公开(公告)号：DE112017005266T5

公开(公告)日：2019-08-14

申请号：DE112017005266

申请日：2017-10-09

Applicant: IBM

Inventor： HUNG LI-WEN ,  LAI JUI-HSIN

IPC: A61B5/11 ,  G01K1/02 ,  G08B21/18

Abstract: Ein Thermo-Tag für die Aktivitätsüberwachung. Das Thermo-Tag beinhaltet eine Basisschicht mit einer Mehrzahl von Metallleitungen, um eine Leiterbahn bereitzustellen, und eine Musterschicht mit einem oder mehreren infrarotemittierenden Merkmalen, die über Teilen der Leiterbahn angeordnet sind, wobei mindestens ein infrarotemittierendes Merkmal mit der Leiterbahn gekoppelt ist, um gemäß einer in der Nähe stattfindenden Aktivität ein vorbestimmtes Infrarotmuster zu emittieren.

公开(公告)号：DE112016004442T5

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：DE112016004442

申请日：2016-12-02

Applicant: IBM

Inventor： KNICKERBOCKER JOHN ,  GELORME JEFFREY DONALD ,  HUNG LI-WEN ,  ANDRY PAUL ,  DANG BING ,  YANG CORNELIA TSANG

IPC: H01L23/32

Abstract: Verschiedene Ausführungsformen verarbeiten Halbeitereinheiten (202, 302). In einer Ausführungsform wird eine Ablösungsschicht (210) auf eine Handhabungsvorrichtung (204) aufgebracht. Die Ablösungsschicht (210) weist mindestens einen Zusatzstoff auf, der eine Frequenz einer elektromagnetischen Strahlungsabsorptionseigenschaft der Ablösungsschicht (210) einstellt. Der Zusatzstoff weist beispielsweise einen chemischen Absorber für 355 nm und/oder einen chemischen Absorber für eine von mehreren Wellenlängen in einem Bereich auf, der 600 nm bis 740 nm umfasst. Die mindestens eine vereinzelte Halbleitereinheit (202) wird an die Handhabungsvorrichtung (204) gebondet. Die mindestens eine vereinzelte Halbleitereinheit (202) wird eingehaust, während sie an die Handhabungsvorrichtung (204) gebondet ist. Die Ablösungsschicht (210) wird durch Bestrahlen der Ablösungsschicht durch die Handhabungsvorrichtung (204) hindurch mit einem Laser (214) abgetragen. Die mindestens eine vereinzelte Halbleitereinheit (202) wird, nachdem die Ablösungsschicht (210) abgetragen wurde, von der transparenten Handhabungsvorrichtung (204) entfernt.

公开(公告)号：DE112015004453B4

公开(公告)日：2022-01-27

申请号：DE112015004453

申请日：2015-10-19

Applicant: IBM

Inventor： GELORME JEFFREY ,  HUNG LI-WEN ,  ANDRY PAUL ,  KANG-I TSANG CORNELIA ,  KNICKERBOCKER JOHN ,  ALLEN ROBERT DAVID

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/02

Abstract: Verfahren zum Ausbilden einer Halbleitereinheit, das aufweist:Verbinden eines Handhabungs-Wafers mit einer Vorderfläche eines Einheiten-Wafers mit einem phenoxyharzhaltigen Haftmittel, wobei das Phenoxyharz eine Viskosität in einem Bereich von 100 bis 10.000 Pa·s bei einer Temperatur in einem Bereich von 160 °C bis 210 °C und unter einem Druck von 1.000 mbar pro Fläche bei einer Wafer-Größe von 8 Zoll bei dem Einheiten-Wafer und/oder dem Handhabungs-Wafer aufweist;Vermindern der Dicke des Einheiten-Wafers von der Rückseite des Einheiten-Wafers aus, während der Einheiten-Wafer haftend an dem Handhabungs-Wafer anliegt; undEntfernen des phenoxyharzhaltigen Haftmittels durch Laser-Ablösen, wobei der Einheiten-Wafer von dem Handhabungs-Wafer getrennt wird.

公开(公告)号：DE112016004442B4

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：DE112016004442

申请日：2016-12-02

Applicant: IBM

Inventor： KNICKERBOCKER JOHN ,  GELORME JEFFREY DONALD ,  HUNG LI-WEN ,  ANDRY PAUL ,  DANG BING ,  YANG CORNELIA TSANG

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/56

Abstract: Verfahren zum Verarbeiten von Halbleitereinheiten, wobei das Verfahren Folgendes aufweist:Aufbringen (102) einer Ablösungsschicht (210) auf eine transparente Handhabungsvorrichtung (204),Bonden mindestens einer vereinzelten Halbleitereinheit (202) an die transparente Handhabungsvorrichtung,Einhausen (106) der mindestens einen vereinzelten Halbleitereinheit, während sie an die transparente Handhabungsvorrichtung gebondet ist,Abtragen (110) der Ablösungsschicht durch Bestrahlen der Ablösungsschicht durch die transparente Handhabungsvorrichtung hindurch mit einem Laser (214) undEntfernen (112) der mindestens einen vereinzelten Halbleitereinheit von der transparenten Handhabungsvorrichtung, nachdem die Ablösungsschicht abgetragen wurde,wobei die Ablösungsschicht mindestens ein Zusatzmaterial aufweist undwobei das mindestens eine Zusatzmaterial eine Frequenz einer elektromagnetischen Strahlungsabsorptionseigenschaft der Ablösungsschicht einstellt, wobei:das mindestens eine Zusatzmaterial ein erstes Zusatzmaterial und ein zweites Zusatzmaterial aufweist, wobei es sich bei dem ersten Zusatzmaterial um einen chemischen Absorber für eine Wellenlänge von 355 nm und bei dem zweiten Zusatzmaterial um einen chemischen Absorber für eine von mehreren Wellenlängen in einem Bereich handelt, der 600 nm bis 740 nm umfasst, und wobei das erste und das zweite Zusatzmaterial jeweils bei einer Temperatur von ≥ 250 °C thermisch stabil sind; oderes sich bei dem mindestens einen Zusatzmaterial um einen chemischen Absorber für 355 nm in einem Phenoxy-Basismaterial handelt, oderes sich bei dem mindestens einen Zusatzmaterial um 2,5-Bis(2-benzimidazolyl)-pyridin handelt; oderes sich bei dem mindestens einen Zusatzmaterial um Folgendes handelt:wobei R Methylcyclohexan oder n-Butyl ist; oderdas mindestens eine Zusatzmaterial chemischer Absorber für eine von mehreren Wellenlängen in einem Bereich ist, der 600 nm bis 740 nm umfasst, und vollständig in Cyclohexanon löslich ist.

公开(公告)号：DE112017005263T5

公开(公告)日：2019-08-22

申请号：DE112017005263

申请日：2017-09-15

Applicant: IBM

Inventor： HUNG LI-WEN ,  LAI JUI-HSIN

IPC: G06F3/0481

Abstract: Ein Thermo-Tag enthält eine Stromquelle zum Erzeugen von Strom entlang eines Widerstandswegs und eine Mehrzahl von infrarotemittierenden Elementen, die entlang des Widerstandswegs positioniert sind, um infrarotes Licht entlang eines infrarotemittierenden Musters auszustrahlen, wobei die Mehrzahl von infrarotemittierenden Elementen einen oder mehrere infrarotemittierende Streifen auf einer ersten Oberfläche des Thermo-Tags enthält, die einen Musterbereich definieren, und eine Mehrzahl von infrarotemittierenden Punkten in einem Abschnitt des Musterbereichs, um ein thermodiffusionsbeständiges Muster zur Aktivitätsüberwachung bereitzustellen.

公开(公告)号：DE112015004453T5

公开(公告)日：2017-07-20

申请号：DE112015004453

申请日：2015-10-19

Applicant: IBM

Inventor： GELORME JEFFREY ,  HUNG LI-WEN ,  ANDRY PAUL ,  KANG-I TSANG CORNELIA ,  KNICKERBOCKER JOHN ,  ALLEN ROBERT DAVID

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/02

Abstract: Ein Verfahren zum haftenden Verbinden bei einer Bearbeitung von Mikroelektronikeinheiten wird bereitgestellt, das ein Verbinden eines Handhabungs-Wafers mit einer Vorderseite eines Einheiten-Wafers mit einem phenoxyharzhaltigen Haftmittel; und ein Vermindern der Dicke des Einheiten-Wafers von der Rückseite des Einheiten-Wafers aus beinhaltet, während der Einheiten-Wafer haftend an dem Handhabungs-Wafer anliegt. Nachdem die Dicke des Einheiten-Wafers vermindert worden ist, kann das phenoxyharzhaltige Haftmittel durch Laser-Ablösen entfernt werden, wobei der Einheiten-Wafer von dem Handhabungs-Wafer getrennt wird.