公开(公告)号：DE112012003057T5

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：DE112012003057

申请日：2012-03-12

Applicant: IBM

Inventor： HEKMATSHOAR-TABARI BAHMAN ,  HOPSTAKEN MARINUS ,  PARK DAE-GYU ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHIDI GHAVAM G ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L21/265

Abstract: Ein Verfahren zum Ausbilden eines Halbleitermaterials einer Photovoltaikeinheit, das ein Bereitstellen einer Fläche eines Materials, das hydriertes, amorphes Silicium enthält, und ein Tempern des Materials, das hydriertes, amorphes Silicium enthält, in einer Deuterium enthaltenden Atmosphäre beinhaltet. Deuterium aus der Deuterium enthaltenden Atmosphäre wird in das Gitter des Materials, das hydriertes, amorphes Silicium enthält, durch die Fläche des Materials eingebracht, das hydriertes, amorphes Silicium enthält. Bei einigen Ausführungsformen erhöht das Deuterium, das in das Gitter des Materials eingebracht wird, das hydriertes, amorphes Silicium enthält, die Stabilität des Materials, das hydriertes, amorphes Silicium enthält.