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    Verfahren zur Herstellung einer Schaltungsträgeranordnung und eines Leistungselektronikmoduls mit einer Verankerungsstruktur zur Herstellung einer temperaturwechselstabilen Lötverbindung
    1.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung einer Schaltungsträgeranordnung und eines Leistungselektronikmoduls mit einer Verankerungsstruktur zur Herstellung einer temperaturwechselstabilen Lötverbindung 未知

    公开(公告)号：DE102009028360B3

    公开(公告)日：2010-12-09

    申请号：DE102009028360

    申请日：2009-08-07

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HOHLFELD OLAF ,  GOERLICH JENS ,  BAYERER REINHOLD

    IPC: H01L21/58 ,  H01L21/52 ,  H01L21/98 ,  H01L23/15

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Schaltungsträgeranordnung (100). Dabei werden ein Träger (1) mit einer Metalloberfläche (1t) bereitgestellt, sowie ein Substrat (2), das einen Isolationsträger (20) umfasst, der eine mit einer unteren Metallisierungsschicht (21) versehene Unterseite (20b) aufweist. Außerdem wird eine Verankerungsstruktur (3) bereitgestellt, die eine Vielzahl länglicher Säulen (31) umfasst, die auf ihrer dem Isolationsträger (20) abgewandten Seite jeweils ein erstes Ende (311) aufweisen. Dabei ist wenigstens eine Teilmenge dieser länglichen Säulen (31) über die gesamte Verankerungsstruktur (3) verteilt. Außerdem gilt für jede der Säulen (31) der Teilmenge, dass von deren Seitenwänden (313) jeweils kein oder höchstens drei längliche Verbindungsstege (32) ausgehen, die sich jeweils zu einer Seitenwand (313) einer anderen länglichen Säule (31) erstrecken und dort mit dieser verbunden sind. Die Verankerungsstruktur (3) wird zwischen dem Isolationsträger (20) und der Metalloberfläche (1t) positioniert. Dann wird die Metalloberfläche (1t) mit der unteren Metallisierungsschicht (21) und der Verankerungsstruktur (3) verlötet, wobei sämtliche Freiräume (5) zwischen der Metalloberfläche (1t) und der unteren Metallisierungsschicht (21) mit Lot (4) verfüllt werden. Mit diesem Verfahren kann z.B. ein Leistungshalbleitermodul (100) hergestellt werden. Hierbei umfasst das Substrat (2) eine obere Metallisierungsschicht (22), die auf der der ...

    3.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102009002065A1

    公开(公告)日：2009-10-15

    申请号：DE102009002065

    申请日：2009-03-31

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAYERER REINHOLD ,  GOERLICH JENS ,  GUTH KARSTEN ,  HOHLFELD OLAF

    IPC: B23K35/28 ,  B23K35/26

    Abstract: A module includes a metallized substrate including a metal layer, a base plate, and a joint joining the metal layer to the base plate. The joint includes solder contacting the base plate and an inter-metallic zone contacting the metal layer and the solder. The inter-metallic zone has spikes up to 100 μm and a roughness (Rz) of at least 20 μm.

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