MONTIEREN VON CHIPS DURCH STAPELN MIT ROTATION

    公开(公告)号:DE112020000155T5

    公开(公告)日:2021-07-29

    申请号:DE112020000155

    申请日:2020-01-13

    Applicant: IBM

    Abstract: Es wird eine Technik für ein Montieren einer Mehrzahl von Chips offenbart. Es wird eine Mehrzahl von Chip-Schichten hergestellt, die jeweils zumindest einen Chip-Block aufweisen. Jeder Chip-Block weist eine Mehrzahl von Elektroden auf, denen die gleiche Funktion zugewiesen ist. Die Mehrzahl der Chip-Schichten wird der Reihe nach mit Rotation gestapelt, um so zumindest einen Stapel aus sich überlappenden Chip-Blöcken zu konfigurieren. Jeder Stapel enthält eine Mehrzahl von Gruppen vertikal angeordneter Elektroden mit Verschiebungen in der horizontalen Ebene. Für zumindest eine der Gruppen wird eine Durchgangsbohrung zumindest zum Teil in die Mehrzahl der Chip-Schichten hinein gebildet, um so Elektrodenoberflächen von vertikal angeordneten Elektroden in der Gruppe freizulegen. Die Durchgangsbohrung wird mit einem leitfähigen Material gefüllt.

    VERHINDERUNG EINES TROPFENS VON MATERIAL BEI EINER MATERIALINJEKTION

    公开(公告)号:DE112020002366T5

    公开(公告)日:2022-01-27

    申请号:DE112020002366

    申请日:2020-05-04

    Applicant: IBM

    Abstract: Eine Injektionsvorrichtung zum Injizieren eines Materials wird offenbart. Die Injektionsvorrichtung enthält einen Behälter zum Lagern des Materials. Die Injektionsvorrichtung enthält des Weiteren einen Kopfkörper, der eine Fläche zum Kontaktieren eines Substrats und einen an der Fläche geöffneten Öffnungsteil zum Austragen des Materials in Fluidverbindung mit dem Behälter aufweist. Die Injektionsvorrichtung enthält des Weiteren ein mit dem Öffnungsteil verbundenes Element, wobei das Element ermöglicht, dass ein Gas in den Öffnungsteil einströmt und aus diesem ausströmt.

    Verfahren zum Montieren von Chips durch Stapeln mit Rotation und gestapelte Chip-Struktur

    公开(公告)号:DE112020000155B4

    公开(公告)日:2022-01-13

    申请号:DE112020000155

    申请日:2020-01-13

    Applicant: IBM

    Abstract: Verfahren, das aufweist:Herstellen einer Mehrzahl von Chip-Schichten, die jeweils zumindest einen Chip-Block aufweisen, wobei jeder Chip-Block eine Mehrzahl von Elektroden aufweist, denen eine gleiche Funktion zugewiesen ist;Stapeln der Mehrzahl der Chip-Schichten der Reihe nach mit einer Rotation, um so zumindest einen Stapel aus sich überlappenden Chip-Blöcken zu bilden, wobei jeder Stapel eine Mehrzahl von Gruppen vertikal angeordneter Elektroden mit Verschiebungen in der horizontalen Ebene enthält;für zumindest eine der Mehrzahl von Gruppen Bilden einer Durchgangsbohrung zumindest zum Teil in die Mehrzahl der Chip-Schichten hinein, um so Elektrodenoberflächen vertikal angeordneter Elektroden in der zumindest einen der Mehrzahl von Gruppen freizulegen; undFüllen der Durchgangsbohrung mit einem leitfähigen Material.

    VERBINDUNGSPAD-STRUKTUR MIT FEINEM RASTERABSTAND

    公开(公告)号:DE112023001643T5

    公开(公告)日:2025-04-03

    申请号:DE112023001643

    申请日:2023-02-19

    Applicant: IBM

    Abstract: Eine Halbleitereinheit enthält zwei Chips mit integrierten Schaltungen (IC). Der erste IC-Chip enthält ein Substrat, einen Abstandshalter, der mit dem Substrat verbunden ist und Löcher aufweist, wobei wenigstens eines der Löcher eine erste Form aufweist, und Löthöcker, die jeweils in den Löchern angeordnet sind. Der zweite IC-Chip enthält ein Substrat, Elektrodenpads, die von dem Substrat ausgehen und jeweils mit den Löthöckern verbunden sind. Wenigstens eines der Elektrodenpads, das dem wenigstens einen der Löthöcker entspricht, weist eine zweite Form auf, und die erste Form und die zweite Form sind nicht deckungsgleich, so dass wenigstens eine Lücke zwischen der ersten Form und der zweiten Form vorliegt, wenn sie aufeinander projiziert werden.

    BILDEN EINER BUMP-STRUKTUR
    6.
    发明专利

    公开(公告)号:DE112020004228T5

    公开(公告)日:2022-06-15

    申请号:DE112020004228

    申请日:2020-09-22

    Applicant: IBM

    Abstract: Es wird eine Technik zum Herstellen einer Bump-Struktur offenbart. Es wird ein Substrat hergestellt, das einen Satz von Kontaktstellen aufweist, die auf einer Oberfläche desselben ausgebildet sind, wobei die Kontaktstellen ein erstes leitfähiges Material aufweisen. Jede Kontaktstelle wird mit einer metallischen Adhäsionsschicht beschichtet. Auf jeder Kontaktstelle wird durch Sintern leitfähiger Partikel unter Verwendung einer Formschicht eine Bump-Basis gebildet, wobei die leitfähigen Partikel ein zweites leitfähiges Material aufweisen, das sich von dem ersten leitfähigen Material unterscheidet.

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