中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

6 records (took 0.016 seconds)

    Tunnelfeldeffekteinheiten
    2.
    发明专利
    Tunnelfeldeffekteinheiten 未知

    公开(公告)号：DE112010003495T5

    公开(公告)日：2012-09-20

    申请号：DE112010003495

    申请日：2010-08-30

    Applicant: IBM

    Inventor： KARG SIEGFRIED ,  BJOERK MIKAEL T ,  KNOCH JOACHIM ,  RIEL HEIKE ,  RIESS WALTER H ,  SOLOMON PAUL M

    IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

    Abstract: Ein indirekt induzierter Tunnelemitter für eine Tunnelfeldeffekttransistor(TFET)-Struktur umfasst einen äußeren Mantel, der zumindest teilweise ein längliches Kernelement umgibt, wobei das längliche Kernelement aus einem ersten Halbleitermaterial gebildet ist; eine Isolatorschicht, die zwischen dem äußeren Mantel und dem Kernelement angeordnet ist; wobei der äußere Mantel an einer Stelle angeordnet ist, die einer Source-Zone der TFET-Struktur entspricht; und einen Source-Kontakt, der den äußeren Mantel mit dem Kernelement kurzschließt; wobei der äußere Mantel so aufgebaut ist, dass er in die Source-Zone des Kernelements eine Ladungsträgerkonzentration einführt, die zum Tunneln in eine Kanalzone der TFET-Struktur während eines EIN-Zustands ausreicht.

    Tunnelfeldeffekttransistor-Struktur und Verfahren zur Herstellung
    4.
    发明专利
    Tunnelfeldeffekttransistor-Struktur und Verfahren zur Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE112010003495B4

    公开(公告)日：2013-12-12

    申请号：DE112010003495

    申请日：2010-08-30

    Applicant: IBM

    Inventor： KARG SIEGFRIED ,  BJOERK MIKAEL T ,  KNOCH JOACHIM ,  RIEL HEIKE ,  RIESS WALTER H ,  SOLOMON PAUL M

    IPC: H01L29/68 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

    Abstract: Tunnelfeldeffekttransistor-Struktur mit einem indirekt induzierten Tunnelemitter, welcher das folgende umfasst: einen äußeren Mantel, welcher zumindest teilweise ein längliches Kernelement umgibt, wobei das längliche Kernelement aus einem ersten Halbleitermaterial gebildet ist; eine Isolatorschicht, welche zwischen dem äußeren Mantel und dem Kernelement angeordnet ist; wobei der äußere Mantel an einer Stelle angeordnet ist, die einer Source-Zone der Tunnelfeldeffekttransistor-Struktur entspricht; und einen Source-Kontakt, der den äußeren Mantel mit dem Kernelement kurzschließt; wobei der äußere Mantel so aufgebaut ist, dass er in die Source-Zone des Kernelements eine Ladungsträgerkonzentration einführt, die zum Tunneln in eine Kanalzone der Tunnelfeldeffekttransistor-Struktur während eines EIN-Zustands ausreicht.

    Operating a superconducting channel by electron injection
    5.
    发明专利
    Operating a superconducting channel by electron injection 未知

    公开(公告)号：AU2021244962A1

    公开(公告)日：2022-09-01

    申请号：AU2021244962

    申请日：2021-03-10

    Applicant: IBM

    Inventor： FUHRER JANETT ANDREAS ,  NICHELE FABRIZIO ,  RITTER MARKUS ,  RIEL HEIKE

    IPC: H01L39/16

    Abstract: The invention is notably directed to a method of operating a superconducting channel. The method relies on a device including: a potentially superconducting material; a gate electrode; and an electrically insulating medium. A channel is defined by the potentially superconducting material. The gate electrode positioned adjacent to the channel, such that an end surface of the gate electrode faces a portion of the channel. The electrically insulating medium is arranged in such a manner that it electrically insulates the gate electrode from the channel. Rendering the channel superconducting by cooling down the device. Next, a voltage difference is applied between the gate electrode and the channel to inject electrons in the channel through the electrically insulating medium and thereby generate a gate current between the gate electrode and the channel. The electrons are injected with an average energy sufficient to modify a critical current IC of the channel.

Patent Agency Ranking