Heterojunction Diode having a narrow bandgap semiconductor

    公开(公告)号:GB2580827A

    公开(公告)日:2020-07-29

    申请号:GB202004615

    申请日:2018-09-21

    Applicant: IBM

    Abstract: A semiconductor device is formed using an n-type layer of Zinc Oxide, a p-type layer formed of a narrow bandgap material. The narrow bandgap material uses a group 3A element and a group 5A element. A junction is formed between the n-type layer and the p-type layer, the junction being operable as a heterojunction diode having a rectifying property at a temperature range, the temperature range having a high limit at room temperature.

    Heterojunction Diode having a narrow bandgap semiconductor

    公开(公告)号:GB2580827B

    公开(公告)日:2022-02-23

    申请号:GB202004615

    申请日:2018-09-21

    Applicant: IBM

    Abstract: A semiconductor device is formed using an n-type layer of Zinc Oxide, a p-type layer formed of a narrow bandgap material. The narrow bandgap material uses a group 3A element and a group 5A element. A junction is formed between the n-type layer and the p-type layer, the junction being operable as a heterojunction diode having a rectifying property at a temperature range, the temperature range having a high limit at room temperature.

    Heteroübergangsdiode mit einem Halbleiter mit schmaler Bandlücke

    公开(公告)号:DE112018004549T5

    公开(公告)日:2020-05-28

    申请号:DE112018004549

    申请日:2018-09-21

    Applicant: IBM

    Abstract: Eine Halbleitereinheit wird gebildet unter Verwendung einer n-Schicht von Zinkoxid, einer p-Schicht, die aus einem Material mit schmaler Bandlücke gebildet wird. Für das Material mit schmaler Bandlücke werden ein Element der Gruppe 3A und ein Element der Gruppe 5A verwendet. Zwischen der n-Schicht und der p-Schicht wird ein Übergang gebildet, wobei der Übergang als eine Heteroübergangsdiode zu betreiben ist, die eine Gleichrichtereigenschaft in einem Temperaturbereich aufweist, wobei der Temperaturbereich eine Obergrenze bei Raumtemperatur aufweist.

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