公开(公告)号：KR1020160017490A

公开(公告)日：2016-02-16

申请号：KR1020140101102

申请日：2014-08-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재철 ,  김선일 ,  이동욱 ,  이창범

IPC: G01T1/24 ,  G01N23/02 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01T1/24 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14676 ,  H01L27/14692 ,  H01L31/0272 ,  H01L31/032

Abstract: 엑스선검출기가개시된다. 개시된엑스선검출기는박막트랜지스터부및 캐패시터부를포함할수 있으며, 캐패시터부는다중스토리지캐패시터를포함하는구조로형성될수 있다. 상부전극을통하여광전자물질층에조사된엑스선에의해전자-홀쌍이생성될수 있으며, 생성된전자를다중스토리지캐패시터에저장할수 있다. 공통전극과스토리지전극및 공통전극과집전전극사이에각각스토리지캐패시터를형성할수 있다.

Abstract translation: 公开了一种X射线检测器。 X射线检测器可以包括：薄膜晶体管（TFT）单元; 和电容器单元。 电容器单元可以形成为具有多存储电容器的结构。 可以通过通过上电极照射到光电导材料层的X射线产生电子 - 空穴对，并且所产生的电子可以存储在多存储电容器中。 可以在公共电极和存储电极之间以及公共电极和收集电极之间分别形成存储电容器。

公开(公告)号：KR101532363B1

公开(公告)日：2015-06-30

申请号：KR1020090057179

申请日：2009-06-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 염윤호 ,  이헌수 ,  노미정 ,  박재철

IPC: G06F12/14 ,  G06F13/10

CPC classification number: G06F21/74 ,  G06F12/1491

Abstract: 본발명의반도체장치의액세스제어방법은, 입력된패스워드를해쉬연산기의입력으로제공하고, 해쉬연산기에서해쉬연산을수행하여제1 해쉬값을출력하고, 제1 해쉬값및 불휘발성메모리에저장된제2 해쉬값이일치하지않을때 상기제1 해쉬값을상기해쉬연산기의입력으로제공하여해쉬연산기에서상기해쉬연산을반복수행하도록제어하고, 그리고제1 및제2 해쉬값들이일치할때 해쉬연산기의해쉬연산의반복횟수에따라서내부회로에대한액세스레벨을설정한다.

公开(公告)号：KR101513601B1

公开(公告)日：2015-04-21

申请号：KR1020080021567

申请日：2008-03-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김선일 ,  박영수 ,  송이헌 ,  김창정 ,  박재철 ,  김상욱

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  G02F1/136

Abstract: 트랜지스터에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명의 트랜지스터는 채널층, 상기 채널층의 양단에 각각 접촉된 소오스 및 드레인, 상기 채널층과 이격된 게이트전극, 상기 채널층과 상기 게이트전극 사이에 구비된 게이트절연층, 및 상기 채널층과 상기 게이트절연층 사이에 구비된 것으로 상기 채널층과 일함수가 다른 삽입층을 포함한다.

公开(公告)号：KR101468590B1

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：KR1020070126376

申请日：2007-12-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김창정 ,  이은하 ,  박영수 ,  박재철

IPC: H01L29/786

Abstract: 본발명은산화물반도체및 이를포함하는박막트랜지스터에관한것이다. Zn 원자및 Hf 원자를포함하는산화물반도체및 이를포함하는박막트랜지스터를제공한다.

Abstract translation: 本发明涉及氧化物半导体和包括该氧化物半导体的薄膜晶体管。 包含Zn原子和Hf原子的氧化物半导体以及包含该氧化物半导体的薄膜晶体管。

公开(公告)号：KR1020140095849A

公开(公告)日：2014-08-04

申请号：KR1020130008743

申请日：2013-01-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이채훈 ,  김영 ,  박재철 ,  전용우

IPC: A61B6/00 ,  G01T1/20 ,  G01T1/208

CPC classification number: G01T1/2985 ,  G01T1/2008

Abstract: According to one embodiment of the present invention, provided is an apparatus for generating an image which includes scintillator layers which change an incident beam into an optical signal; micro cells which are turned on/off according to whether the incident beam is detected or not; a reaction depth determination part which detects the damping pattern of the optical signal based on the on/off signal of the micro cells and determines the scintillator layer type reacting to the incident beam; and a readout part which determines the occurring position of the incident beam and generates a photographed image.

Abstract translation: 根据本发明的一个实施例，提供了一种用于产生图像的装置，其包括将入射光束改变为光信号的闪烁体层; 根据入射光束是否被检测而接通/断开的微电池; 反应深度确定部，其基于微小区的开/关信号来检测光信号的阻尼图案，并确定与入射光束反应的闪烁体层类型; 以及读出部，其确定入射光束的出现位置，并生成拍摄图像。

公开(公告)号：KR101312259B1

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：KR1020070013747

申请日：2007-02-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김선일 ,  박영수 ,  박재철

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명의 박막 트랜지스터는 게이트 절연층을 사이에 두고 형성된 게이트 전극 및 채널층; 및 상기 채널층의 양단과 각각 접촉된 소오스 전극 및 드레인 전극;을 포함하되, 상기 채널층은 상부층의 캐리어 농도가 하부층의 캐리어 농도보다 낮은 이중층 구조를 갖는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 채널층은 ZnO 계열의 물질층, 예컨대, Ga-In-Zn-O 물질층일 수 있다.

公开(公告)号：KR1020120100627A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：KR1020110019646

申请日：2011-03-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상욱 ,  김창정 ,  박재철 ,  김선일

IPC: H01L31/08 ,  G01T1/24 ,  H01L27/146 ,  G01N23/04

CPC classification number: H01L27/14676 ,  H01L27/14618 ,  H01L2924/0002 ,  H01L31/085 ,  G01N23/04 ,  G01T1/24 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: An x-ray detector with a large area is provided to perform wire bonding using a gap between chips without passing through the chip. CONSTITUTION: A redistribution layer electrically connects a pixel electrode(160) and a pixel pad(132). A plurality of first electrode pads(124) is formed on a rear side of a chip(120). The wire electrically connects a first electrode pad and a pin pad(134). A photo conductor(170) is formed on a plurality of pixel electrodes. A common electrode(180) is formed on the photo conductor.

Abstract translation: 目的：提供具有大面积的X射线检测器，以在芯片之间使用间隙进行引线接合，而不通过芯片。 构成：再分配层电连接像素电极（160）和像素焊盘（132）。 多个第一电极焊盘（124）形成在芯片（120）的后侧。 电线电连接第一电极焊盘和引脚焊盘（134）。 在多个像素电极上形成光导体（170）。 公共电极（180）形成在光导体上。

公开(公告)号：KR1020120020013A

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：KR1020100083707

申请日：2010-08-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재철 ,  김대환 ,  김창정

IPC: H01L21/66 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L22/14

Abstract: PURPOSE: An electrical characteristic calculation method of an amorphous semiconductor thin film transistor(TFT) and an apparatus thereof are provided to accurately calculate electrical properties of the amorphous semiconductor TFT including a state density, thereby providing integrated model parameters for utilizing the amorphous semiconductor TFT. CONSTITUTION: C-V(Capacitance-Voltage) characteristics are measured with respect to a plurality of frequencies from a thin film transistor(310). Frequency independent C-V characteristics are calculated using the measured C-V characteristics and a predetermined equivalent model(320). The state density of the thin film transistor is calculated from the calculated frequency independent C-V characteristics(330).

Abstract translation: 目的：提供一种非晶半导体薄膜晶体管（TFT）的电特性计算方法及其装置，以精确地计算包括状态密度的非晶半导体TFT的电特性，从而提供用于利用非晶半导体TFT的集成模型参数。 构成：相对于来自薄膜晶体管（310）的多个频率测量C-V（电容 - 电压）特性。 使用测量的C-V特性和预定的等效模型（320）计算频率无关的C-V特性。 根据所计算的频率独立的C-V特性（330）计算薄膜晶体管的状态密度。

公开(公告)号：KR1020110110583A

公开(公告)日：2011-10-07

申请号：KR1020100029982

申请日：2010-04-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상욱 ,  박재철 ,  김선일 ,  김창정

IPC: H01L31/115

CPC classification number: G01T1/242 ,  H01L31/085

Abstract: 이중 포토컨덕터를 구비한 엑스선 검출기가 개시된다. 개시된 이중 포토컨덕터를 구비한 엑스선 검출기는, 엑스선이 입사되는 제1 포토컨덕터층과, 제1 포토컨덕터층을 통과한 엑스선이 입사되는 제2 포토컨덕터층을 포함한다. 제1 포토컨덕터층과 제2 포토컨덕트층은 탠덤구조로 이루어져 있다. 제1 포토컨덕터층은 저 에너지 대역의 엑스선을 흡수하는 실리콘으로 이루어지며, 제2 포토컨덕터층은 실리콘 보다 높은 에너지 대역의 엑스선을 흡수하는 물질로 형성된다.

公开(公告)号：KR1020100132308A

公开(公告)日：2010-12-17

申请号：KR1020090051060

申请日：2009-06-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재철 ,  김상욱 ,  이성훈 ,  김창정

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78603 ,  G02F1/136209 ,  H01L29/7869

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor and a method for manufacturing the same are provided to reduce manufacturing cost by simultaneously implementing an active layer etching process and an optical barrier forming process using one mask. CONSTITUTION: An optical barrier(120) is formed on a substrate(110). An active layer(130) is formed on the optical barrier. Light is blocked to be radiated on an active layer using the optical barrier. A source electrode(160) and a drain electrode(170) are formed on the active layer. A gate insulating film(142) and a gate(150) are formed on the channel region(136) of the active layer.

Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管及其制造方法，以通过同时实施使用一个掩模的有源层蚀刻工艺和光学屏障形成工艺来降低制造成本。 构成：在衬底（110）上形成光学屏障（120）。 在光屏障上形成有源层（130）。 使用光学屏障将光阻挡在有源层上辐射。 源极电极（160）和漏电极（170）形成在有源层上。 栅极绝缘膜（142）和栅极（150）形成在有源层的沟道区（136）上。