公开(公告)号：CN101075015B

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200610060733.X

申请日：2006-05-19

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 段文晖 ,  郝少刚 ,  周刚 ,  吴健 ,  顾秉林

IPC: G02B21/00 ,  G01N13/10

CPC classification number: H01J1/304 ,  G01Q60/16 ,  H01J2201/30434 ,  H01J2201/30488 ,  H01J2203/0296 ,  Y10S977/815 ,  Y10S977/822 ,  Y10S977/838 ,  Y10S977/849 ,  Y10S977/86 ,  Y10S977/861

Abstract: 本发明涉及一种极化电子发射源。该种极化电子发射源通常包括电极以及位于该电极上的III-V族化合物半导体一维纳米结构；该III-V族化合物半导体一维纳米结构包括与电极形成电连接的第一端以及远离该电极的第二端，该第二端作为极化电子发射端，该III-V族化合物半导体一维纳米结构的第二端开口，该III-V族化合物半导体一维纳米结构为开口纳米管；当向该电极施加负偏压，经由磁场诱导或/和圆偏振光激发可使该一维纳米结构的第二端发射极化电子束。本发明还提供一种采用III-V族化合物半导体一维纳米结构作为探针的自旋极化电子扫描隧道显微镜。

公开(公告)号：CN101425440A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810171014.4

申请日：2008-10-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔荣喆 ,  朴钟换 ,  郑光锡 ,  金汎权

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12

CPC classification number: C03C8/16 ,  B82Y10/00 ,  C03C17/008 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J9/148 ,  H01J29/04 ,  H01J2201/30434 ,  H01J2201/30488

Abstract: 提供了氮化硼纳米管糊状合成物、包括该氮化硼纳米管糊状合成物的电子发射源、包括该电子发射源的电子发射器件和包括该电子发射器件的背光单元和电子发射显示器件。氮化硼纳米管糊状合成物包括：大约100份按重量计算的氮化硼纳米管、大约250到大约1000份按重量计算的玻璃粉、大约500到大约1000份按重量计算的填料、大约1000到大约2000份按重量计算的有机溶剂、和大约2000到大约3000份按重量计算的聚合物粘结剂。包括氮化硼纳米管电子发射源的电子发射器件具有更长的使用寿命和改善了的像素间均匀性。

公开(公告)号：CN102884605B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201180017218.2

申请日：2011-04-04

Applicant: 光实验室瑞典股份公司

Inventor： 胡秋红

IPC: H01J1/304 ,  H01J31/12 ,  H01J63/02 ,  H01J63/06

CPC classification number: H01J1/3044 ,  B82Y20/00 ,  H01J1/304 ,  H01J31/123 ,  H01J63/02 ,  H01J63/04 ,  H01J2201/3043 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/30484 ,  H01J2201/30488 ,  H01J2201/30492 ,  H01J2201/30496 ,  H01J2329/0428 ,  H01J2329/0439 ,  H01J2329/0465 ,  H01J2329/0468 ,  H01J2329/0471 ,  H01J2329/0473

Abstract: 本发明涉及一种场致发射阴极，所述场致发射阴极包括：至少部分导电的基底结构；和空间分布在所述基底结构处的多个导电的微米级部分，其中，所述多个微米级部分中的至少一部分各自设置有多个导电的纳米结构。本发明的优点包括降低功耗以及增加例如包括所述场致发射阴极的场致发射照明装置的光输出。

公开(公告)号：CN104756221B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201380058004.9

申请日：2013-09-06

Applicant: 哈维尔克有限责任公司

Inventor： H.W.P.库普斯

IPC: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  H01B1/14 ,  H01B1/16 ,  H01B1/20 ,  H01B1/22 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  C23C14/28 ,  C23C14/30 ,  H01B1/14 ,  H01B1/16 ,  H01B1/20 ,  H01B1/22 ,  H01J9/025 ,  H01J19/38 ,  H01J19/57 ,  H01J43/246 ,  H01J2201/3048 ,  H01J2201/30488 ,  H01J2201/30496

Abstract: 本发明涉及纳米颗粒材料（NGM），其具有通过电荷以在室温下在重叠激子表面轨道状态下由玻色——爱因斯坦——凝聚（BEC）产生的玻色子的形式移动而以与高Tc半导体相比100倍的电流密度传导电流的非凡能力，并且具有光相关导电率。该材料被设置在导电连接之间，并且是纳米晶体复合材料。本发明还涉及包括NGM的电部件和用于使用无机化合物通过施加于基底的微粒束致沉积来制造NGM的方法和装置，所述无机化合物由于其蒸气压而被吸附在基底的表面上，并且其使得晶体传导相被嵌入包围材料的无机绝缘基质中。

公开(公告)号：CN104756221A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201380058004.9

申请日：2013-09-06

Applicant: 哈维尔克有限责任公司

Inventor： H.W.P.库普斯

IPC: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  H01B1/14 ,  H01B1/16 ,  H01B1/20 ,  H01B1/22 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  C23C14/28 ,  C23C14/30 ,  H01B1/14 ,  H01B1/16 ,  H01B1/20 ,  H01B1/22 ,  H01J9/025 ,  H01J19/38 ,  H01J19/57 ,  H01J43/246 ,  H01J2201/3048 ,  H01J2201/30488 ,  H01J2201/30496

Abstract: 本发明涉及纳米颗粒材料（NGM），其具有通过电荷以在室温下在重叠激子表面轨道状态下由玻色——爱因斯坦——凝聚（BEC）产生的玻色子的形式移动而以与高Tc半导体相比100倍的电流密度传导电流的非凡能力，并且具有光相关导电率。该材料被设置在导电连接之间，并且是纳米晶体复合材料。本发明还涉及包括NGM的电部件和用于使用无机化合物通过施加于基底的微粒束致沉积来制造NGM的方法和装置，所述无机化合物由于其蒸气压而被吸附在基底的表面上，并且其使得晶体传导相被嵌入包围材料的无机绝缘基质中。

公开(公告)号：CN104658829A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201510094612.6

申请日：2015-03-03

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈平 ,  赵德刚 ,  朱建军 ,  刘宗顺 ,  江德生 ,  杨辉

IPC: H01J1/304

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J2201/3048 ,  H01J2201/30488

Abstract: 一种阶梯状组分渐变的AlN薄膜型冷阴极，包括：一n型SiC衬底；一n型金属电极，其制作在n型SiC衬底下表面；一AlN薄膜型冷阴极，其外延生长在n型SiC衬底上；一金属阳极，其位于AlN薄膜型冷阴极的上面，且不与AlN薄膜型冷阴极接触；一高压源，其正极连接金属阳极；一电流计，其正极连接高压源，负极与n型金属电极连接。本发明是利用负电子亲和势的优势，将电子发射到真空中。

公开(公告)号：CN102884605A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201180017218.2

申请日：2011-04-04

Applicant: 光实验室瑞典股份公司

Inventor： 胡秋红

IPC: H01J1/304 ,  H01J31/12 ,  H01J63/02 ,  H01J63/06

CPC classification number: H01J1/3044 ,  B82Y20/00 ,  H01J1/304 ,  H01J31/123 ,  H01J63/02 ,  H01J63/04 ,  H01J2201/3043 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/30484 ,  H01J2201/30488 ,  H01J2201/30492 ,  H01J2201/30496 ,  H01J2329/0428 ,  H01J2329/0439 ,  H01J2329/0465 ,  H01J2329/0468 ,  H01J2329/0471 ,  H01J2329/0473

Abstract: 本发明涉及一种场致发射阴极，所述场致发射阴极包括：至少部分导电的基底结构；和空间分布在所述基底结构处的多个导电的微米级部分，其中，所述多个微米级部分中的至少一部分各自设置有多个导电的纳米结构。本发明的优点包括降低功耗以及增加例如包括所述场致发射阴极的场致发射照明装置的光输出。

公开(公告)号：CN101075015A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200610060733.X

申请日：2006-05-19

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 段文晖 ,  郝少刚 ,  周刚 ,  吴健 ,  顾秉林

IPC: G02B21/00 ,  G01N13/10

CPC classification number: H01J1/304 ,  G01Q60/16 ,  H01J2201/30434 ,  H01J2201/30488 ,  H01J2203/0296 ,  Y10S977/815 ,  Y10S977/822 ,  Y10S977/838 ,  Y10S977/849 ,  Y10S977/86 ,  Y10S977/861

Abstract: 本发明涉及一种极化电子发射源。该种极化电子发射源通常包括电极以及位于该电极上的III－V族化合物半导体一维纳米结构；该III－V族化合物半导体一维纳米结构包括与电极形成电连接的第一端以及远离该电极的第二端，该第二端作为极化电子发射端；当向该电极施加负偏压，经由磁场诱导或/和圆偏振光激发可使该一维纳米结构的第二端发射极化电子束。本发明还提供一种采用III－V族化合物半导体一维纳米结构作为探针的自旋极化电子扫描隧道显微镜。

公开(公告)号：US20090115314A1

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：US12193524

申请日：2008-08-18

Applicant: Young-Chul Choi ,  Jong-Hwan Park ,  Kwang-Seok Jeong ,  Beom-Kwon Kim

Inventor： Young-Chul Choi ,  Jong-Hwan Park ,  Kwang-Seok Jeong ,  Beom-Kwon Kim

IPC: H01J1/62 ,  H01B1/12 ,  H01B1/22 ,  H01B1/02

CPC classification number: C03C8/16 ,  B82Y10/00 ,  C03C17/008 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J9/148 ,  H01J29/04 ,  H01J2201/30434 ,  H01J2201/30488

Abstract: Boron nitride nanotube paste compositions, electron emission sources including the same, electron emission devices including the same and backlight units and electron emission display devices including the same are provided. A boron nitride nanotube paste composition includes about 100 parts by weight boron nitride nanotubes, from about 500 to about 2000 parts by weight glass frit, from about 1000 to about 2000 parts by weight filler, from about 2000 to about 4000 parts by weight organic solvent, and from about 4000 to about 6000 parts by weight polymer binder. Electron emission devices including the boron nitride nanotube electron emission sources have longer lifespan and improved uniformity among pixels.

Abstract translation: 提供了氮化硼纳米管糊剂组合物，包括它们的电子发射源，包括它们的电子发射装置和包括它们的背光单元和电子发射显示装置。 氮化硼纳米管糊剂组合物包括约100重量份的氮化硼纳米管，约500至约2000重量份的玻璃料，约1000至约2000重量份的填料，约2000至约4000重量份的有机溶剂 ，和约4000至约6000份重量的聚合物粘合剂。 包括氮化硼纳米管电子发射源的电子发射器件具有更长的使用寿命和改善像素间的均匀性。

公开(公告)号：US07465210B2

公开(公告)日：2008-12-16

申请号：US11060153

申请日：2005-02-17

Applicant: Dong-Wook Kim ,  Sungho Jin ,  In-Kyung Yoo ,  Li-Han Chen

Inventor： Dong-Wook Kim ,  Sungho Jin ,  In-Kyung Yoo ,  Li-Han Chen

IPC: H01J9/00 ,  H01J9/39 ,  H01J9/04

CPC classification number: H01J31/127 ,  H01J9/025 ,  H01J29/04 ,  H01J2201/3043 ,  H01J2201/30434 ,  H01J2201/30465 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2201/30484 ,  H01J2201/30488

Abstract: This invention discloses novel field emitters which exhibit improved emission characteristics combined with improved emitter stability, in particular, new types of carbide or nitride based electron field emitters with desirable nanoscale, aligned and sharped-tip emitter structures.

Abstract translation: 本发明公开了具有改进的发射特性与改进的发射极稳定性相结合的新型场致发射体，特别是新型的具有理想的纳米尺度，排列和尖尖发射极结构的碳化物或氮化物基电子场发射体。