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公开(公告)号：WO2023033615A1
公开(公告)日：2023-03-09
申请号：PCT/KR2022/013263
申请日：2022-09-05
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명의 일 실시예는 백금을 포함하는 나노링 내부프레임 및 상기 내부프레임을 둘러싸고 있는 금 나노입자 외부프레임을 포함하는 전체링프레임; 및 상기 전체링프레임의 중심부에 위치하는 다공성나노구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성구조를 가지는 프레임 나노입자를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따라, 다공성구조를 가지는 프레임 나노입자는 다공성나노구조체를 통하여 높은 전자기장 응집효과에 기반하여 표면증강라만산란 분석방법을 제공하는 효과를 가진다.
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公开(公告)号：KR102260209B1
公开(公告)日：2021-06-02
申请号：KR1020200009779
申请日：2020-01-28
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: B22F9/20 , B22F1/00 , G01N33/543 , G01N21/65
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公开(公告)号：KR101984693B1
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：KR1020120027329
申请日：2012-03-16
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: C01B31/02 , H01B5/14 , H01L31/042
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公开(公告)号：KR1020150140915A
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：KR1020140069099
申请日：2014-06-09
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01M4/92 , H01M4/925 , H01M8/1011 , Y02E60/522
Abstract: 본발명에따른연료전지용촉매구조체는도전성기재및 도전성기재상에배치된다수의금속나노튜브들을포함하고, 금속나노튜브들각각은제1 중공부가형성된관(tube) 형태의외부측벽, 제1 중공부내부에배치되고, 제2 중공부가형성된관(tube) 형태의내부측벽및 외부측벽의상측단부와내부측벽의상측단부를연결하는상부벽을포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种燃料电池用催化剂结构体及其制造方法，具备该燃料电池的燃料电池及金属纳米管。 根据本发明，用于燃料电池的催化剂结构包括：导电基材; 以及设置在导电性基材上的多个金属纳米管。 每个金属纳米管还包括：管状外侧壁，其上形成有第一中空部分; 设置在第一中空部分中并具有第二中空部分的管状内侧壁; 以及连接外侧壁的上端与内侧壁的上端的上壁。
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公开(公告)号：KR1020100104378A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：KR1020090022753
申请日：2009-03-17
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: An electrode for a super capacitor, the super capacitor using the same, and a manufacturing method thereof are provided to increase the capacity of the super capacitor by adopting the electrode for the supper capacitor, which includes a metal nano structure. CONSTITUTION: An electrode for a super capacitor includes a conductive substrate, a metal nano structure, and a metal oxide. The metal nano structure is formed on the conductive substrate and is a porous metal nano bar or porous metal nano tube. The metal nano structure includes one or more among Au, Ag, Ni, Cu, Pt, Mn, Ru, and Li. The metal oxide is coated on the metal nano structure.
Abstract translation: 目的：提供一种用于超级电容器的电极，使用该超级电容器的超级电容器及其制造方法，以通过采用包括金属纳米结构的超级电容器用电极来增加超级电容器的容量。 构成：用于超级电容器的电极包括导电基底，金属纳米结构和金属氧化物。 金属纳米结构形成在导电性基体上，是多孔金属纳米棒或多孔金属纳米管。 金属纳米结构包括Au，Ag，Ni，Cu，Pt，Mn，Ru和Li中的一种或多种。 金属氧化物被涂覆在金属纳米结构上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100061064A
公开(公告)日：2010-06-07
申请号：KR1020080119942
申请日：2008-11-28
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L27/1251
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to easily form as a low-temperature process by forming a first oxide channel layer and a second oxide channel layer into an oxide. CONSTITUTION: A first thin film transistor includes a first source(S10), a first drain, a first channel layer, and a first gate. A second thin film transistor includes a second source(S20), a second drain, a second channel layer, and a second gate. One is a p-type oxide layer among the first and the second channel layer. The first and the second thin film transistor is a bottom gate(BG10, BG20) structure or a top gate structure. One is a dual gate including more other gates among the first and the second thin film transistor at least.
Abstract translation: 目的：通过将第一氧化物沟道层和第二氧化物沟道层形成为氧化物，提供半导体器件及其制造方法以容易地形成为低温工艺。 构成：第一薄膜晶体管包括第一源（S10），第一漏极，第一沟道层和第一栅极。 第二薄膜晶体管包括第二源（S20），第二漏极，第二沟道层和第二栅极。 一个是第一和第二沟道层中的p型氧化物层。 第一和第二薄膜晶体管是底栅（BG10，BG20）结构或顶栅结构。 一个是至少包括第一和第二薄膜晶体管中的更多其它栅极的双栅极。
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公开(公告)号：KR101767342B1
公开(公告)日：2017-08-10
申请号：KR1020160096557
申请日：2016-07-29
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: B22F9/20 , B22F1/0044 , B22F2301/25 , B82Y15/00 , B82Y20/00 , B82Y40/00
Abstract: 본발명을통해합성된둘 이상의금속을이용한다중블록나노막대는, 하나의금속으로만이루어진단일블록나노막대에비해주변매질에대한광학적민감도가뛰어남을보인다. 이러한결과는광학센서와더불어화학적센서, 생물학적센서로도활용가능함을의미한다. 본발명의일 실시예에따른다중블록나노막대는, 제 1 금속나노막대; 상기제 1 금속나노막대의종방향양 끝단으로부터연장되어있는제 2 금속나노막대들; 및상기제 1 금속나노막대및 상기제 2 금속나노막대들의모서리를따라형성된제 3 금속을포함한다.
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公开(公告)号：KR101586147B1
公开(公告)日：2016-01-15
申请号：KR1020140069099
申请日：2014-06-09
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명에따른연료전지용촉매구조체는도전성기재및 도전성기재상에배치된다수의금속나노튜브들을포함하고, 금속나노튜브들각각은제1 중공부가형성된관(tube) 형태의외부측벽, 제1 중공부내부에배치되고, 제2 중공부가형성된관(tube) 형태의내부측벽및 외부측벽의상측단부와내부측벽의상측단부를연결하는상부벽을포함한다.
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公开(公告)号：KR101413658B1
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020090038461
申请日：2009-04-30
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786
Abstract: 반도체 소자 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 반도체 소자는 p형 산화물 박막트랜지스터 및 n형 산화물 박막트랜지스터를 포함하는 상보성(complementary) 소자일 수 있다. 예컨대, 개시된 반도체 소자는 인버터(inverter), NAND 소자, NOR 소자 등과 같은 논리소자일 수 있다.
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公开(公告)号：KR101413657B1
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：KR1020080119942
申请日：2008-11-28
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786
Abstract: 반도체 소자 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 반도체 소자는 p형 산화물 박막트랜지스터 및 n형 산화물 박막트랜지스터를 포함하는 상보성(complementary) 소자일 수 있다. 예컨대, 개시된 반도체 소자는 인버터(inverter), NAND 소자, NOR 소자 등과 같은 논리소자일 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种半导体器件及其制造方法。 所公开的半导体器件可以是包括p型氧化物薄膜晶体管和n型氧化物薄膜晶体管的互补装置。 例如，所公开的半导体器件可以是诸如反相器，NAND器件，NOR器件等的逻辑器件。
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