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公开(公告)号:GB2580827A
公开(公告)日:2020-07-29
申请号:GB202004615
申请日:2018-09-21
Applicant: IBM
Inventor: JOEL PEREIRA DE SOUZA , NING LI , YAO YAO , DEVENDRA SADANA , YUN SEOG LEE
IPC: H01L33/00
Abstract: A semiconductor device is formed using an n-type layer of Zinc Oxide, a p-type layer formed of a narrow bandgap material. The narrow bandgap material uses a group 3A element and a group 5A element. A junction is formed between the n-type layer and the p-type layer, the junction being operable as a heterojunction diode having a rectifying property at a temperature range, the temperature range having a high limit at room temperature.
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公开(公告)号:GB2580827B
公开(公告)日:2022-02-23
申请号:GB202004615
申请日:2018-09-21
Applicant: IBM
Inventor: JOEL PEREIRA DE SOUZA , NING LI , YAO YAO , DEVENDRA SADANA , YUN SEOG LEE
IPC: H01L33/00
Abstract: A semiconductor device is formed using an n-type layer of Zinc Oxide, a p-type layer formed of a narrow bandgap material. The narrow bandgap material uses a group 3A element and a group 5A element. A junction is formed between the n-type layer and the p-type layer, the junction being operable as a heterojunction diode having a rectifying property at a temperature range, the temperature range having a high limit at room temperature.
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公开(公告)号:DE112018004549T5
公开(公告)日:2020-05-28
申请号:DE112018004549
申请日:2018-09-21
Applicant: IBM
Inventor: DE SOUZA JOEL PEREIRA , LI NING , YAO YAO , SADANA DEVENDRA , LEE YUN SEOG
IPC: H01L31/109 , H01L33/00
Abstract: Eine Halbleitereinheit wird gebildet unter Verwendung einer n-Schicht von Zinkoxid, einer p-Schicht, die aus einem Material mit schmaler Bandlücke gebildet wird. Für das Material mit schmaler Bandlücke werden ein Element der Gruppe 3A und ein Element der Gruppe 5A verwendet. Zwischen der n-Schicht und der p-Schicht wird ein Übergang gebildet, wobei der Übergang als eine Heteroübergangsdiode zu betreiben ist, die eine Gleichrichtereigenschaft in einem Temperaturbereich aufweist, wobei der Temperaturbereich eine Obergrenze bei Raumtemperatur aufweist.
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