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公开(公告)号:KR1020150026805A
公开(公告)日:2015-03-11
申请号:KR1020140097114
申请日:2014-07-30
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H03H9/24 , B81B3/0035 , B81B2201/0285 , B81C1/00349 , B81C1/00436
Abstract: 진동 영역의 양 끝을 감싸는 형상으로 형성된 지지부를 포함하는 진동 소자 및 그 제조 방법이 개시된다.
진동 소자는 상부에 절연층이 형성된 하부 기판; 상기 절연층의 위에 결합되며, 하부 기판과 일정 거리 이상 이격되어 진동하는 진동 영역을 포함하는 상부 기판; 및 상기 진동 영역의 양끝을 감싸는 형태로 형성되어 상기 진동 영역을 지지하는 지지부를 포함할 수 있다.Abstract translation: 公开了一种振动装置及其制造方法,该振动装置包括围绕振动区域的两端的支撑部。 振动装置可以包括其上形成有绝缘层的下基板; 与绝缘层组合的上基板,包括与下基板隔开一定距离振动的振动区域; 以及支撑部,其围绕振动区域的两端并且支撑振动区域。
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公开(公告)号:KR1020150020008A
公开(公告)日:2015-02-25
申请号:KR1020140015713
申请日:2014-02-11
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 진동 디바이스와 관련된다. 진동 디바이스는 진동이 가능하고 광 도파로 기능을 하는 적어도 하나의 진동자와, 진동자를 진동시키는 전기장 공급부와, 진동자에 광을 입력하는 광 입력부, 및 전기장 공급부에 의해 진동자가 진동할 때 광 도파로를 거쳐 출사되는 광량 변화를 감지하는 광 감지부를 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种振动装置,更具体地说,涉及一种基于光学传感器的振动装置。 根据本发明,光传感器可以检测随着光波导特性振动的振动器振动的光波导特性的变化。 振动装置包括:至少一个振动器,其能够振动并用作光波导; 振动器的电场供给单元; 光输入单元,其将光输入到振动器中; 以及光检测单元,其检测当所述电场供应单元振动所述振动器时通过所述光波导发射的辐射的强度的变化。
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公开(公告)号:KR1020140023202A
公开(公告)日:2014-02-26
申请号:KR1020130024629
申请日:2013-03-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01N21/00 , C12Q1/68 , G01N33/483
CPC classification number: G01N21/00 , C12Q1/6834 , C12Q1/6876 , G01N33/483
Abstract: Disclosed are a bio sensor and a bio substance sensing device with the bio sensor. The sensing device comprises: a light source for supplying quantinized photons; a substrate separated from the light source; a single photon sensor layer arranged on the substrate to detect the photons; and an adsorption layer covering the single photon sensor, penetrating the photons, and adsorbing bio substances between the light source and the substrate.
Abstract translation: 公开了具有生物传感器的生物传感器和生物物质感测装置。 感测装置包括:用于提供量化光子的光源; 与光源分离的基板; 布置在基板上以检测光子的单个光子传感器层; 以及覆盖单个光子传感器,穿透光子并在光源和基板之间吸附生物物质的吸附层。
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公开(公告)号:KR1020140102944A
公开(公告)日:2014-08-25
申请号:KR1020130016481
申请日:2013-02-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L27/146 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L27/14609 , H01L27/14689 , H01L31/022408 , H01L31/028 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L27/1463
Abstract: The present invention relates to a silicon photomultiplier and a method for manufacturing the silicon photomultiplier. A silicon photomultiplier according to one embodiment of the present invention includes an insulating layer which isolates a pixel in a device; and a decrement resistance which is formed in the upper part of the insulating layer and maximizes the area of a light receiving region.
Abstract translation: 硅光电倍增管及其制造方法技术领域本发明涉及一种硅光电倍增管及其制造方法。 根据本发明的一个实施例的硅光电倍增管包括隔离器件中的像素的绝缘层; 以及形成在绝缘层的上部并使光接收区域的面积最大化的减小电阻。
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