公开(公告)号：DE102013216035B3

公开(公告)日：2015-01-22

申请号：DE102013216035

申请日：2013-08-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRÖNING TORSTEN ,  SPANKE REINHOLD ,  FROEBUS DIRK ,  HUNGER THOMAS

IPC: H01L23/10 ,  H01L21/50 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07

Abstract: Ein Aspekt der Erfindung bezieht sich auf ein Leistungshalbleitermodul. Gemäß einem Beispiel der Erfindung umfasst das Leistungshalbleitermodul ein Leistungselektronik-Substrat mit einer Metallisierung und mehreren darauf angeordneten Leistungshalbleiterchips. Das Leistungshalbleitermodul umfasst des Weiteren ein Gehäuse, in dem das Leistungselektronik-Substrat angeordnet ist, und mindestens ein Anschlusselement, welches durch eine korrespondierende Öffnung im Gehäuse durchgeführt ist. Das Anschlusselement ist dabei von einer Dichtung umgeben, welche in einem Dichtspalt zwischen Anschlusselement und Gehäuse so angeordnet ist, dass dieser abgedichtet ist.

公开(公告)号：DE102006014582B4

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：DE102006014582

申请日：2006-03-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAYERER REINHOLD DR ,  STROTMANN GUIDO ,  FROEBUS DIRK ,  SPANKE REINHOLD

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/07

Abstract: Halbleitermodul mit mindestens einem Leistungshalbleiterbauelement und mindestens einem metallischen Stromverbindungselement (100; 100a, 100b), welches für einen Stromanschluss zum Äußeren (A) des Halbleitermoduls und mit Schaltungsträgern (130, 131) und/oder Leiterbahnen im Inneren des Halbleitermoduls oder zur direkten Verbindung mit dem mindestens einen Leistungshalbleiterbauelement eingerichtet und von einem zum Äußeren (A) des Halbleitermoduls führenden äußeren Verbindungsabschnitt (111) bis zu einem oder mehreren modulinternen Kontaktabschnitten (101, 102, 103; 110) geführt ist und das wenigstens einen verformbaren Dehnungsbogen (D) aufweist, um den einen oder die mehreren modulinternen Kontaktabschnitte von auf das Halbleitermodul im Betrieb und/oder bei dessen Montage einwirkenden mechanischen Kräften zu entlasten, dadurch gekennzeichnet, dass – das Stromverbindungselement (100, 100a, 100b) als mehrlagiges Metallband ausgeführt ist, dessen Metalllagen (1, 2, 3, ..., n) wenigstens über einen Teil seiner Länge von dem äußeren Verbindungsabschnitt (111) bis zu dem einen oder den mehreren modulinternen Kontaktabschnitt(en) (101, 102, 103; 110) entweder direkt oder...

公开(公告)号：DE102006014582A1

公开(公告)日：2007-10-11

申请号：DE102006014582

申请日：2006-03-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAYERER REINHOLD ,  STROTMANN GUIDO ,  FROEBUS DIRK ,  SPANKE REINHOLD

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/07

Abstract: A semiconductor module having a current connection element designed for a high current carrying capability is disclosed. In one embodiment, the current connection element includes a plurality of metal layers which rest directly on one another.