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公开(公告)号：KR100356020B1
公开(公告)日：2002-10-12
申请号：KR1020000004124
申请日：2000-01-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/14
Abstract: 본 발명은 평면 도파로형 광소자 및 광증폭기의 제조에 있어 광 도파로의 클래드(clad)층과 도파로층인 코아(core)층을 효과적으로 제조하기 위한 방법에 관한 것으로서, 하부 클래드층은 화염가수분해법(FHD: Flame Hydrolysis Deposition)을 이용하여 제조하고, 도파로층은 액적 분무 화염가수분해법(AFD: Aerosol Flame Deposition)으로 제조하며, 상부 클래드층은 화염가수분해법, 액적 분무 화염가수분해법 또는 광학용 고분자 증착법으로 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명은 저손실 광도파로 제작이 가능한 화염가수분해법에 광도파층의 원소의 첨가를 정밀하게 제어할 수 있는 액적 분무 화염가수분해법을 동시에 활용함으로써 광분배소자, 파장분할기 등 평면형 광수동소자의 구현이 가능할 뿐만 아니라, 광도파로층에 광증폭 원소인 어븀(Erbium) 및 이트븀(Yttbium) 등의 희토류 원소를 효과적으로 첨가할 수 있으므로 평면 도파로형 광증폭기에서 발생하는 광산란을 최대한 억제하여, 저손실의 광증폭기용 실리카 도파로를 제조할 수 있다. 본 발명의 기술을 통하여 평면 광도파로형 광소자, 광증폭기 등을 제조하여 광통신 산업의 기반을 확보할 수 있으며, 광통신망에서 사용되는 다양한 도파로형 광소자 제작의 질적 향상을 도모할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100335368B1
公开(公告)日：2002-05-06
申请号：KR1019990059754
申请日：1999-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/26
Abstract: 본발명은희토류금속이온을함유하지않은저손실광도파로의클래드층상부또는하부에광증폭을위한희토류금속이온함유광도파로층을구비하여, 파장다중화기, 광분기기등과같은여러기능소자를저손실광도파로에집적할수 있는이중도파로형광증폭기를제공하는데특징이있다. 저손실광도파로의클래드층과희토류금속이온함유광도파로층사이에는방향성결합기를구성하여상하로광 결합이일어나게함으로써저손실도파로의장점과광증폭기능을동시에구현한다. 이와같이본 발명은신호광및 펌핑광의전송을주목적으로하는저손실광도파로의클래드층상부또는하부에희토류금속이온이함유된광증폭용도파로층을형성하여각각의광도파로층이가지고있는저손실전송기능과광증폭기능의장점을동시에갖는효율좋은이중도파로형광증폭기를제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020010076768A
公开(公告)日：2001-08-16
申请号：KR1020000004123
申请日：2000-01-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/13
Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing an optical amplifier of heterogeneous junction plane waveguide type is provided to integrate many kinds of low loss function elements and amplify an optical signal by inosculating an optical waveguide for a low loss and an optical waveguide for an optical amplification to be faced each other. CONSTITUTION: The optical amplifier of heterogeneous junction plane waveguide type includes inosculating an optical waveguide(300) for the low loss and an optical waveguide(400), including rare earth elements, for the optical amplification. The optical waveguide(400) is positioned on an upper part of the optical waveguide(300) that is cut off, and a part of the optical waveguide(400) is overlapped on the upper part of the optical waveguide(300). The junction of the each optical waveguide(300,400) is performed by an UV hardened epoxy resin or a spring(501).
Abstract translation: 目的：提供一种制造异种结平面波导型光放大器的方法，以集成多种低损耗功能元件，并通过对低损耗光波导进行插入放大和放大光信号，并将光放大的光波导放大为 面对对方 构成：异质结平面波导型光放大器包括用于低损耗的光波导（300）和包括稀土元素的光波导（400）用于光放大。 光波导（400）位于被切断的光波导（300）的上部，光波导（400）的一部分重叠在光波导（300）的上部。 每个光波导（300,400）的接点由UV硬化环氧树脂或弹簧（501）进行。
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公开(公告)号：KR1019990052206A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970071655
申请日：1997-12-22
Abstract: 본 발명은 실리카(Quartz,유리), 단결정 실리콘 기판위에 언도우프트(Undoped)코아층과 에르븀(Er)-도우프트 코아층을 선택적으로 형성하여 광증폭기를 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명은 단일 기판상에 언도우프트 코아층과 에르븀 코아층을 동일한 평면상에 형성하고, 이를 패터닝하여 입출력측의 도파로를 언도우프트 코아층으로 형성하고, 광증폭영역의 도파로를 에르븀-도우프트 코아층으로 형성하여 광증폭 특성을 향상시키고, 광섬유와의 접속손실과 도파로의 전송손실을 감소시켰다.-
公开(公告)号：KR100170195B1
公开(公告)日：1999-05-01
申请号：KR1019950049257
申请日：1995-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/10
Abstract: 본 발명은 광통신에 사용되는 수동부품을 별도의 기판위에 도파로를 형성하여 광신호의 흐름을 구성하고 광회로를 구현하는 유리막을 용이하게 형성하기 위한 실리카 미립자의 저온 고밀화 공정 및 그 장치에 관한 것으로 통상 화염가수분해법은 광섬유의 제조법인 VAD법에서 파생된 방법으로 상압, 고온의 토치내에 원료를 반응시켜 산화물 미립자를 형성하여 열처리로 고밀화된 유리막을 얻는 방법으로서 종래의 방법은 화염온도가 1200∼1250℃의 고온토치반응이라는 점과 미립자의 녹임공정온도가 1250∼1380℃로 높은 이유 때문에 발생하는 복굴절, 균열등의 문제가 완전히 배제되지 못하며 또한 동일한 고밀화 공정온도에서 점도의 조절이 용이하지 않아 오버 클래드막 증착후 평탄성이 열악한 문제가 있었다.
이와 같은 문제점을 해소하기 위하여 안출된 본 발명은 양질의 유리막을 형성하여 광부품의 손실을 근본적으로 개선하고 향후 광통신에서 사용될 각종 광부품의 질적향상을 위하여 고밀화 공정 최적화를 위한 공정방법 및 시스템으로서 실리콘기판과 유리막의 열팽창 계수의 차이에 따른 복굴절, 균열등의 문제를 해소하고 실리콘, 석영등의 기판위에 광회로를 구성하여 극저손실의 광수동부품을 제조할 수 있도록 FHD(화염 가수분해 증착)법을 이용하여 실리콘 기판위에 저손실의 실리카 도파로를 제조하기 위한 입자상의 실리카를 용융, 균일화하는 것이다.
본 발명은 저온화염으로 형성된 실리카 미립자의 고밀화를 기존의 방법보다 저온에서 공정하여 복굴절, 균열등의 문제를 감소시켜 FHD방법에서 가장 문제시 되는 기판의 크기를 증가시킬 수 있고, 또한 기존의 수평형으로 사용되던 고밀화 전기로를 수직형으로 설계하여 고온에서 석영 튜브의 휨현상을 제거 하였으며 좁은 가열 영역에서도 대량의 기판을 공정할 수 있게 함을 특징으로 하는 것임.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100170194B1
公开(公告)日：1999-05-01
申请号：KR1019950050103
申请日：1995-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/00
Abstract: 본 발명은 광통신에 사용되는 수동부품을 별도의 기판위에 도파로를 형성하여 광신호의 흐름을 구성하고 광회로를 구현하기 위한 저온화염가수분해증착장치의 반응토치에 관한 것으로 종래의 FHD 방법은 첫째 기판과 화염이 직접 접촉하는 공정으로 상온의 기판에 일부분을 접촉하기 때문에 열분포의 불균형이 발생할 수 있고, 둘째, 화염의 온도가 산화물 미립자의 녹는 온도와 유사하여 토치에 구성되어 있는 석영관내부에 유리녹음현상이 발생되어 공기중의 이물질과 접촉하여 미립자 증착층에 치명적인 오염을 유발시키는 문제점이 있었다.
본 발명은 종래의 FHD 방법에서 발생되는 손실문제를 근본적으로 개선하고, 향후 광통신망에서 사용될 도파로형 광수동부품의 질적향상을 위한 것으로 도파로형 광부품을 제조하기 위한 FHD 반응시스템에서 화염을 일으키며 화염의 형성점과 종방향의 균일한 성막을 위하여 앵글회전과 상하좌우 이동이 가능하도록 Step Moter에 의해 구동되며 석영관을 정밀 가공된 테프론 홀더블럭에 구성하여 오염여부나 동축형성의 불일치를 실시간에 보수 및 보정하도록 하고, 반응가스의 정밀한 제어와 더불어 중요한 역할을 하며, 원료의 반응온도를 낮추는 기능을 갖도록 한 No Shield 구조로 구성된 저온 화염가수분해증착장치의 반응토치에 관한 것임.-
公开(公告)号：KR1019980050935A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960069783
申请日：1996-12-21
IPC: G02B6/13
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야 수직형 자기 정렬 화염가수분해(FHD) 반응토치
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
본 발명은 FHD의 기존 토치의 앵글증착(40∼50도)에서 수직하향과 수직상향을 동시에 수용하므로써 안정한 화염형성, 반응길이의 증가로 기존의 문제점인 불안정한 화염과 기판과의 특정한 각도를 유지해야 하는 원료의 비효율성등과 시스템 구성의 제한등을 해소한 화염 가수분해 반응토치를 제공함에 그목적이 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 기판상에 실리카 미립자를 증착할 수 있도록 길이가 차별화된 다수의 동심원 관을 구비하여 반응원료 및 가스를 가수분해 반응시키는 버너를 포함하되, 상기 길이가 차별화된 동심원 관에 의해 방사되는 토치화염과 기판과의 접촉길이를 소정길이만큼 길게하여 상대적으로 저온화시켜 고균질의 실리카막을 기판에 증착하는 수직형 자기정렬 화염가수분해 반응 토치를 제공한다.
4. 발명의 중요한 용도
화염가수분해 토치의 화염을 기판과의 접촉길이를 늘려 상대적으로 저온화시켜 실리카막을 증착할 수 있도록 한 것임.-
公开(公告)号：KR1019960001789A
公开(公告)日：1996-01-25
申请号：KR1019940014061
申请日：1994-06-21
IPC: G02B6/10
Abstract: 본 발명은 광의 손실이 적은 석영유리 도파로에 높은 전기광학 특성을 부여하고 고속 및 저손실의 석영유리 도파로의 제조를 가능하게 하여 종래 석영유리 도파로가 각종 고속의 광소자들에 응용될 수 없었던 한계를 극복한 것이다. 따라서, 본 발명은 위상변조기를 비롯하여 광스위치, 광간섭기, 편광조절기 등의 각종 광부품들에 매우 유용하게 적용될 수 있다. 또한, 종래 석영유리 도포로가 갖는 응력유기 복굴절율에 의한 편광이방성 문제를 제거할 수 있다.
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