公开(公告)号：DE102008012570B4

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：DE102008012570

申请日：2008-03-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HORNKAMP MICHAEL

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01R13/24

Abstract: Leistungshalbleitermodulsystem mit – einem Montageadapter (20) zur Herstellung elektrisch leitender Verbindungen zwischen einem Schaltungsträger (10) und einem Leistungshalbleitermodul (30), der elektrisch leitende Kontaktelemente (23) zur elektrischen Kontaktierung eines Leistungshalbleitermoduls (30) aufweist, wobei jedes der Kontaktelemente (23) elektrisch leitend mit einer lötbaren Anschlussstelle (22) des Montageadapters (20) verbunden ist; – einem Leistungshalbleitermodul (30), das elektrisch leitende Kontaktelemente (35) aufweist, die jeweils mit einem zugeordneten Kontaktelement (23) des Montageadapters (20) elektrisch kontaktierbar sind; wobei der Montageadapter (20) und das Leistungshalbleitermodul (30) in zwei verschiedenen Verrastungsstufen so miteinander verrastbar sind, dass zumindest eines der Kontaktelemente (35) des Leistungshalbleitermoduls (30) das diesem Kontaktelement (35) zugeordnete Kontaktelement (23) des Montageadapters (20) in einer zweiten der Verrastungsstufen, nicht jedoch in einer ersten der Verrastungsstufen elektrisch kontaktiert.

公开(公告)号：DE102009001722A1

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：DE102009001722

申请日：2009-03-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HORNKAMP MICHAEL

IPC: H01L23/427 ,  H01L21/54

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufbringen eines Wärmeleitmediums auf eine erste thermische Kontaktfläche (101) eines ersten Objektes (100), die mit einer zweiten thermischen Kontaktfläche (201) eines zweiten Objektes (200) in thermischen Kontakt gebracht werden soll. Hierzu wird ein erstes Objekt (100) bereitgestellt, das eine erste thermische Kontaktfläche (101) aufweist. Auf diese erste thermische Kontaktfläche (101) wird ein Phasenwechselmaterial (Phase Change Material) aufgebracht und ausgehärtet, bevor die zweite thermische Kontaktfläche (201) mit der mit der Wärmeleitpaste (5) versehenen ersten thermischen Kontaktfläche (101) in thermischen Kontakt gebracht wird.

公开(公告)号：DE102006025453B4

公开(公告)日：2009-12-24

申请号：DE102006025453

申请日：2006-05-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIERHOLZER MARTIN ,  BAGINSKI PATRICK ,  HORNKAMP MICHAEL ,  JANSEN UWE

IPC: H01L25/11 ,  H01L23/40 ,  H01L23/48 ,  H01L25/16 ,  H05K1/18 ,  H05K7/20

Abstract: A semiconductor circuit arrangement is disclosed. In one embodiment, a semiconductor module is attached to a board using a screw, with a mechanical and electrical contact being made between module contacts on the semiconductor module and associated board contacts on the board at the same time by attachment using the screw.

公开(公告)号：DE102009001722B4

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：DE102009001722

申请日：2009-03-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HORNKAMP MICHAEL

IPC: H01L23/427 ,  H01L21/54 ,  H01L23/367 ,  H01L25/07

Abstract: Verfahren zum Aufbringen eines Wärmeleitmediums auf eine erste thermische Kontaktfläche (101) eines ersten Objektes (101), die mit einer zweiten thermischen Kontaktfläche (201) eines zweiten Objektes (200) in thermischen Kontakt gebracht werden soll, mit folgenden Schritten: – Bereitstellen eines eine erste thermische Kontaktfläche (101) aufweisenden ersten Objektes (100); – Aufbringen einer ein Phasenwechselmaterial (Phase Change Material) aufweisenden Wärmeleitpaste (5) auf die erste thermische Kontaktfläche (101), so dass die Wärmeleitpaste (5) an unterschiedlichen Stellen der Kontaktfläche (101) unterschiedliche Dicken aufweist; – Aushärten der auf die erste thermische Kontaktfläche (101) aufgebrachten Wärmeleitpaste (5), bevor die zweite thermische Kontaktfläche (201) mit der mit der Wärmeleitpaste (5) versehenen ersten thermischen Kontaktfläche (101) in thermischen Kontakt gebracht wird.

公开(公告)号：DE102009002332A1

公开(公告)日：2010-10-14

申请号：DE102009002332

申请日：2009-04-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HORNKAMP MICHAEL ,  ZHANG XI

IPC: H02M7/537

Abstract: Beschrieben wird ein Mehrstufenumrichter mit wenigstens zwei selbstleitenden Transistoren.

公开(公告)号：DE102007003824B4

公开(公告)日：2010-10-28

申请号：DE102007003824

申请日：2007-01-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAGINSKI PATRICK ,  HORNKAMP MICHAEL ,  PELMER REIMUND

IPC: H01L23/36

公开(公告)号：DE102008012570A1

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：DE102008012570

申请日：2008-03-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HORNKAMP MICHAEL

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: The system has an assembly adapter (20) for producing electrically conductive connection between an interconnect device and a power semiconductor module (30). The module has electrically conductive contact elements (35) e.g. spring elements, electrically contactable with the associated electrically conductive contact elements (23) e.g. spring elements, of the adapter. The adapter and module are snapped with each other in two different snap-in stages so that one of the elements (35) is connected and not connected with the associated element (23) in the respective snap-in stages. An independent claim is also included for a method for producing a power semiconductor module arrangement.

公开(公告)号：DE50307567D1

公开(公告)日：2007-08-09

申请号：DE50307567

申请日：2003-03-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HORNKAMP MICHAEL

IPC: H03K17/082 ,  H03K17/16

公开(公告)号：DE102008010467A1

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：DE102008010467

申请日：2008-02-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HORNKAMP MICHAEL

IPC: H03K17/567

Abstract: The arrangement (100) has an insulated gate bipolar transistor (IGBT) (1) with load lines having load terminals (11, 12), and a junction FET (JFET) (2) with load lines having load terminals (21, 22), where the terminals (11, 12) are electrically connected with the terminals (21, 22) at switching nodes (91, 92), respectively. The JFET is provided with semiconductor body that has a semiconductor material e.g. silicon carbide, where the IGBT is provided with a semiconductor body. A diode (4) includes a saturation voltage that is smaller than a saturation voltage of the JFET. Independent claims are also included for the following: (1) a half-bridge arrangement having two switching arrangements (2) a method for operating a switching arrangement.

公开(公告)号：DE102004018477B4

公开(公告)日：2008-08-21

申请号：DE102004018477

申请日：2004-04-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHIELE JUERGEN ,  HORNKAMP MICHAEL

IPC: H01L23/36 ,  H01L23/367 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07

Abstract: A semiconductor module has a first heat-sink (10) and a second heat-sink (20), at least one controlled semiconductor element (30,40). The first connecting contact (30c, 40c) for controlling the controlled semiconductor element and is electrically insulated by insulating foil (91a, 92a, 92b, 101a, 102a, 102b). A first electrode (11a) arranged between the two heat-sinks, and a second electrode (12a) is arranged between the first electrode (11a) and the second heat-sink (20).