公开(公告)号：WO2012177375A3

公开(公告)日：2014-05-01

申请号：PCT/US2012040372

申请日：2012-06-01

Applicant: IBM ,  CAMILLO-CASTILLO RENATA ,  DAHLSTROM ERIK M ,  GAUTHIER ROBERT J ,  GEBRESELASIE EPHREM G ,  PHELPS RICHARD A ,  SHI YUN ,  STRICKER ANDREAS

Inventor： CAMILLO-CASTILLO RENATA ,  DAHLSTROM ERIK M ,  GAUTHIER ROBERT J ,  GEBRESELASIE EPHREM G ,  PHELPS RICHARD A ,  SHI YUN ,  STRICKER ANDREAS

IPC: H01L29/02

CPC classification number: H01L29/7315 ,  G06F17/5063 ,  H01L27/0262 ,  H01L29/66393 ,  H01L29/7436

Abstract: Device structures, fabrication methods, operating methods, and design structures for a silicon controlled rectifier. The method includes applying a mechanical stress to a region of a silicon controlled rectifier (SCR) at a level sufficient to modulate a trigger current of the SCR. The device and design structures include an SCR (62) with an anode (63), a cathode (65), a first region (14), and a second region (16) of opposite conductivity type to the first region. The first and second regions of the SCR are disposed in a current-carrying path between the anode and cathode of the SCR. A layer (26) is positioned on a top surface of a semiconductor substrate (30) relative to the first region and configured to cause a mechanical stress in the first region of the SCR at a level sufficient to modulate a trigger current of the SCR.

Abstract translation: 可控硅整流器的器件结构，制造方法，操作方法和设计结构。 该方法包括以足以调节SCR的触发电流的水平对可控硅整流器（SCR）的区域施加机械应力。 装置和设计结构包括具有阳极（63），阴极（65），第一区域（14）和与第一区域相反的导电类型的第二区域（16）的SCR（62）。 SCR的第一和第二区域设置在SCR的阳极和阴极之间的通电路径中。 层（26）相对于第一区域被定位在半导体衬底（30）的顶表面上，并且被配置为使得在SCR的第一区域中的机械应力处于足以调制SCR的触发电流的水平。

公开(公告)号：DE112012001822T5

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：DE112012001822

申请日：2012-06-01

Applicant: IBM

Inventor： CAMILLO-CASTILLO RENATA ,  DAHLSTROM ERIK M ,  GEBRESELASLE EPHREM G ,  STRICKER ANDREAS ,  PHELPS RICHARD A ,  SHI YUN ,  GAUTHIER ROBERT J

IPC: H03K17/72 ,  G06F17/50 ,  H01L21/311 ,  H01L29/74

Abstract: Einheitenstrukturen, Fertigungsverfahren, Betriebsverfahren und Konstruktionsstrukturen für einen siliciumgesteuerten Gleichrichter. Das Verfahren beinhaltet ein Ausüben einer mechanischen Verspannung auf einen Bereich eines siliciumgesteuerten Gleichrichters (SCR) in einem Ausmaß, das zum Modulieren eines Auslösestroms des SCR ausreicht. Die Einheiten- und Konstruktionsstrukturen beinhalten einen SCR (62) mit einer Anode (63), einer Kathode (65), einem ersten Bereich (14) und einem zweiten Bereich (16) mit einem entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp gegenüber dem ersten Bereich. Der erste und der zweite Bereich des SCR sind in einem stromführenden Pfad zwischen der Anode und der Kathode des SCR angeordnet. Eine Schicht (26) ist auf einer oberen Fläche eines Halbleitersubstrats (30) relativ zu dem ersten Bereich positioniert und so eingerichtet, dass sie eine mechanische Verspannung in dem ersten Bereich des SCR in einem Ausmaß verursacht, das zum Modulieren eines Auslösestroms des SCR ausreicht.

公开(公告)号：AT518249T

公开(公告)日：2011-08-15

申请号：AT04822011

申请日：2004-04-22

Applicant: IBM

Inventor： FREEMAN GREGORY ,  RIEH JAE-SUNG ,  SHERIDAN DAVID ,  ST ONGE STEPHEN ,  STRICKER ANDREAS ,  VOLDMAN STEVEN

IPC: H01L29/732 ,  H01L21/331 ,  H01L21/332 ,  H01L29/00 ,  H01L29/08 ,  H01L29/737 ,  H01L29/74 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/93

Abstract: Disclosed is a method of forming a semiconductor structure that includes a discontinuous non-planar sub-collector having a different polarity than the underlying substrate. In addition, this structure includes an active area (collector) above the sub-collector, a base above the active area, and an emitter above the base. The distance between the discontinuous portions of the discontinuous sub-collector tunes the performance characteristics of the semiconductor structure. The performance characteristics that are tunable include breakdown voltage, unity current gain cutoff frequency, unity power gain cutoff frequency, transit frequency, current density, capacitance range, noise injection, minority carrier injection and trigger and holding voltage.