KR20210026144A - transfer method of micro LED

    公开(公告)号:KR20210026144A

    公开(公告)日:2021-03-10

    申请号:KR1020190106528A

    申请日:2019-08-29

    Inventor: 이창구

    Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 전사방법은 전극부가 상면에 위치된 복수개의 마이크로 LED를 분리기판에 서로 이격되게 배치시키는 준비단계; 상기 분리기판을 반전시켜 상기 전극부가 적재기판에 대향되게 상기 마이크로 LED를 적재하고, 상기 분리기판으로부터 상기 마이크로 LED를 분리시키는 적재단계; 상기 적재기판에 적재된 상기 마이크로 LED의 상면을 전사헤드로 흡착하고, 상기 마이크로 LED를 상기 적재기판으로부터 이탈시키는 픽업단계; 및 상기 전사헤드가 상기 마이크로 LED의 상기 전극부를 목표기판의 단자부에 위치시키고, 상기 전사헤드에 양압을 인가하여 상기 마이크로 LED를 상기 목표기판에 배치하는 배치단계; 를 포함한다.

    KR20210025861A - Antiviral peptide from M2 protein and the use thereof

    公开(公告)号:KR20210025861A

    公开(公告)日:2021-03-10

    申请号:KR1020190105777A

    申请日:2019-08-28

    Inventor: 권대혁

    CPC classification number: C07K7/08 A61K38/00 A61P31/12

    Abstract: 본 발명은 항바이러스성 펩타이드 및 상기 항바이러스성 펩타이드를 유효성분으로 포함하는 바이러스성 질환의 예방 또는 치료용 조성물에 관한 것이다.
    본 발명의 M2 단백질 유래 펩타이드들은 친수성과 소수성을 모두 갖는 양친매성을 가지며 바이러스의 외막에 대한 높은 선택도를 가짐으로써 바이러스의 막을 직접 공격하여 감염성을 억제하는 효과가 우수하므로, 항바이러스용 조성물로 유용하게 이용할 수 있다.

    KR102222935B1 - Playlist Recommendation Method Using Collaborative Autoencoders

    公开(公告)号:KR102222935B1

    公开(公告)日:2021-03-04

    申请号:KR1020190038715A

    申请日:2019-04-02

    Inventor: 이종욱 양호진

    CPC classification number: G06Q30/0254 G06Q30/0271 G06Q30/0631

    Abstract: 본 발명에 따른 자동 부호화기를 이용한 협업 필터링 기반 음악 재생목록 추천 방법은 제1 추천점수를 산출하는 단계, 제2 추천점수를 산출하는 단계 및 제1 추천점수와 제2 추천점수를 바탕으로 추천 재생목록을 생성하는 단계를 포함한다. 제1 추천점수를 산출하는 단계는 내용 인식 기반 자기부호화기의 기반에서 재생목록의 음원들이 재생되는 순서에 매칭되는 트랙정보를 포함하는 재생목록 벡터 및 음원들이 재생되는 순서에 매칭되는 가수정보를 포함하는 가수 벡터를 입력받는 단계를 포함한다. 제2 추천점수를 산출하는 단계는 캐릭터 레벨의 콘볼루션 신경망을 바탕에서, 재생목록 제목을 입력받는 단계를 포함한다. 추천 재생목록을 생성하는 단계는 협업필터링 기반의 선형 결합 방식에 따라, 제1 추천점수 및 제2 추천점수를 결합하는 단계를 포함한다.

    초경사 스위칭 소자 및 이를 이용한 인버터 소자

    公开(公告)号:WO2023038465A1

    公开(公告)日:2023-03-16

    申请号:PCT/KR2022/013545

    申请日:2022-09-08

    Abstract: 초경사 스위칭 소자 및 이를 이용한 인버터 소자가 개시된다. 초경사 스위칭 소자는 기판 상에 배치되고, 충격 이온화 특성을 갖는 반도체 재료로 형성된 반도체 채널, 상기 반도체 채널과 접촉하고, 상기 기판 상에서 서로 이격되게 배치된 소스 전극과 드레인 전극, 및 상기 반도체 채널 상의 일부에만 중첩된 게이트 전극을 포함하고, 상기 반도체 채널의 상부 표면은, 상기 게이트 전극이 중첩된 제1 영역, 및 상기 게이트 전극에 의해 노출된 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 영역 및 제2 영역은 1 : 0.1 내지 0.4 의 길이 비율을 가질 수 있다.

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