公开(公告)号：SG184671A1

公开(公告)日：2012-10-30

申请号：SG2012019253

申请日：2012-03-16

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC ,  GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1

Inventor： MATTHIAS LEHR ,  ANDREAS OTT ,  JORG HOHAGE

Abstract: 21When forming complex metallization systems on the basis of copper, the very last metallization layer may receive contact regions on the basis of copper, the surface of which may be passivated on the basis of a dedicated protection layer, which may thus allow the patterning of the passivation layer stack prior to shipping the device to a remote manufacturing site. Hence, the protected contact surface may efficiently be re-exposed in the remote manufacturing site on the basis of an efficient non-masked wet chemical etch process.Figure 2d

公开(公告)号：DE102011005642B4

公开(公告)日：2012-09-27

申请号：DE102011005642

申请日：2011-03-16

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LEHR MATTHIAS ,  HOHAGE JOERG ,  OTT ANDREAS

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L23/50

Abstract: Bei der Herstellung komplexer Metallisierungssysteme auf der Grundlage von Kupfer erhält die abschließende Metallisierungsschicht Kontaktgebiete auf der Grundlage von Kupfer, deren Oberfläche auf der Grundlage einer speziellen Schutzschicht passiviert wird, die somit das Strukturieren des Passivierungsschichtstapels vor dem Transportieren des Bauelements zu einer entfernten Fertigungsstelle ermöglicht. Somit kann die geschützte Kontaktoberfläche effizient in der entfernten Fertigungsstätte auf der Grundlage eines effizienten nicht maskierten nasschemischen Ätzprozesses wieder freigelegt werden.

公开(公告)号：DE102011005642A1

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：DE102011005642

申请日：2011-03-16

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LEHR MATTHIAS ,  HOHAGE JOERG ,  OTT ANDREAS

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L23/50

Abstract: Bei der Herstellung komplexer Metallisierungssysteme auf der Grundlage von Kupfer erhält die abschließende Metallisierungsschicht Kontaktgebiete auf der Grundlage von Kupfer, deren Oberfläche auf der Grundlage einer speziellen Schutzschicht passiviert wird, die somit das Strukturieren des Passivierungsschichtstapels vor dem Transportieren des Bauelements zu einer entfernten Fertigungsstelle ermöglicht. Somit kann die geschützte Kontaktoberfläche effizient in der entfernten Fertigungsstätte auf der Grundlage eines effizienten nicht maskierten nasschemischen Ätzprozesses wieder freigelegt werden.

公开(公告)号：DE102011003385A1

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：DE102011003385

申请日：2011-01-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  BEERNINK GUNDA ,  LENSKI MARKUS ,  SELIGER FRANK ,  RICHTER FRANK

IPC: H01L21/8238

Abstract: Bei der Herstellung komplexer Gateelektrodenstrukturen, etwa von Metallgateelektrodenstrukturen mit großem &egr;, wird eine geeignete Einkapselung erreicht, wobei auch ein unerwünschter Materialverlust eines verformungsinduzierenden Halbleitermaterials, das in einer Transistorart bereitgestellt wird, vermieden wird. Dazu wird die Strukturierung der schützenden Abstandshalterstruktur zum Abscheiden des verformungsinduzierenden Halbleitermaterials für jede Art von Transistor auf der Grundlage des gleichen Prozessablaufs bewerkstelligt, während nach dem Abscheiden des verformungsinduzierenden Halbleitermaterials eine Ätzstoppschicht vorgesehen wird, die die Integrität der aktiven Gebiete bewahrt.

公开(公告)号：DE102011003232A1

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：DE102011003232

申请日：2011-01-27

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SCHEIPER THILO ,  WEI ANDY ,  FLACHOWSKY STEFAN ,  HOENTSCHEL JAN

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/283 ,  H01L21/302 ,  H01L21/8234

Abstract: Bei der Herstellung komplexer Metallgateelektrodenstrukturen mit großem &egr; auf der Grundlage eines Austauschgateverfahrens wird eine bessere Prozessgleichmäßigkeit erreicht, indem mindestens ein Einebnungsprozess nach dem Abscheiden des Platzhaltermaterials, etwa eines Polysiliziummaterials, und vor dem eigentlichen Strukturieren der Gateelektrodenstrukturen eingerichtet wird.

公开(公告)号：DE102011002877A1

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：DE102011002877

申请日：2011-01-19

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SCHEIPER THILO ,  FLACHOWSKY STEFAN

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/12

Abstract: Bei der Herstellung komplexer SOI-Bauelemente werden eine Substratdiode und eine Schichtdiode hergestellt, indem ein und dieselbe Implantationsmaske zum Festlegen der Wannendotierstoffkonzentration in den jeweiligen Wannengebiete verwendet wird. Während der weiteren Bearbeitung kann somit die Wannendotierstoffkonzentration von Transistoren unabhängig zu den Wannengebieten der Diode in Halbleiterschicht eingerichtet werden.

公开(公告)号：DE102010063774A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：DE102010063774

申请日：2010-12-21

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  PAL ROHIT

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/20 ,  H01L21/31

Abstract: Bei der Herstellung komplexer Metallgateelektrodenstrukturen mit großem &egr; kann die Gleichmäßigkeit der Bauteileigenschaften verbessert werden, indem eine schwellwerteinstellende Halbleiterlegierung auf der Grundlage eines Hartmaskenschichtschemas aufgewachsen wird, das zu einer weniger ausgeprägten Oberflächentopographie insbesondere in dicht gepackten Bauteilbereichen führt. Dazu wird in einigen anschaulichen Ausführungsformen ein abgeschiedenes Hartmaskenmaterial verwendet, um selektiv eine Oxidmaske mit geringerer Dicke und besserer Gleichmäßigkeit bereitzustellen.

公开(公告)号：DE102010063772A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：DE102010063772

申请日：2010-12-21

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  OTT ANDREAS ,  OSTERMAY INA

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: Bei der Herstellung komplexer Transistoren, die eine eingebettete Halbleiterlegierung erfordern, werden die Aussparungen mit erhöhter Gleichmäßigkeit auf der Grundlage beispielsweise kristallographisch anisotroper Ätzschritte hergestellt, indem eine gleichmäßige Oxidschicht geschaffen wird, um damit prozessabhängige Schwankungen oder Wartezeitschwankungen auszugleichen. Die gleichmäßige Oxidschicht kann auf der Grundlage eines APC-Steuerungsschemas hergestellt werden.

公开(公告)号：DE102010063296A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：DE102010063296

申请日：2010-12-16

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： THEES HANS-JUERGEN ,  KRONHOLZ STEPHAN ,  WIATR MACIEJ

IPC: H01L21/8234

Abstract: In komplexen Halbleiterbauelementen wird eine Halbleiterlegierung, etwa ein Schwellwert einstellendes Halbleitermaterial in Form von Silizium/Germanium in einer frühen Fertigungsphase selektiv in gewissen aktiven Gebieten bereitgestellt, wobei ein ausgeprägter Grad an Vertiefung und Materialverlust insbesondere in Isolationsgebieten vermieden wird, indem eine schützende Materialschicht selektiv über den Isolationsgebieten hergestellt wird. Beispielsweise wird in einigen anschaulichen Ausführungsformen ein Siliziummaterial selektiv auf den Isolationsgebieten abgeschieden.

公开(公告)号：DE102007057688B4

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：DE102007057688

申请日：2007-11-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RICHTER RALF ,  KAMMLER THORSTEN ,  SALZ HEIKE ,  GRIMM VOLKER

IPC: H01L21/8238

Abstract: Verfahren mit: konformes Abscheiden einer ersten verspannungsinduzierenden dielektrischen Schicht (230) über mehreren ersten Gateelektrodenstrukturen (221) und mehreren zweiten Gateelektrodenstrukturen (221) eines Halbleiterbauelements (200), wobei die ersten und zweiten Gateelektrodenstrukturen (221) zumindest teilweise über einer Halbleiterschicht ausgebildet sind; Bilden einer Ätzsteuerschicht (231) auf der ersten verspannungsinduzierenden Schicht (230) derart, dass eine spezifizierte Füllhöhe der ersten verspannungsinduzierenden Schicht (230) und der Ätzsteuerschicht (231) in einem Raumbereich zwischen zwei benachbarten Gateelektrodenstrukturen (221) erreicht wird, wobei die spezifizierte Füllhöhe mindestens der Hälfte einer Höhe der mehreren ersten und zweiten Gateelektrodenstrukturen (221) entspricht; selektives Entfernen der Ätzsteuerschicht (231) und der ersten verspannungsinduzierenden Schicht (230) von den mehreren zweiten Gateelektrodenstrukturen (221); Abscheiden einer zweiten verspannungsinduzierenden dielektrischen Schicht (240) über der Ätzsteuerschicht (231) und der ersten verspannungsinduzierenden Schicht (230) und den mehreren zweiten Gateelektrodenstrukturen (221); und selektives Entfernen der zweiten verspannungsinduzierenden Schicht (240) von der ersten verspannungsinduzierenden Schicht (230) durch Ausführen eines...