公开(公告)号：EP2255361A4

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：EP09722811

申请日：2009-02-26

Applicant: IBM

Inventor： ASSEFA SOLOMON ,  KANAKASABAPATHY SIVANANDA K ,  NOWAK JANUSZ JOZEF ,  TROUILLOUD PHILIP L

IPC: G11C11/16 ,  H01L23/552 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L27/228 ,  G11C11/1659 ,  H01L43/08 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Techniques for shielding magnetic memory cells from magnetic fields are presented. In accordance with aspects of the invention, a magnetic storage element is formed with at least one conductive segment electrically coupled to the magnetic storage element. At least a portion of the conductive segment is surrounded with a magnetic liner. The magnetic liner is operative to divert at least a portion of a magnetic field created by a current passing through the conductive segment away from the magnetic storage element.

公开(公告)号：WO2009117228A3

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：PCT/US2009035285

申请日：2009-02-26

Applicant: IBM ,  ASSEFA SOLOMON ,  KANAKASABAPATHY SIVANANDA K ,  NOWAK JANUSZ JOZEF ,  TROUILLOUD PHILIP L

Inventor： ASSEFA SOLOMON ,  KANAKASABAPATHY SIVANANDA K ,  NOWAK JANUSZ JOZEF ,  TROUILLOUD PHILIP L

IPC: G11C11/00

CPC classification number: H01L27/228 ,  G11C11/1659 ,  H01L43/08 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Techniques for shielding magnetic memory cells from magnetic fields are presented. In accordance with aspects of the invention, a magnetic storage element is formed with at least one conductive segment electrically coupled to the magnetic storage element. At least a portion of the conductive segment is surrounded with a magnetic liner. The magnetic liner is operative to divert at least a portion of a magnetic field created by a current passing through the conductive segment away from the magnetic storage element.

Abstract translation: 介绍了磁场对磁记忆体进行屏蔽的技术。 根据本发明的方面，磁存储元件形成有至少一个电耦合到磁存储元件的导电段。 导电段的至少一部分被磁性衬垫包围。 磁性衬垫可操作以将由导电段流过的电流产生的磁场的至少一部分转移离开磁存储元件。

公开(公告)号：DE112021000348B4

公开(公告)日：2024-12-05

申请号：DE112021000348

申请日：2021-02-01

Applicant: IBM

Inventor： HASHEMI POUYA ,  DORIS BRUCE ,  NOWAK JANUSZ JOZEF ,  SUN JONATHAN ZANHONG

IPC: H10N50/01 ,  G11C11/16 ,  H10B61/00 ,  H10N50/80

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Einheit mit doppeltem magnetischen Tunnelübergang, das Verfahren aufweisend:Ausbilden eines ersten magnetischen Tunnelübergangsstapels (204);Ausbilden einer Spin-leitenden Schicht (206) auf dem ersten magnetischen Tunnelübergangsstapel;Ausbilden einer zweiten Spin-leitenden Schicht auf der Spin-leitenden Schicht, wobei die zweite Spin-leitende Schicht eine Breite aufweist, die größer als eine Breite der Spin-leitenden Schicht und größer als die Breite des ersten magnetischen Tunnelübergangsstapels ist;Ausbilden eines zweiten magnetischen Tunnelübergangsstapels (704) auf der Spin-leitenden Schicht, wobei der zweite magnetische Tunnelübergangsstapel eine Breite aufweist, die größer als eine Breite des ersten magnetischen Tunnelübergangsstapels ist; undAusbilden einer ersten dielektrischen Schicht (502) auf Seiten des ersten magnetischen Tunnelübergangsstapels und auf Seiten der Spin-leitenden Schicht.

公开(公告)号：DE112021000348T5

公开(公告)日：2022-09-22

申请号：DE112021000348

申请日：2021-02-01

Applicant: IBM

Inventor： HASHEMI POUYA ,  DORIS BRUCE ,  NOWAK JANUSZ JOZEF ,  SUN JONATHAN ZANHONG

IPC: H01L27/22 ,  G11C11/16 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

Abstract: Es ist ein Verfahren zum Herstellen einer Einheit mit doppeltem magnetischen Tunnelübergang vorgesehen. Das Verfahren umfasst ein Ausbilden eines ersten magnetischen Tunnelübergangsstapels (204), Ausbilden einer Spin-leitenden Schicht (206) auf dem ersten magnetischen Tunnelübergangsstapel (204) und Ausbilden eines zweiten magnetischen Tunnelübergangsstapels (704) auf der Spin-leitenden Schicht (206). Der zweite magnetische Tunnelübergangsstapel (704) hat eine Breite, die größer als eine Breite des ersten magnetischen Tunnelübergangsstapels (204) ist. Die Einheit mit doppeltem magnetischen Tunnelübergang kann eine Erhöhung der Schalteffizienz gegenüber einer verwandten Einheit mit einfachem magnetischen Tunnelübergang erreichen und kann ein erhöhtes Magnetowiderstandsverhältnis erreichen, was den Schaltstrom verringert.

公开(公告)号：DE102021130636A1

公开(公告)日：2022-06-23

申请号：DE102021130636

申请日：2021-11-23

Applicant: IBM

Inventor： NOWAK JANUSZ JOZEF

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22

Abstract: Ein Ansatz liegt im Bereitstellen eines trichterförmigen magnetoresistiven Spin-Transfer-Drehmoment-Direktzugriffsspeicher-Bauelements (STT-MRAM-Bauelements) mit einem doppelten magnetischen Tunnelübergang. Der Ansatz umfasst ein Bereitstellen einer Metallsäule auf einer Verbindung zu einem Halbleiterbauelement. Der Ansatz umfasst ein Bereitstellen einer ersten Referenzschicht auf der Metallsäule und auf einem Abschnitt eines ersten Zwischenschichtdielektrikums neben der Metallsäule. Der Ansatz umfasst ein Bereitstellen einer ersten Tunnelbarriere auf der ersten Referenzschicht und einer freien Schicht auf der ersten Tunnelbarriereschicht. Der Ansatz umfasst ein Bereitstellen einer zweiten Tunnelbarriere auf der freien Schicht und einer zweiten Referenzschicht auf der zweiten Tunnelbarriere der Halbleiterstruktur des trichterförmigen Spin-Transfer-Drehmoment-MRAM-Bauelements.