公开(公告)号：KR101379341B1

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：KR1020120058992

申请日：2012-06-01

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 남옥현 ,  이원석 ,  이동헌 ,  우서휘 ,  장종진

IPC: H01L33/22

Abstract: 본 발명은 사파이어 등의 기판 위에 질화물 반도체층과 마스크 패턴을 형성 후 질화물 반도체층을 다시 성장하기 전 또는 후에 건식 식각 방식에 의해 다공성(porous)으로 표면 개질하고, 그 위에 저 결함밀도를 갖는 질화물 반도체층이 재성장되도록 한 템플레이트층을 이용하여, 내부양자효율과 광추출 효율이 향상된 고품질 반도체 소자가 제조될 수 있는, 고품질 반도체 소자용 기판의 제조 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020130124766A

公开(公告)日：2013-11-15

申请号：KR1020120048148

申请日：2012-05-07

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 남옥현 ,  이원석 ,  이동헌 ,  우서휘 ,  장종진

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/20

Abstract: The present invention relates to a manufacturing method of a substrate for a high-quality semiconductor device capable of manufacturing a high-quality semiconductor device with improved inner quantum efficiency and light extraction efficiency by reforming the surface to be have pores and using a template layer to regrow a nitride semiconductor layer having low defect density on the surface in a dry-etching method at HVPE, MOCVD, or CVD device which forms the nitride semiconductor layer on a substrate such as sapphire, injects HCL gas, and makes the same react at high temperatures. [Reference numerals] (S10) Forming template layer;(S20) Porous etching;(S30) Regrowth

Abstract translation: 本发明涉及一种高质量半导体器件用基板的制造方法，其能够通过将具有孔隙的表面重整并使用模板层来制造具有提高的内量子效率和光提取效率的高质量半导体器件 在HVPE，MOCVD或CVD装置上，在形成氮化物半导体层的诸如蓝宝石的衬底上，以干蚀刻方法在表面上重新生长具有低缺陷密度的氮化物半导体层，注入HCL气体，并使其在高温下反应 温度。 [数据]（S10）形成模板层;（S20）多孔蚀刻;（S30）再生长

公开(公告)号：KR1020170011932A

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：KR1020150119100

申请日：2015-08-24

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 우서휘 ,  최의호 ,  이상일 ,  남옥현

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311

Abstract: 본발명은질화물반도체기판제조방법에관한것으로서, 보다구체적으로는화학기상식각에의한공극및 열응력차이를이용하여질화물반도체기판을예비기판으로부터자발적으로분리(self-separation)되도록하여저결함질화물반도체기판을제조하는방법에관한것이다. 저결함질화문반도체기판제조방법으로서, 예비기판의상부에질화물반도체템플레이트층을형성시키는단계; 상기예비기판및 상기질화물반도체템플레이트층을화학기상식각하여, 상기예비기판과상기질화물반도체템플레이트층의계면에공극(void)을형성시키는단계; 상기질화물반도체템플레이트층상부에질화물반도체를재성장시켜상기질화물반도체템플레이트층을포함하는질화물반도체기판을형성시키는단계; 상기예비기판과상기질화물반도체기판이열응력차이에의하여상기예비기판과상기질화물반도체기판이자가분리(self-separation)되는단계;를포함할수 있다. 나아가, 상기각 단계는 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)를이용하여인시추(in-situ) 방식으로수행되는방법을개시한다.

公开(公告)号：KR101391960B1

公开(公告)日：2014-05-12

申请号：KR1020120048148

申请日：2012-05-07

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 남옥현 ,  이원석 ,  이동헌 ,  우서휘 ,  장종진

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/20

Abstract: 본 발명은 사파이어 등의 기판 위에 질화물 반도체층을 형성 후 HCL 가스를 주입하여 고온에서 반응시키는 HVPE, MOCVD, CVD 장비 등에서 건식 식각 방식에 의해 다공성(porous)으로 표면 개질하고, 그 위에 저 결함밀도를 갖는 질화물 반도체층이 재성장되도록 한 템플레이트층을 이용하여, 내부양자효율과 광추출 효율이 향상된 고품질 반도체 소자가 제조될 수 있는, 고품질 반도체 소자용 기판의 제조 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020130135440A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：KR1020120058992

申请日：2012-06-01

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 남옥현 ,  이원석 ,  이동헌 ,  우서휘 ,  장종진

IPC: H01L33/22

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/02458 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32

Abstract: The present invention relates to a high quality semiconductor substrate manufacturing method including a step of forming a nitride semiconductor layer and a mask patter on a substrate such as a sapphire substrate, a step of reforming the surface to become porous using a dry etching method before or after growing the nitride semiconductor layer once again, a step of re-growing the nitride semiconductor layer with a low defect density as a template layer, and a step of producing a high quality semiconductor device with an improved inner quantum yield and a light extraction efficiency. [Reference numerals] (S10) Form a nitride semiconductor layer;(S20) Form an insulating film pattern;(S30) Dry porous etch;(S40) Re-grow the nitride semiconductor layer

Abstract translation: 本发明涉及一种高质量的半导体衬底制造方法，其包括在诸如蓝宝石衬底的衬底上形成氮化物半导体层和掩模图案的步骤，使用干蚀刻方法将表面重整成多孔的步骤，或 在再次生长氮化物半导体层之后，以低缺陷密度重新生长氮化物半导体层作为模板层的步骤，以及制造具有改善的内量子产率和光提取效率的高质量半导体器件的步骤 。 （S10）形成氮化物半导体层;（S20）形成绝缘膜图案;（S30）干式多孔蚀刻;（S40）再次生长氮化物半导体层