公开(公告)号：DE102019122369A1

公开(公告)日：2021-02-25

申请号：DE102019122369

申请日：2019-08-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOCH CHRISTOPH ,  MÜNZER MARK NILS ,  KLAUKE SEBASTIAN

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/50 ,  H01L23/04 ,  H01L23/48

Abstract: Ein Leistungshalbleitermodul umfasst einen Leistungshalbleiterchip, einen externen Kontakt, der elektrisch mit dem Leistungshalbleiterchip gekoppelt ist, wobei der externe Kontakt so konfiguriert ist, dass er einen Wechselstrom führt und wobei der externe Kontakt eine Öffnung aufweist, und eine Stromsensoranordnung, die einen Stromsensor umfasst und zumindest teilweise in der Öffnung angeordnet ist, wobei der Stromsensor so konfiguriert ist, dass er den Wechselstrom misst.

公开(公告)号：DE102006014609B4

公开(公告)日：2021-03-18

申请号：DE102006014609

申请日：2006-03-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GUTH KARSTEN DR ,  MÜNZER MARK NILS

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/498 ,  H01L25/07

Abstract: Halbleiterbauelementeträger (20, 30), mit:- einer Bodenplatte (2),- wenigstens einem auf der Bodenplatte (2) angeordneten Substrat, das als Träger für wenigstens ein Halbleiterbauelement dient, wobei das Substrat eine Substratunterseiten-Metallisierungsschicht (6), eine Substratschicht (3) sowie eine Substratoberseiten-Metallisierungsschicht (9) beinhaltet,- wobei zwischen dem Substrat und der Bodenplatte (2) eine Lotschicht (5) angeordnet ist, derart, dass die Lotschicht (5) zusammen mit der Substratunterseiten-Metallisierungsschicht (6) einen Schichtverbund (4) ausbildet, wobei- die lateralen Ausmaße des Schichtverbunds (4) gegenüber den lateralen Ausmaßen der Substratschicht (3) so gewählt sind, dass der Schichtverbund (4) einen über den Rand der Substratschicht (3) lateral nach außen überstehenden Schichtverbund-Randbereich (12) aufweist, und- Teile der Substratunterseiten-Metallisierungsschicht (6) innerhalb des Schichtverbund-Randbereichs (12) stoffschlüssig über Schweißverbindungen (13), welche die Lotschicht (5) durchstoßen, verbunden sind, oder die lateralen Ausdehnungen der Substratunterseiten-Metallisierungsschicht (6) zumindest teilweise größer als entsprechende laterale Ausdehnungen der Lotschicht (5) sind, wobei die relativ zur Lotschicht (5) lateral nach außen überstehenden Bereiche (14) der Substratunterseiten-Metallisierungsschicht (6) direkt auf der Bodenplatte (2) aufliegen und über die Schweißverbindungen (13) stoffschlüssig mit der Bodenplatte (2) verbunden sind.

公开(公告)号：DE102018128097A1

公开(公告)日：2020-05-14

申请号：DE102018128097

申请日：2018-11-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： REITER TOMAS MANUEL ,  MÜNZER MARK NILS ,  STALLMEISTER MARCO

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/58 ,  H01L23/051

Abstract: Ein Halbleiterleistungsmodul umfasst eine elektrisch leitfähige Trägerplatte, einen auf der Trägerplatte angeordneten und mit dieser elektrisch verbundenen Leistungshalbleiterchip und einen Kontaktstift, welcher elektrisch mit der Trägerplatte verbunden ist und einen Außenkontakt des Halbleiterleistungsmoduls bildet, wobei der Kontaktstift über einer Lotstelle angeordnet ist, die dazu ausgebildet ist, den Kontaktstift mechanisch direkt oder indirekt auf der Trägerplatte zu fixieren und elektrisch mit der Trägerplatte zu verbinden und wobei der Kontaktstift über eine weitere Verbindung elektrisch mit der Trägerplatte verbunden ist, wobei die weitere Verbindung einen gegenüber der Trägerplatte mechanisch flexiblen Anteil aufweist.

公开(公告)号：DE102018128097B4

公开(公告)日：2022-08-11

申请号：DE102018128097

申请日：2018-11-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： REITER TOMAS MANUEL ,  MÜNZER MARK NILS ,  STALLMEISTER MARCO

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/58 ,  H01L23/051

Abstract: Halbleiterleistungsmodul (100, 200), umfassend:eine elektrisch leitfähige Trägerplatte (101),einen auf der Trägerplatte (101) angeordneten und mit dieser elektrisch verbundenen Leistungshalbleiterchip (102), undeinen steifen Kontaktstift (103, 203), welcher elektrisch mit der Trägerplatte (101) verbunden ist und einen Außenkontakt des Halbleiterleistungsmoduls (100, 200) bildet,wobei der Kontaktstift (103, 203) über einer Lotstelle (104) angeordnet ist, die dazu ausgebildet ist, den Kontaktstift (103, 203) mechanisch direkt oder indirekt auf der Trägerplatte (101) zu fixieren und elektrisch über die Trägerplatte (101) mit dem Leistungshalbleiterchip (102) oder einem Sensor in dem Halbleiterleistungsmodul (100, 200) zu verbinden, undwobei der Kontaktstift (103 ,203) über eine parallel geschaltete weitere Verbindung (105) elektrisch über die Trägerplatte (101) mit dem Leistungshalbleiterchip (102) oder dem Sensor verbunden ist, wobei die weitere Verbindung (105) einen gegenüber der Trägerplatte mechanisch flexiblen Anteil (106) aufweist.

公开(公告)号：DE102018132143A1

公开(公告)日：2020-06-18

申请号：DE102018132143

申请日：2018-12-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： REITER TOMAS MANUEL ,  MÜNZER MARK NILS ,  UHLEMANN ANDRE

IPC: H05K1/02 ,  H01L23/44 ,  H05K1/11 ,  H05K1/18 ,  H05K3/46 ,  H05K7/20

Abstract: Ein Ausführungsbeispiel einer Leiterplatte (100) weist einen elektrisch isolierenden Teil (112) und einen elektrisch leitenden Teil (114) auf. Wenigstens ein Halbleiterchip (102) ist in einem Teil (121) der Leiterplatte (100) in den elektrisch isolierenden Teil (112) eingebettet. Die Leiterplatte weist Durchgangsöffnungen (106) in dem Teil der Leiterplatte (100) zur Durchleitung einer Kühlflüssigkeit auf. Die Durchgangsöffnungen (106) reichen von einer ersten Oberfläche (108) der Leiterplatte (100) zu einer zweiten Oberfläche (110) der Leiterplatte (100). Der elektrisch leitende Teil (114) weist eine erste äußere leitende Lage (1181) auf der ersten Oberfläche (108) und eine zweite äußere leitende Lage (1182) auf der zweiten Oberfläche (110) auf. Der elektrisch leitende Teil (114) weist zudem eine erste innere leitende Lage (1191) auf, wobei die erste innere leitende Lage (1191) mit dem Halbleiterchip (102) elektrisch verbunden ist. Die erste innere leitende Lage (1191) ist in dem Teil (121) der Leiterplatte (100) durch den elektrisch isolierenden Teil (112) von der ersten äußeren leitenden Lage (1181) und von der zweiten äußeren leitenden Lage (1192) elektrisch isoliert.

公开(公告)号：DE102022000224A1

公开(公告)日：2022-08-18

申请号：DE102022000224

申请日：2022-01-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOCH CHRISTOPH ,  MÜNZER MARK NILS ,  REITER TOMAS MANUEL

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L43/06

Abstract: Es wird ein Leistungshalbleitermodul beschrieben, das Folgendes aufweist: einen Rahmen, der ein elektrisch isolierendes Material umfasst; ein in dem Rahmen angeordnetes erstes Substrat; mehrere Leistungshalbleiter-Dies, die an dem ersten Substrat befestigt sind; mehrere Signalpins, die an dem ersten Substrat befestigt sind und mit den Leistungshalbleiter-Dies elektrisch verbunden sind; eine Stromschiene, die sich von dem ersten Substrat durch eine Seitenfläche des Rahmens erstreckt; ein in einer Aufnahme des Rahmens in Erfassungsnähe der Stromschiene angeordnetes Stromsensormodul, wobei das Stromsensormodul einen an einer Leiterplatte befestigten Stromsensor umfasst; und ein Vergussmaterial, das das Stromsensormodul so an dem Rahmen fixiert, dass zwischen dem Stromsensor und der Stromschiene kein Luftspalt vorhanden ist. Das Vergussmaterial kontaktiert den Rahmen und den Stromsensor. Es werden auch Verfahren zur Herstellung des Leistungshalbeitermoduls beschrieben.

公开(公告)号：DE102013224022A1

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：DE102013224022

申请日：2013-11-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CASTRO SERRATO CARLOS ,  MANKEL MICHAEL ,  MÜNZER MARK NILS

IPC: H02M7/537

Abstract: Ein Wechselrichter enthält eine Referenzleitung, die operativ mit einem Referenzpotential versorg wird, und eine Versorgungsleitung, die operativ mit einer Gleichstrom-Versorgungsspannung bezüglich des Referenzpotentials versorgt wird. Eine erste Halbbrücke enthält einen Hochspannungsschalter und einen Niederspannungsschalter. Der Hochspannungsschalter ist zwischen die Versorgungsleitung und einen mittleren Abgriff der Halbbrücke gekoppelt, und der Niederspannungsschalter ist zwischen den mittleren Abgriff und die Referenzleitung gekoppelt. Der Niederspannungsschalter wird durch einen normalerweise eingeschalteten Siliziumkarbid-Sperrschicht-Feldeffekttransistor gebildet, und der Hochspannungsschalter wird durch eine Reihenschaltung aus einem normalerweise eingeschalteten Siliziumkarbid-Sperrschicht-Feldeffekttransistor und einem normalerweise ausgeschalteten Metalloxidfeldeffekttransistor gebildet.