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公开(公告)号：WO2015182888A1
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：PCT/KR2015/004331
申请日：2015-04-29
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/786
Abstract: 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극 상에 절연체층을 형성하는 단계, 산소 가스를 포함하는 혼합가스 분위기 하에서 상기 절연체층 상에 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계, 상기 산화물 반도체 박막과 전기적으로 접속하는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 및 상기 산화물 반도체 박막 상에 UV 광을 조사하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 산소 공공을 감소시킴과 동시에 이동도를 향상시킬 수 있다. 또한, 산화물 박막 트랜지스터 소자의 안정성을 개선시킬 수 있다.
Abstract translation: 提供一种氧化物半导体薄膜晶体管制造方法。 该制造方法包括以下步骤：在衬底上形成栅电极; 在栅电极上形成绝缘体层; 在包括氧气的混合气体气氛下在绝缘体层上形成氧化物半导体薄膜; 形成与氧化物半导体薄膜电连接的源电极和漏电极; 并将UV光照射到氧化物半导体薄膜上。 制造方法既能减少氧空位，又能提高流动性。 此外，可以提高氧化物薄膜晶体管元件的稳定性。
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公开(公告)号：WO2015119418A1
公开(公告)日：2015-08-13
申请号：PCT/KR2015/001125
申请日：2015-02-04
Applicant: 주식회사 레이언스 , 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14692 , H01L27/14609
Abstract: 본 발명은 산화물반도체의 손상을 방지하여 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 방안을 제공하는 데 과제가 있다. 본 발명은 소스전극 및 드레인전극과; 상기 소스전극 및 드레인전극과 접촉하는 산화물반도체층과; 상기 산화물반도체층 상에 형성된 게이트절연막과; 상기 게이트절연막 상에 형성된 게이트전극과; 상기 드레인전극과 연결되는 포토다이오드를 포함하는 이미지센서를 제공한다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种用于防止对氧化物半导体的任何损坏从而改善电气特性的方案。 本发明提供了一种图像传感器，包括：源电极和漏电极; 与源电极和漏电极接触的氧化物半导体层; 形成在所述氧化物半导体层上的栅极绝缘膜; 形成在栅极绝缘膜上的栅电极; 以及连接到漏电极的光电二极管。
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公开(公告)号：WO2015160152A1
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：PCT/KR2015/003662
申请日：2015-04-13
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L29/861
CPC classification number: H01L29/861
Abstract: 정류 다이오드 및 그 제조방법을 제공한다. 이러한 정류 다이오드는 절연체 물질을 포함하는 절연체층 및 상기 절연체층 상에 위치하고, n형 ZnO 계열 산화물 반도체를 포함하는 반도체층을 포함하고, 상기 절연체층과 상기 반도체층 사이에서 정류특성을 갖는 것을 특징으로 한다. 따라서, 향상된 전기적 특성을 갖는 정류 다이오드를 제공할 수 있다. 또한, 기존 산화물 다이오드와 비교하였을 때 많은 제약을 받는 P-type 산화물 반도체를 절연체층으로 대체함에 따라, 재료선택의 폭이 보다 넓어질 수 있다. 따라서, 전기적 특성 변화의 조절 범위 또한 넓힐 수 있다.
Abstract translation: 提供一种整流二极管及其制造方法。 整流二极管包括：绝缘体层，包括绝缘体材料; 以及位于绝缘体层上并包括n型ZnO基氧化物半导体的半导体层，其中在绝缘体层和半导体层之间呈现整流特性。 因此，可以提供具有改进的电特性的整流二极管。 此外，与传统的氧化物二极管相比，本发明提供了更广泛的材料选择，因为具有许多限制的P型氧化物半导体被绝缘体层代替。 因此，也可以扩大调整电气特性变化的范围。
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公开(公告)号：KR1020150136726A
公开(公告)日：2015-12-08
申请号：KR1020140063967
申请日：2014-05-27
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/786
Abstract: 산화물반도체박막트랜지스터의제조방법을제공한다. 상기제조방법은기판상에게이트전극을형성하는단계, 상기게이트전극상에절연체층을형성하는단계, 산소가스를포함하는혼합가스분위기하에서상기절연체층상에산화물반도체박막을형성하는단계, 상기산화물반도체박막과전기적으로접속하는소스전극및 드레인전극을형성하는단계, 및상기산화물반도체박막상에 UV 광을조사하는단계를포함한다. 이에따라, 산소공공을감소시킴과동시에이동도를향상시킬수 있다. 또한, 산화물박막트랜지스터소자의안정성을개선시킬수 있다.
Abstract translation: 提供一种用于制造氧化物半导体薄膜晶体管的方法。 该制造方法包括以下步骤：在基板上形成栅电极; 在栅电极上形成绝缘层; 在包含氧气的混合气体气氛中，在所述绝缘层上形成氧化物半导体薄膜; 形成与氧化物半导体薄膜电连接的源电极和漏电极; 并向氧化物半导体薄膜照射紫外线，从而减少氧空位和提高迁移率。 此外，该方法可以提高氧化物薄膜晶体管器件的稳定性。
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公开(公告)号：KR100998257B1
公开(公告)日：2010-12-03
申请号：KR1020080076755
申请日：2008-08-06
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786
Abstract: 비정질 박막의 결정화방법 및 이를 수행하기 위한 배선구조가 개시된다. 본 발명에 따른 비정질 박막의 결정화를 위한 배선구조는 기본 유닛이 2×2의 매트릭스 형태로 배열되는 1차 유닛으로부터 상기 기본 유닛이 2
n ×2
n (n은 2 이상의 자연수)의 매트릭스 형태로 배열되는 n차 유닛으로 확장 배열 가능하다. 기본 유닛은 2×2의 매트릭스 형태로 배열된 비정질 박막을 포함하는 셀을 구비한다. 그리고 각 열에 배열된 2개의 셀의 일측을 연결시키는 2개의 (+)셀전극과 각 열에 배열된 2개의 셀의 타측을 연결시키는 2개의 (-)셀전극을 구비한다. 그리고 2개의 (+)셀전극을 연결시키는 (+)연결전극과 2개의 (-)셀전극을 연결시키는 (-)연결전극을 구비한다. 본 발명에 따르면, FALC 공정의 결정화를 위한 배선구조를 개선함으로써 매트릭스 형태로 배열된 모든 비정질 박막에 흐르는 전류밀도를 균일하게 할 수 있게 된다. 따라서 모든 비정질 박막의 균일한 결정화가 가능하게 된다.
FALC, TFT-LCD, OLED, 전류밀도, 다결정 실리콘Abstract translation: 公开了一种非晶薄膜的结晶方法和用于实施该方法的布线结构。 根据本发明的用于非晶薄膜结晶化的布线结构的特征在于，基本单元以2'
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100980211B1
公开(公告)日：2010-09-03
申请号：KR1020080101707
申请日：2008-10-16
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L31/0525
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 태양광 에너지를 전기 에너지로 변환하는 광전변환부; 및 태양열 에너지를 전기 에너지로 변환하는 열전변환부를 포함하여 이루어지는 태양 에너지를 이용한 발전장치에 관한 것으로서,
본 발명에 따르면 광전변환부를 통해 태양광 에너지를 전기 에너지로 변환함과 동시에 열전변환부를 통해 태양열 에너지를 전기 에너지로 변환함으로써 발전 효율을 극대화할 수 있는 효과가 있다.
태양 에너지, 발전장치, 태양광 에너지, 태양열 에너지, 열전 반도체-
公开(公告)号：KR1020090089963A
公开(公告)日：2009-08-25
申请号：KR1020080015149
申请日：2008-02-20
Applicant: 한양대학교 산학협력단
CPC classification number: C23C16/36 , C23C16/45574
Abstract: A method for forming a silicon film is provided to prevent degradation of device characteristics by forming Si-CN coupling not only the surface of the silicon film also the inside with a CN- ion. A method for forming a silicon film includes the following steps of: providing a CN- ion in an evaporation chamber; forming Si-CN coupling on the surface and an inner side of the silicon film; and injecting KCN, HCN or CN2 into the evaporation chamber through a separated injection hole. An apparatus(1) for thin film evaporation includes a gas line(5c) and a gas feed unit(6c). A silicon source and reaction gas are supplied through the gas line to the gas feed unit.
Abstract translation: 提供一种用于形成硅膜的方法，以通过不仅使硅膜的表面与内部的CN-离子形成Si-CN耦合来防止器件特性的劣化。 一种形成硅膜的方法包括以下步骤：在蒸发室中提供CN-离子; 在硅膜的表面和内侧形成Si-CN耦合; 并通过分离的注入孔将KCN，HCN或CN2注入蒸发室。 用于薄膜蒸发的装置（1）包括气体管线（5c）和气体供给单元（6c）。 通过气体管线将硅源和反应气体供应到气体供给单元。
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公开(公告)号：KR101498635B1
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：KR1020130094024
申请日：2013-08-08
Applicant: 주식회사 레이언스 , 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14632 , H01L27/14687 , H01L27/14692 , H01L29/78618 , H01L29/78633 , H01L29/7869
Abstract: 본 발명은 게이트전극 상에 형성된 산화물반도체층과; 상기 산화물반도체층의 채널영역의 표면에 형성된 산화막과; 상기 산화물반도체층 상에, 상기 채널영역을 사이에 두고 이격된 소스전극 및 드레인전극과; 상기 소스전극 및 드레인전극 상에, 상기 산화막을 덮는 식각방지막과; 상기 드레인전극과 연결되는 포토다이오드를 포함하는 이미지센서를 제공한다.
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公开(公告)号：KR100860011B1
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：KR1020060085631
申请日：2006-09-06
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 주기적 급속 열처리에 의한 p형 산화아연의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 증착된 n형 산화아연 박막에 억셉터 형성을 위한 p형 도판트용 원소를 도핑하여 선택적으로 주입하고, 펄스 형식의 주기적 급속 열처리(Pulsed Rapid Thermal Annealing, PRTA)를 수행함으로써, 종래의 p형 산화아연 제조방법과는 달리 기판의 열처리에 의한 손상이 없이 p형 산화아연으로의 전환이 가능하여 저온의 녹는점을 가지는 기판에도 도입할 수 있는 주기적 급속 열처리에 의한 p형 산화아연의 제조방법에 관한 것이다.
n형 산화아연, p형 산화아연, 저온, 펄스, 급속 열처리-
10.发明授权ＦＡＬＣ 공정을 이용한 다결정 실리콘 ＴＦＴ-ＬＣＤ어레이 기판 제조시 채널 영역의 결정화 방법 및 채널 구조 失效用于使用FALC工艺和沟道区域布置结构的多晶硅TFT-LCD阵列衬底制造的沟道区域中的结晶方法
公开(公告)号：KR100680006B1
公开(公告)日：2007-02-08
申请号：KR1020040049528
申请日：2004-06-29
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: G02F1/136
Abstract: 본 발명은 기존의 FALC 공정을 적용한 저온 다결정 실리콘 TFT-LCD 어레이 기판 제조시 트랜지스터 채널 영역의 애스펙트비(aspect ratio)를 조절하여 TFT 소자의 채널 영역 내 결정화 효율을 향상시키는 방법에 관한 것이다.
기존 TFT 소자 내 정형화된 채널 영역의 애스펙트비(width/length=1 또는 2)로 인해 FALC 공정 적용시 채널 영역의 결정화 시간이 연장되고, 또한 결정화도에 있어서도 어느 정도 이상 증가하지 못하게 되어 이에 따른 유동성의 한계성이 나타나게 되는데, 본 발명에서는 FALC 공정의 주요변수인 전류 영향을 최적화할 수 있는 구조로 설계하여 결정화시킴으로 그러한 한계성을 극복하고자 하였다.
다시 말해서, FALC공정시 결정화 효율이 전류의 영향을 받는 다는 점에 주목하여 결정화 통로역할을 하는 채널 영역 내 전류의 흐름을 채널 애스펙트비 조절을 통해 최적화함으로 결정화 효율을 향상시켰다.
본 발명에 따라 최적 설계된 애스펙트비를 갖는 채널 내 FALC 공정을 적용한 저온 다결정 실리콘 TFT-LCD 제조 방법에 의하면 같은 면적을 갖는 채널들 간의 애스펙트비를 1 이하로 설정함으로써 결정화 속도의 증가와 결정화도 향상 등의 보다 향상된 결정화 효율을 얻을 수 있게 된다.
따라서, 간단한 공정변화로 TFT의 채널 영역의 결정화 시간 및 결정화도를 높임으로 향상된 TFT의 응답 속도를 기대할 수 있다.
다결정 실리콘, TFT-LCD, 결정화도, 채널영역의 결정화, 애스펙트비(aspect ratio), 전계 인가, 열처리, 전계 유도 방향성 결정화(FALC)
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