公开(公告)号：JP2011029606A

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：JP2010127920

申请日：2010-06-03

Applicant: Stmicroelectronics (Rousset) Sas ,  エスティマイクロエレクトロニクス(ルッセ)エスエーエスStmicroelectronics(Rousset)Sas

Inventor： RIVERO CHRISTIAN ,  FORNARA PASCAL

IPC: H01L35/30 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L35/14 ,  H01L35/16 ,  H01L35/28 ,  H02N11/00

CPC classification number: H01L35/30 ,  H01L27/16 ,  H01L35/00 ,  H01L37/00

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an integrated circuit including a means which includes producing at least one temperature gradient in at least one region of an integrated circuit resulting from a flow of an electric current in at least a part of the integrated circuit during operation of the integrated circuit, and producing electrical energy through that temperature gradient. SOLUTION: The integrated circuit includes: at least one region RG containing at least one thermoelectric material MTH, which is configured to be subjected to at least one temperature gradient produced by a flow of an electric current in at least parts PSTA, PSTB of the integrated circuit during operation of the integrated circuit; and an electric conduction outputting means connected to that region RG, which transfers electric energy produced from the thermoelectric material MTH. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种集成电路，其包括在至少一部分集成电路中产生由集成电路的至少一个区域中产生至少一个温度梯度的装置， 在集成电路运行期间，通过该温度梯度产生电能。 集成电路包括：至少一个包含至少一个热电材料MTH的区域RG，其被配置为经受至少一部分PSTA，PSTB中的电流流产生的至少一个温度梯度 的集成电路运行期间的集成电路; 以及连接到该区域RG的导电输出装置，该区域传送从热电材料MTH产生的电能。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：FR3042067A1

公开(公告)日：2017-04-07

申请号：FR1559337

申请日：2015-10-01

Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

Inventor： RIVERO CHRISTIAN ,  FORNARA PASCAL ,  ESCALES JEAN-PHILIPPE

IPC: H01L23/60 ,  H01L21/762 ,  H01L23/482

Abstract: Utilisation d'au moins une barrière diélectrique non poreuse (90, 91) insérée entre une partie poreuse (800) d'au moins une région diélectrique et l'un au moins de deux éléments électriquement conducteurs (L3, L4) d'une partie d'interconnexion d'un circuit intégré, pour protéger ledit circuit intégré contre un claquage de ladite au moins une région diélectrique provoqué par une conduction électrique assistée par la présence de défauts au sein de ladite au moins une région diélectrique.

公开(公告)号：FR3034567A1

公开(公告)日：2016-10-07

申请号：FR1552744

申请日：2015-03-31

Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

Inventor： RIVERO CHRISTIAN ,  FORNARA PASCAL ,  ORELLANA SEBASTIAN

IPC: H01L27/00 ,  H01H1/00

Abstract: De façon à par exemple améliorer le contact ohmique entre deux pièces métalliques (10, 20) situées à un niveau de métallisation (M3), on équipe ces deux pièces de deux vias déportés (101, 201) situés au niveau de métallisation (M3) et au moins partiellement au niveau de vias (V3) immédiatement supérieur. Chaque via déporté comporte par exemple un composé inoxydable ou quasi inoxydable tel qu'une couche barrière en Ti/TiN.

公开(公告)号：FR3084520B1

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：FR1856886

申请日：2018-07-25

Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

Inventor： FORNARA PASCAL ,  MARINET FABRICE

IPC: H01L23/00

Abstract: Circuit intégré (CI) comprenant des moyens de protection dudit circuit intégré (CI) comportant un corps électriquement conducteur à potentiel flottant (PC) situé dans le circuit intégré (CI) et ayant une quantité initiale de charges électriques, des moyens de détection (MD) configurés pour détecter une quantité de charges électriques (AC) sur ledit corps (PC) différente de la quantité initiale de charges, et des moyens de commande (MCMD) configurés pour déclencher une action de protection si la quantité de charges détectée (AC) est différente de la quantité initiale.

公开(公告)号：FR3025335B1

公开(公告)日：2016-09-23

申请号：FR1458099

申请日：2014-08-29

Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

Inventor： FORNARA PASCAL ,  RIVERO CHRISTIAN ,  BOUTON GUILHEM

IPC: G06F17/50 ,  H01L21/70

公开(公告)号：FR3022691B1

公开(公告)日：2016-07-01

申请号：FR1455792

申请日：2014-06-23

Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

Inventor： FORNARA PASCAL ,  RIVERO CHRISTIAN

IPC: H01L45/00 ,  H01G5/18

公开(公告)号：FR3033938A1

公开(公告)日：2016-09-23

申请号：FR1552290

申请日：2015-03-19

Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

Inventor： SIMOLA ROBERTO ,  FORNARA PASCAL

IPC: H01L29/866

Abstract: L'invention concerne une diode Zener comprenant : une jonction de diode Zener formée dans un substrat semi-conducteur (SUB) parallèlement à la surface du substrat entre une région de cathode (CD1) et une région d'anode (AD1), des régions conductrices (BDC, EDC, ED1, NW) configurées pour générer un premier champ électrique perpendiculaire à la jonction de diode Zener, lorsqu'elles sont soumises à des tensions adéquates, et des régions conductrices (GT1, GTC) configurées pour générer un second champ électrique dans le plan de la jonction de diode Zener, lorsqu'elles sont soumises à des tensions adéquates.

公开(公告)号：FR3084521B1

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：FR1856887

申请日：2018-07-25

Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

Inventor： FORNARA PASCAL ,  MARINET FABRICE

IPC: H01L23/00

Abstract: Circuit intégré (CI) comprenant un module (ID), un corps électriquement conducteur à potentiel flottant (PC) situé dans le circuit intégré et ayant une quantité initiale de charges électriques, et des moyens de protection configurés pour mettre à la masse une sortie du module (ID) en présence d'une quantité de charges électriques (AC) sur ledit corps (PC) différente de la quantité initiale et supérieure à un seuil.

公开(公告)号：FR3048103A1

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：FR1651424

申请日：2016-02-22

Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

Inventor： FORNARA PASCAL ,  RIVERO CHRISTIAN

IPC: G06F21/70 ,  G06F21/55

Abstract: Procédé de détection d'un amincissement du substrat semi-conducteur d'un circuit intégré depuis sa face arrière, comprenant une mesure d'une grandeur physique représentative de la résistance entre les extrémités (EX11, EX21) de deux contacts électriquement conducteurs (C1, C2) situées à l'interface entre une région isolante (RIS) et une région de substrat sous-jacente (CS), les deux contacts électriquement conducteurs (C1, C2) s'au moins partiellement dans ladite région isolante (RIS).

公开(公告)号：FR3033937A1

公开(公告)日：2016-09-23

申请号：FR1552289

申请日：2015-03-19

Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

Inventor： SIMOLA ROBERTO ,  FORNARA PASCAL

IPC: H01L29/866

Abstract: L'invention concerne une diode Zener comprenant : une région de cathode (CD1) ayant un premier type de conductivité, formée en surface dans un substrat semi-conducteur (SUB) ayant un second type de conductivité, une région d'anode (AD1) ayant le second type de conductivité, formée sous la région de cathode, les régions de cathode et d'anode étant isolées du reste du substrat par des tranchées isolantes (STI1), des premières régions conductrices (CDC, EDC, ED1) configurées, lorsqu'elles sont soumises à des tensions adéquates, pour générer un premier champ électrique perpendiculaire à une interface entre les régions de cathode et d'anode, et des secondes régions conductrices (GT1, GTC) configurées lorsqu'elles sont soumises à des tensions adéquates, pour générer un second champ électrique parallèle à une interface entre les régions de cathode et d'anode.