公开(公告)号：CN101122026A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710106500.3

申请日：2007-06-01

Applicant: 马林克罗特贝克公司

Inventor： 金相仁 ,  洪性辰

IPC: C23F1/32 ,  C23F1/40 ,  C30B33/10 ,  H01L21/306

CPC classification number: B81C1/00611 ,  B81C2201/0126 ,  C09K13/02 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/6675

Abstract: 高含水、强碱性平面化溶液和其用于减低或本质上消除从总体平面多晶硅膜表面向上伸展的突出或凸起的方法，所述多晶硅膜通过低温多晶硅(LTPS)工艺使沉积在基体上的非晶硅膜退火而制得，所述方法包括使总体平面的多晶硅膜表面与所述高含水、强碱性溶液接触达在总体平面多晶硅膜没有明显蚀刻的条件下足以选择性蚀刻从总体平面的多晶硅膜表面的突出或凸起，所述高含水、强碱性溶液是一种具有12或更高的pH值、且含有水、至少一种强碱、和至少一种蚀刻速率控制剂的溶液。

公开(公告)号：CN104364331A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201380026727.0

申请日：2013-05-21

Applicant: 巴斯夫欧洲公司

Inventor： Y·李 ,  B·M·诺勒 ,  C·吉洛特 ,  D·弗朗茨

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: C09G1/02 ,  B81C2201/0121 ,  B81C2201/0123 ,  B81C2201/0126 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/461

Abstract: 本发明涉及一种制造半导体装置的方法，其包括在化学机械抛光组合物(Q1)存在下对含至少一种III-V族材料的基材或层进行化学机械抛光，该组合物(Q1)包含：(A)无机颗粒、有机颗粒、或其混合物或复合物，(B)至少一种两性非离子表面活性剂，其具有(b1)至少一个疏水性基团；及(b2)至少一个选自聚氧化烯基团的亲水性基团，所述聚氧化烯基团包含(b22)除氧化乙烯单体单元以外的氧化烯单体单元；及(M)水性介质。

公开(公告)号：CN102674235A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210061957.8

申请日：2012-03-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤友博

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01G5/18 ,  B81B2201/018 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2203/0109 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0126

Abstract: 本发明涉及MEMS及其制造方法。该MEMS包括：设置在基板上的第1电极；第1辅助构造体，与上述第1电极相邻地设置在上述基板上，处于电浮置状态；和第2电极，设置在上述第1电极和上述第1辅助构造体的上方，被向上述第1电极的方向驱动。

公开(公告)号：CN105939958A

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201480072957.5

申请日：2014-11-20

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： T.卢茨 ,  F.霍伊克

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0126 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133

Abstract: 本发明涉及一种用于微机械构件的制造方法，其至少包括以下步骤:借助于一个晶体定向无关的蚀刻步骤从衬底的至少一个结晶层(12)中形成微机械构件的至少一个部件的基础结构(10)，和借助于一个晶体定向相关的蚀刻步骤从该至少一个部件的基础结构(10)中蚀刻出一个限定的晶体平面(20)的至少一个面(18)，其中，该晶体定向相关的蚀刻步骤被实施，对于该晶体定向相关的蚀刻步骤，相应的限定的晶体平面(20)在全部的晶体平面中具有最低的蚀刻速率，在基础结构(10)上被蚀刻出的所述至少一个面(18)按照所述相应的限定的晶体平面定向。此外本发明涉及一种微机械构件。

公开(公告)号：CN102674235B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201210061957.8

申请日：2012-03-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤友博

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01G5/18 ,  B81B2201/018 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2203/0109 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0126

Abstract: 本发明涉及MEMS及其制造方法。该MEMS包括：设置在基板上的第1电极；第1辅助构造体，与上述第1电极相邻地设置在上述基板上，处于电浮置状态；和第2电极，设置在上述第1电极和上述第1辅助构造体的上方，被向上述第1电极的方向驱动。

公开(公告)号：US07723234B2

公开(公告)日：2010-05-25

申请号：US11562443

申请日：2006-11-22

Applicant: Suryadevara V. Babu ,  Anita Natarajan ,  Sharath Hegde

Inventor： Suryadevara V. Babu ,  Anita Natarajan ,  Sharath Hegde

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/3212 ,  B81C1/00595 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0126 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: A method of removing polysilicon in preference to silicon dioxide and/or silicon nitride by chemical mechanical polishing. The method removes polysilicon from a surface at a high removal rate while maintaining a high selectivity of polysilicon to silicon dioxide and/or a polysilicon to silicon nitride. The method is particularly suitable for use in the fabrication of MEMS devices.

Abstract translation: 通过化学机械抛光优选去除二氧化硅和/或氮化硅的多晶硅的方法。 该方法以高去除率从表面去除多晶硅，同时保持多晶硅对二氧化硅和/或多晶硅与氮化硅的高选择性。 该方法特别适用于MEMS器件的制造。

公开(公告)号：US09416298B2

公开(公告)日：2016-08-16

申请号：US14402975

申请日：2013-05-21

Applicant: BASF SE

Inventor： Yuzhuo Li ,  Bastian Marten Noller ,  Christophe Gillot ,  Diana Franz

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/302 ,  H01L21/321 ,  H01L21/461 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02

CPC classification number: C09G1/02 ,  B81C2201/0121 ,  B81C2201/0123 ,  B81C2201/0126 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/461

Abstract: A process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical-mechanical polishing of a substrate or layer containing at least one III-V material in the presence of a chemical-mechanical polishing composition (Q1) comprising (A) inorganic particles, organic particles, or a mixture or composite thereof, (B) at least one amphiphilic non-ionic surfactant having (b1) at least one hydrophobic group; and (b2) at least one hydrophilic group selected from the group consisting of polyoxyalkylene groups comprising (b22) oxyalkylene monomer units other than oxyethylene monomer units; and (M) an aqueous medium.

Abstract translation: 一种用于制造半导体器件的方法，包括在化学机械抛光组合物（Q1）的存在下对包含至少一种III-V材料的基底或层进行化学机械抛光，所述化学机械抛光组合物包含（A）无机颗粒，有机颗粒， 或其混合物或复合物，（B）至少一种具有（b1）至少一个疏水基团的两亲性非离子表面活性剂; 和（b2）至少一种选自包含（b22）氧化烯单体单元以外的氧化烯单体单元的聚氧化烯基的亲水基团; 和（M）水性介质。

公开(公告)号：US09287050B2

公开(公告)日：2016-03-15

申请号：US13413889

申请日：2012-03-07

Applicant: Tomohiro Saito

Inventor： Tomohiro Saito

IPC: H01L29/84 ,  H01G5/18 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01G5/18 ,  B81B2201/018 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2203/0109 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0126

Abstract: According to one embodiment, a MEMS includes a first electrode, a first auxiliary structure and a second electrode. The first electrode is provided on a substrate. The first auxiliary structure is provided on the substrate and adjacent to the first electrode. The first auxiliary structure is in an electrically floating state. The second electrode is provided above the first electrode and the first auxiliary structure, and is driven in a direction of the first electrode.

Abstract translation: 根据一个实施例，MEMS包括第一电极，第一辅助结构和第二电极。 第一电极设置在基板上。 第一辅助结构设置在基板上并与第一电极相邻。 第一辅助结构处于电浮动状态。 第二电极设置在第一电极和第一辅助结构之上，并且沿第一电极的方向被驱动。

公开(公告)号：EP1934133A1

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：EP05791165.3

申请日：2005-10-10

Applicant: Silverbrook Research Pty. Ltd

Inventor： SILVERBROOK, Kia

IPC: B81C1/00 ,  B41J2/05 ,  B41J2/16

CPC classification number: B41J2/1404 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1645 ,  B41J2002/14403 ,  B41J2002/14475 ,  B41J2202/11 ,  B81B2201/032 ,  B81B2201/052 ,  B81B2203/0109 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0126

Abstract: A method of forming a suspended beam in a MEMS process is disclosed. In the process a pit (8) is etched into a substrate (5). Sacrificial material (10) is deposited in the pit (8) and on the surrounding substrate surface. The sacrificial material (10) is then removed from the surrounding substrate surface and from the periphery of the pit (8) so that there is a gap between the sacrificial material and at least two sidewalls of the pit. The sacrificial material is then heated so that it reftows such that the remaining sacrificial material contacts the sidewalls of the pit. Material for the beam (12), which is typically a metal, is then deposited on the substrate surface and the reflowed sacrificial material, and the sacrificial material is then removed to form the suspended beam. The beam could be used as the heating element in an inkjet printer.

公开(公告)号：EP2852644A1

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：EP13794728.9

申请日：2013-05-21

Applicant: BASF SE

Inventor： NOLLER, Bastian Marten ,  GILLOT, Christophe ,  FRANZ, Diana ,  LI, Yuzhuo

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: C09G1/02 ,  B81C2201/0121 ,  B81C2201/0123 ,  B81C2201/0126 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/461

Abstract: A process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical-mechanical polishing of a substrate or layer containing at least one lll-V material in the presence of a chemical-mechanical polishing composition (Q1) comprising (A) inorganic particles, organic particles, or a mixture or composite thereof, (B) at least one amphiphilic non-ionic surfactant having (b1) at least one hydrophobic group; and (b2) at least one hydrophilic group selected from the group consisting of polyoxyalkylene groups comprising (b22) oxyalkylene monomer units other than oxyethylene monomer units; and (M) an aqueous medium.