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公开(公告)号：WO2022181999A1
公开(公告)日：2022-09-01
申请号：PCT/KR2022/001065
申请日：2022-01-20
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/788 , G06N3/063 , H01L29/423
Abstract: 우수한 선형성 특성을 갖는 뉴로모픽 시냅스 소자 및 그 동작 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 뉴로모픽 시냅스 소자는, 기판 상에 형성되는 채널 영역; 상기 채널 영역 상에 형성되는 게이트 절연막 영역; 상기 게이트 절연막 영역 상에 형성되는 플로팅 게이트 영역; 상기 플로팅 게이트 영역 상에 형성되는 전하 전달층 영역; 및 상기 전하 전달층 영역 상에 형성된 채, 기준 전위 이상 값의 전위가 인가됨에 응답하여 상기 플로팅 게이트 영역과의 전위차를 생성하고, 상기 전위차를 이용하여 상기 플로팅 게이트 영역에 저장된 적어도 하나의 전하를 방출시키거나 상기 적어도 하나의 전하를 반입시켜 가중치 갱신 동작을 구현하는 컨트롤 게이트 영역을 포함한다.
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公开(公告)号：WO2022030884A1
公开(公告)日：2022-02-10
申请号：PCT/KR2021/009918
申请日：2021-07-29
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/788 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/66 , H01L29/08
Abstract: 스팁-슬롭 전계 효과 트랜지스터와 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 스팁-슬롭 전계 효과 트랜지스터는 기판 상에 형성되는 소스, 채널 영역과 드레인; 상기 채널 영역 상부에 형성되는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상부에 형성되는 플로팅 게이트; 상기 플로팅 게이트 상부에 형성되는 전이층; 및 상기 전이층 상부에 형성되는 컨트롤 게이트를 포함하고, 상기 스팁-슬롭 전계 효과 트랜지스터는 상기 컨트롤 게이트에 기준 전위 이상을 인가하여 상기 플로팅 게이트에 저장된 적어도 하나의 전하를 방출 또는 반입시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR101917717B1
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：KR1020170015936
申请日：2017-02-06
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G11C16/10 , G11C16/04 , G11C16/16 , H01L27/115
Abstract: 비휘발성메모리소자는기판, 전하저장영역, 채널영역, 터널링절연층, 게이트구조물및 전위인가구조물을포함한다. 전하저장영역은기판상에형성된다. 채널영역은전하저장영역과인접하여형성된다. 터널링절연층은전하저장영역과채널영역사이에형성된다. 게이트구조물은전하저장영역을가열한다. 전위인가구조물은채널영역에전위를인가한다. 게이트구조물을이용하여기준온도이상의줄 열(Joule heat)을전하저장영역에인가하고, 전위인가구조물을이용하여기준전위이상의양 전위를채널영역에인가하여, 전하저장영역에저장된적어도하나의전하를방출시키는데이터소거동작을수행한다.
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公开(公告)号：KR101852258B1
公开(公告)日：2018-04-26
申请号：KR1020160081806
申请日：2016-06-29
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 픽셀별적용필터의차이에기반하는이미지생성방법및 이를수행하는장치들이개시된다. 일실시예에따른엑스선이미지센서는엑스선이입사되는하나이상의픽셀을포함하는픽셀어레이를포함하고, 상기픽셀은각각의필터의두께및 물질중에서적어도하나가상이하게형성되는복수의서브픽셀들을포함한다.
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公开(公告)号：KR101909819B1
公开(公告)日：2018-10-18
申请号：KR1020170058207
申请日：2017-05-10
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H04N5/3597 , H01L27/14612 , H04N5/369
Abstract: 클리어트랜지스터를사용하는능동픽셀센서및 이미지획득방법이개시된다. 일실시예에따른능동픽셀센서는초기화된제1 신호와, 빛에의해변환된제2 신호를출력하는수광장치와, 상기초기화된제1 신호를샘플링하고, 샘플링된제1 신호를전하로서저장하기위한제1 샘플링커패시터의여분전하를제거하는제1 샘플링회로와, 상기빛에의해변환된제2 신호를샘플링하고, 샘플링된제2 신호를전하로서저장하기위한제2 샘플링커패시터의여분전하를제거하는제2 샘플링회로를포함한다.
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Patent Agency Ranking6.发明公开플렉서블 반도체 방사선 검출기의 제조방법, 이를 이용한 플렉서블 반도체 방사선 검출기 및 이를 포함하는 방사선 영상장치 有权使用该柔性半导体辐射探测器的柔性半导体辐射探测器的制造方法以及包括该柔性半导体辐射探测器
公开(公告)号：KR1020170001074A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：KR1020150090508
申请日：2015-06-25
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은 SOI(semiconductor-on-insulator) 기판을준비하는단계; 스티칭(stitching) 공정을이용하여상기 SOI 기판상에복수개의픽셀형이미지센서를형성하는단계; 상기복수개의픽셀형이미지센서상에 PDMS(polydimethylsiloxane)층을형성하고, 선택적식각(dicing-by-trench) 공정을이용하여상기 SOI 기판의적어도일부를제거함으로써스탬프를형성하는단계; 상기스탬프의적어도일면상에유연기판을결합하는단계; 및상기스탬프의일부인상기 PDMS층을제거하고, 상기 PDMS층과대응되는영역에섬광체를형성하는단계;를포함하는, 플렉서블반도체방사선검출기의제조방법, 이를이용하여구현한플렉서블반도체방사선검출기및 이를포함하는방사선영상장치를제공한다.
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公开(公告)号：KR1020140022183A
公开(公告)日：2014-02-24
申请号：KR1020120088405
申请日：2012-08-13
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G01T1/02
Abstract: The present invention relates to an electronic radiation personal dosimeter using an SiPM. The purpose is to provide an electronic radiation exposure personal dosimeter capable of reducing manufacturing costs by manufacturing it through a CMOS process by easily measuring radiation in a low dose environment. The invention includes a metal filter, an SiPM generating an electron-hole pair by radiation passing through the metal filter, moving an electron to a cathode side and moving a hole to an anode side using high voltage corresponding to reverse bias, and forming electron amplification, a pre-amplifier outputting a signal by a charge inputted from the amplification of the SiPM as an analog signal and amplifying it at the same time, an SCA outputting a digital pulse when an analog voltage signal inputted from the pre-amplifier has an amplitude between a low level discriminator and an upper level discriminator, a central processing part storing the number of digital pulses by receiving the pulses outputted from the SCA for a predetermined time and multiplying the number of the pulses by a personal dose value stored in the memory, and a read-only memory storing a personal dose value that radiation reaches per a digital pulse and delivering the value to the central processing part. [Reference numerals] (100) Display part; (20) Metal filter; (50) Pre-amplifier; (70) Central processing part; (80) Memory; (90) Read-only memory
Abstract translation: 本发明涉及一种使用SiPM的电子辐射个人剂量计。 其目的是提供一种能够通过在低剂量环境中容易地测量辐射的CMOS工艺制造它来降低制造成本的电子辐射照射个人剂量计。 本发明包括金属过滤器，通过辐射穿过金属过滤器产生电子 - 空穴对的SiPM，将电子移动到阴极侧，并使用对应于反向偏压的高电压将空穴移动到阳极侧，并且形成电子放大 前置放大器通过从SiPM的放大输入的电荷作为模拟信号输出信号并同时放大信号;当从前置放大器输入的模拟电压信号具有振幅时，SCA输出数字脉冲 在低电平鉴别器和高电平鉴别器之间，中央处理部分通过接收从SCA输出的脉冲达预定时间并存储存储在存储器中的个人剂量值来存储数字脉冲数， 以及只读存储器，其存储每个数字脉冲辐射达到的个人剂量值，并将该值传送给中央处理部件。 （附图标记）（100）显示部; （20）金属过滤器; （50）前置放大器; （70）中央处理部分; （80）记忆; （90）只读存储器
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公开(公告)号：KR1020130102189A
公开(公告)日：2013-09-17
申请号：KR1020120023213
申请日：2012-03-07
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H04N5/3745
CPC classification number: H04N5/3745 , H01L27/14609 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14643
Abstract: PURPOSE: An image sensing device implementing a pixel with two different type transistors is provided to output an output signal of a photo diode to a comparator through two different type transistors, thereby reducing the number of column lines. CONSTITUTION: An image sensing device comprises a pixel (110) to output an output signal of a photo diode (PD) through first type transistors (MN1, MN2) and a second type transistor (MP); a comparator (121) to compare the output signal to a reference signal; and memories (123,124) to stores an output size based on a result of the comparison. The pixel is a heterogeneous 3-Tr pixel and constituted with the PD, two N-channel metal-oxide semiconductors (N-MOS), and one P-channel metal-oxide semiconductor (P-MOS). The 3-Tr pixel outputs the output signal of the PD through the two N-MOSs and the one P-MOS. [Reference numerals] (123) Memory 1; (124) Memory 2; (125) Counter
Abstract translation: 目的：提供实现具有两种不同类型晶体管的像素的图像感测装置，以通过两种不同类型的晶体管将光电二极管的输出信号输出到比较器，从而减少列线数量。 构成：图像感测装置包括通过第一类型晶体管（MN1，MN2）和第二类型晶体管（MP）输出光电二极管（PD）的输出信号的像素（110）。 比较器（121），用于将输出信号与参考信号进行比较; 和存储器（123,124），用于存储基于比较结果的输出大小。 像素是异质3-Tr像素，由PD，两个N沟道金属氧化物半导体（N-MOS）和一个P沟道金属氧化物半导体（P-MOS）构成。 3-Tr像素通过两个N-MOS和一个P-MOS输出PD的输出信号。 （附图标记）（123）存储器1; （124）存储器2; （125）计数器
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公开(公告)号：KR1020180002368A
公开(公告)日：2018-01-08
申请号：KR1020160081806
申请日：2016-06-29
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H04N5/345 , H04N5/332 , H04N5/3456 , H04N5/35563
Abstract: 픽셀별적용필터의차이에기반하는이미지생성방법및 이를수행하는장치들이개시된다. 일실시예에따른엑스선이미지센서는엑스선이입사되는하나이상의픽셀을포함하는픽셀어레이를포함하고, 상기픽셀은각각의필터의두께및 물질중에서적어도하나가상이하게형성되는복수의서브픽셀들을포함한다.
Abstract translation: 公开了一种基于逐像素应用滤波器的差异的图像生成方法和用于执行该方法的设备。 根据示例性实施例的像素，其包括X射线图像传感器：像素阵列，其包括至少一个像素的x射线入射包括多个子像素的至少一个虚拟以形成在各过滤器的厚度和材料，该材料 。
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公开(公告)号：KR101536649B1
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：KR1020140039881
申请日：2014-04-03
Applicant: 한국과학기술원 , 클레어픽셀 주식회사 , 주식회사 나노포커스레이
IPC: H04N5/32
CPC classification number: H04N5/32
Abstract: 본발명은컬럼 ADC 구조를갖는 X-선이미지센서및 그신호처리방법에관한것으로서, 컬럼 ADC 구조를이용하여 X-선이미지센서를구성함에있어서, X-선센서어레이부로부터전송되는신호를저장하는 CDS 블럭을다중으로배치하고, 각각의 CDS 블럭에서로다른전압레벨의동일한램프신호를동시에인가하여, 다중의 CDS 블럭을통해병렬동작으로 CDS 신호를처리함으로써, 멀티 CDS 신호검출부에서검출신호의디지털상위비트값을검출하고, 컬럼 ADC에서상기검출된디지털상위비트값에이어지는디지털하위비트값을산출하여, 디지털신호값을출력함으로써, 기존의 X-선이미지센서에비해신호처리시간의증가없이 ADC 분해능을향상시킬수 있어, X-선검출신호를고해상으로처리할수 있는컬럼 ADC 구조를갖는 X-선이미지센서및 그신호처리방법에관한것이다. 이를위하여본 발명은, X-선이미지검출용이미지센서에있어서, X-선을수광하는다수의 X-선센서셀이매트릭스형태의어레이구조로배열되어구성되는 X-선센서어레이부와; 상기 X-선센서어레이부로부터각각의컬럼신호라인을통해각 X-선센서셀의리셋신호와광신호를전달받아전기적인아날로그신호로변환하는전류소스원과; 상기전류소스원을통해변환된아날로그신호를증폭하는프리앰프와; 상기 X-선센서어레이부의컬럼신호라인단위로구비되는 CDS 회로의조합으로구성되어, 상기프리앰프를통해증폭된아날로그신호를각각저장하는복수의 CDS 블럭과; 전체 CDS 전압레벨을상기 CDS 블럭의개수에맞추어동일하게등분하여, 상기복수의 CDS 블럭에상기동일하게등분된각각다른전압레벨의동일한램프신호를동시에인가하는멀티스텝램프발생기와; 상기복수의 CDS 블럭에각각입력된램프신호와리셋신호가만나는지점을검출하여디지털상위비트값을검출하여출력하는멀티 CDS 신호검출부와; 상기멀티 CDS 신호검출부에의해검출된디지털상위비트값에이어지는디지털하위비트값을연산하여출력하는컬럼 ADC;를포함하여구성되는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明涉及具有列ADC结构的X射线图像传感器及其信号处理方法。 本发明包括：x射线传感器阵列单元，其具有以阵列结构排列的x射线的多个X射线单元; 电流源，其通过各列信号线从X射线传感器阵列单元接收每个X射线传感器单元的复位信号和光信号，并将其转换为电模拟信号; 放大模拟信号的自由放大器; 以及分别存储模拟信号的多个CDS块。
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