Abstract:
본 발명은 감도가 높고, 다이나믹 레인지가 넓으며, 포토 다이오드의 리셋 전압을 조절할 수 있는 픽셀로 구성되는 CMOS 영상 센서에 관한 것이다. CMOS 영상 센서 장치에 있어서, 단위 픽셀의 2차원적 배열로 구성되는 센서 장치로서, 단위 픽셀은 입력 광에 대응하여 전하를 생성하는 포토 다이오드; 생성된 전하를 전압으로 바꿔주는 전하증폭 트랜지스터와 피드백 커패시터; 포토 다이오드와 피드백 커패시터를 리셋하는 리셋 트랜지스터; 포토 다이오드의 리셋 전압을 조절하는 리셋 제어 단자; 및 단위 픽셀을 선택하는 두 개의 셀렉트 트랜지스터를 포함하는 고감도 CMOS 영상 센서 장치가 제공된다.
Abstract:
PURPOSE: An image sensing device implementing a pixel with two different type transistors is provided to output an output signal of a photo diode to a comparator through two different type transistors, thereby reducing the number of column lines. CONSTITUTION: An image sensing device comprises a pixel (110) to output an output signal of a photo diode (PD) through first type transistors (MN1, MN2) and a second type transistor (MP); a comparator (121) to compare the output signal to a reference signal; and memories (123,124) to stores an output size based on a result of the comparison. The pixel is a heterogeneous 3-Tr pixel and constituted with the PD, two N-channel metal-oxide semiconductors (N-MOS), and one P-channel metal-oxide semiconductor (P-MOS). The 3-Tr pixel outputs the output signal of the PD through the two N-MOSs and the one P-MOS. [Reference numerals] (123) Memory 1; (124) Memory 2; (125) Counter
Abstract:
본 발명은 X-선 이미지 검출용 대면적 디지털 픽셀센서에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 디지털 래디오그래피(digital radiography : DR) 등의 X-선 이미지 검출용 의료기기에 적용되는 대면적 이미지센서를 구성함에 있어서, 이미지센서를 구성하는 각각의 픽셀센서 내에 해당 픽셀에서 획득된 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하여 출력할 수 있는 A/D 변환 회로가 형성된 PWM(Pulse Width Modulation) 방식의 디지털 픽셀센서를 구성함으로써, 컬럼(column) 단위 또는 칩(chip) 단위로 A/D 변환기가 구비되는 종래의 대면적 이미지센서에 비해 신호의 감쇄 및 왜곡이 없으며 프레임 속도가 향상되는 X-선 이미지 검출용 대면적 디지털 픽셀센서에 관한 것이다. 이를 위하여 본 발명은, X-선 이미지 검출용 의료기기의 이미지센서에 구비되는 대면적 디지털 픽셀센서에 있어서, 빛을 수광하여 전기 신호로 변환하는 포토다이오드와; 상기 포토다이오드를 미리 설정된 전압으로 리셋(reset)시키는 리셋 트랜지스터와; 상기 포토다이오드로부터 전달되는 전압 신호와 기준 전압(reference voltage)을 비교하여, 포토다이오드로부터 전달되는 전압 신호와 기준 전압이 같아지는 시점까지의 클럭 신호를 출력하는 비교기와; 상기 비교기로부터 전달받은 클럭 신호를 카운트하는 카운터와; 상기 카운터로부터 카운트 된 값을 디지털 출력 값으로 외부 회로에 전달하는 쉬프트 레지스터;를 포함하여 구성되되, 상기 포토다이오드와 상기 리셋 트랜지스터, 비교기, 카운터 및 쉬프트 레지스터로 구성되는 A/D 변환회로가 하나의 픽셀 상에 형성되는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
The present invention relates to a CMOS image sensor which has high sensitivity and a wide dynamic range and comprises pixels capable of controlling the reset voltage of a photo diode. Provided is a high sensitivity CMOS image sensor device comprises a two-dimensional array of unit pixels. The unit pixel includes: a photo diode for generating electric charge corresponding to input light; a charge amplification transistor and a feedback capacitor for converting the generated electric charge to voltage; a reset transistor for resetting the photo diode and the feedback capacitor; a reset control terminal for controlling the reset voltage of the photo diode; and two select transistors for selecting a unit pixel.