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公开(公告)号：KR1019950014268B1
公开(公告)日：1995-11-24
申请号：KR1019920010734
申请日：1992-06-19
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 신헌종
IPC: H01L21/28
Abstract: forming a contact hole in a semiconductor substrate; forming a conductive layer on a resulting objection on which the contact hole is formed; forming an oxidation preventing film on the resulting objection; eliminating the oxidation preventing film in the other area except the area having the contact hole; and performing an oxidation process by applying the oxidation preventing film.
Abstract translation: 在半导体衬底中形成接触孔; 在形成有接触孔的反应物上形成导电层; 在产生的反应物上形成氧化防止膜; 除去除了具有接触孔的区域之外的其它区域中的氧化防止膜; 并通过施加防氧化膜进行氧化处理。
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公开(公告)号：KR1019950004558A
公开(公告)日：1995-02-18
申请号：KR1019930013469
申请日：1993-07-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/11
Abstract: 2개의 구동 트랜지스터, 2개의 전송 트랜지스터 및 2개의 부하를 포함하여 구성되는 SRAM 메모리셀에서 부하의 저항값을 높게 하기 위하여, 부하를 저항과 숏트키 다이오드를 포함하여 구성한다. 여기서 숏트키 다이오드는 저항과 구동 트랜지스터의 드레인 사이에 역방향으로 결합되어 흐르는 전류가 작게 된다. 이와 같은 메모리 셀 회로를 구현하기 위한 반도체 장치는 제 1 전원전압(VDD)이 인가되는 제 1 전원라인을 제 2 금속층으로 형성하고, 저항들을 불순물이 도핑되지 않는 폴리실리콘층으로 형성하며, 저항들과 각 구동 트랜지스터들의 드레인을 접속시키기 위한 배선층들 또한 금속층으로 형성한다. 그리하여 저항들의 양측 접합면들에는 상호 대향하고 있는 숏트키 다이오드들이 형성되게 되어 저항값이 높아지게 되고 그에 따라 전류소비가 줄어드는 잇점이 있게 된다.
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公开(公告)号：KR1019940008767B1
公开(公告)日：1994-09-26
申请号：KR1019910022781
申请日：1991-12-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/31
Abstract: The method includes the steps of sequentially forming an interlevel insulating layer and metal layer on a semiconductor substrate, forming a photoresist pattern on the metal layer, etching the metal layer in perpendicular by a predetermined thickness, and etching the sidewalls of the photoresist pattern, repeating the step of etching the sidewalls of the photoresist pattern to separate metal lines from one another, and forming an interlevel insulating layer on the overall surface of the substrate, thereby forming the metal line using only the anisotropic etch and thus improving the electrical characteristic of the semiconductor device.
Abstract translation: 该方法包括以下步骤：在半导体衬底上顺序地形成层间绝缘层和金属层，在金属层上形成光致抗蚀剂图案，以垂直于规定厚度蚀刻金属层，蚀刻光刻胶图案的侧壁，重复 蚀刻光致抗蚀剂图案的侧壁以将金属线彼此分开的步骤，以及在基板的整个表面上形成层间绝缘层，从而仅使用各向异性蚀刻形成金属线，从而改善了 半导体器件。
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公开(公告)号：KR1019940012607A
公开(公告)日：1994-06-24
申请号：KR1019920020680
申请日：1992-11-05
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 신헌종
IPC: H01L27/10
Abstract: 본 발명은 스태틱램(static Random Access Memory)의 저항부의 고정항을 달성하기 위한 반도체장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 반도체기판상에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트전극을 절연시키며, 그 일부영역이 식각되어 반도체기판의 표면의 일부를 노출시켜 접촉개구부를 형성하는 절연막과, 상기 접촉개구부와 접촉하며 불순물이 도핑된 영역이 불순물이 도핑되지 않은 다른 영역보다 두꺼운 적어도 한층 이상의 층이 적층되어 구성된 다결정실리콘층을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1019940010196A
公开(公告)日：1994-05-24
申请号：KR1019920018788
申请日：1992-10-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 반도체장치의 셀프얼라인 콘택구조 형성방법에 관한 것이다.
본 발명은 반도체기판상에 각각이 절연층에 의해 분리절연된 도전층패턴들을 형성하는 단계, 상기 도전층패턴들이 형성된 반도체기판상에 제1물질을 침적하여 제1물질층을 형성하는 단계, 상기 제1물질층을 소정패턴으로 패터닝하여 반도체기판상의 소정영역에 제1물질층패턴을 형성하는 단계, 상기 제1물질층패턴이 형성되어 있는 반도체기판상의 소정영역 이외의 영역에 상기 제1물질과의 식각선택비가 큰 제2물질을 침적하여 제2물질층을 형성하는 단계, 상기 제1물질층패턴을 제거하여 상기 반도체기판의 소정부분을 노출시키는 단계, 상기 결과물상에 도전물질을 침적하여 도전층을 형성하는 단계, 및 상기 도전층을 소정패턴으로 패터닝하여 상기 노출된 반도체기판의 소정부분에 콘택구조를 형성하는 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하 는 반도체장치의 셀프얼라인 콘택구조 형성방법을 제공한다.
본 발명에 의하면, 단순한 공정에 의해 안정된 콘택특성을 갖는 신뢰성 우수한 반도체장치의 셀프얼라인 콘택구조를 형성하는 것이 가능하다.-
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公开(公告)号：KR1019940001275A
公开(公告)日：1994-01-11
申请号：KR1019920010516
申请日：1992-06-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 도체를 선택적으로 형성시킬 때 콘택의 종류 즉, 주입된 불순물의 종류에 따라 성장 속도가 다르게 되어 하지층과의 단차에 따라 콘택 홀의 완전히 메워지거나 부분적으로 메워질때도 있고 과다하게 성장하여 에치백 같은 추가 공정 이 필요하게 되는 문제점을 해결하여 자유전자 공급 소오스가 되는 제1도전막을 자유전자 공급 소오스로 제2도전막을 하지층 위에 선택 성장시킴으로써 콘택 홀의 깊이나 하지층의 재료에 거의 관계없이 콘택홀에 균일하게 성장시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019930003394A
公开(公告)日：1993-02-24
申请号：KR1019910012542
申请日：1991-07-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: 내용 없음.
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公开(公告)号：KR102236049B1
公开(公告)日：2021-04-05
申请号：KR1020140084463
申请日：2014-07-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/316
Abstract: 반도체장치및 그제조방법이제공된다. 상기반도체장치는, 기판으로부터돌출되고, 일방향으로연장된하부핀(fin), 상기하부핀 상에형성된산화막, 상기산화막으로부터돌출되고, 상기하부핀과대응되는위치상에상기하부핀과이격되어형성된상부핀, 및상기상부핀 상에, 상기상부핀과교차하는방향으로형성된게이트구조물을포함하되, 상기산화막은 Ge를포함한다.
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公开(公告)号：KR102115552B1
公开(公告)日：2020-05-27
申请号：KR1020140031713
申请日：2014-03-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L29/78
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