식각 단계를 포함하는 반도체 기판을 텍스쳐링하는 방법을 제공한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2021107184A1
公开(公告)日：2021-06-03
申请号：PCT/KR2019/016509
申请日：2019-11-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0445 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/05 , H01L31/0216 , H01L31/0224
Abstract: 본 발명은 나노입자를 포함하는 재결합층 및 이에 의해 제조된 일체형 탠덤 태양전지를 제공한다. 일체형 탠덤 태양전지는 후면전극, 광흡수층, 및 완충층이 적층된 형태의 제 1 태양전지와 완충층 상에 형성되며, 투명 전도성 나노입자층을 사이에 두고 제1 및 제2투명 전도층들을 포함한 삼중층 구조를 구비하는 재결합층과 재결합층 상에 결합되며, 페로브스카이트 층을 구비하는 제 2 태양전지를 포함하는 일체형 탠덤 태양전지를 제공한다.
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公开(公告)号：WO2019093558A1
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：PCT/KR2017/012916
申请日：2017-11-15
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/18 , H01L31/0445 , H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/0216
Abstract: 본 발명은 전기화학적 침착법(electrochemical deposition)과 선택적 전착법(selective electrodeposition)을 이용하여 전극 상에 광흡수층 박막을 선택적으로 형성함으로써 투광형의 화합물 박막을 제조하는 기술에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 소정의 전구체와 용매를 혼합하여 제조된 전해질 용액과, 기 준비된 기판 상에 특정 패턴이 패터닝된 전극이 형성된 형태의 작업전극을 포함하는 전기 화학 전지를 전압 인가 장치 또는 전류 인가 장치에 연결하여 전착 회로를 구성하는 회로 구성 단계와, 상기 전압 인가 장치 또는 전류 인가 장치를 이용하여 상기 작업전극에 환원 전압 또는 전류를 인가하고, 상기 특정 패턴이 패터닝된 전극의 형상에 따라 상기 전극 상의 일부 영역에만 박막이 선택적으로 전착되는 박막 형성 단계를 포함하는 화합물 박막 제조 방법을 제공할 수 있다. 또한 본 발명에 따르면, 투광형 박막 태양 전지 제조를 목적으로 패터닝된 전극의 측면 또는 절단면의 노출로 인해 발생하는 션트(shunt) 및 재결합 손실을 방지하기 위해, 패터닝된 전극의 측면 또는 절단면 위에 산화물 기반 재결합 방지막(또는 패시베이션 막)을 포함하는 투광형 화합물 박막을 제조하는 방법을 제공할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2022114268A1
公开(公告)日：2022-06-02
申请号：PCT/KR2020/016957
申请日：2020-11-26
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 페로브스카이트를 포함하는 태양전지에 있어서, 기판; 상기 기판 상에 차례로 형성된 하부투명도전층, 페로브스카이트 흡수영역, 및 상부금속전극; 및 적어도 상기 페로브스카이트 흡수영역을 봉지하면서 상기 기판과 접착물질을 통해서 접착되는 봉지캡 구조물을 포함하되, 상기 상부금속전극은 제1방향으로 상기 봉지캡 구조물의 단부를 지나 연장되어 외부로 전극이 인출되며, 상기 하부투명도전층은 상기 제1방향과 교차하는 제2방향으로 외부로 전극을 인출하기 위해서, 상기 하부투명도전층은 스트립 형상을 갖도록 절연영역에 의해 분리되는 구조를 가지는 페로브스카이트를 포함하는 태양전지를 개시한다.
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公开(公告)号：KR102224624B1
公开(公告)日：2021-03-08
申请号：KR1020190023352
申请日：2019-02-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0725 , H01L31/05 , H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 본발명의일 관점에따르면, 서로다른밴드갭을갖는 2개이상의광흡수층이적층된다중접합태양전지를제공한다. 상기다중접합태양전지는제 1 광흡수층을구비하는제 1 셀; 및상기제 1 셀상에전기적으로직렬연결된제 2 셀;을포함하고, 상기제 2 셀은상기제 1 광흡수층보다상대적으로밴드갭이더 큰제 2 광흡수층및 상기제 2 광흡수층을관통하는복수개의홈부를포함한다.
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公开(公告)号：KR102214451B1
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：KR1020190029960
申请日：2019-03-15
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/036 , H01L21/02
Abstract: 본발명의일 실시예는, 순서대로적층된후면전극층, 패시베이션유전체층및 실리콘웨이퍼층을포함하는태양전지셀의후면전계영역을형성하는방법에있어서, a) 레이저를이용하여상기후면전극층및 상기패시베이션유전체층의일부를제거하는단계, b) 상기 a) 단계에따라상기후면전극층및 상기패시베이션유전체층이제거된영역에소정의금속물질을공급하는단계, 그리고, c) 상기 b) 단계에따라공급된소정의금속물질, 상기후면전극층및 상기실리콘웨이퍼층이전기적으로접합하도록소성공정을수행하여후면전계영역을형성하는단계를포함하는태양전지셀의후면전계영역형성방법을제공한다.
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