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公开(公告)号：KR1020070115482A
公开(公告)日：2007-12-06
申请号：KR1020060049993
申请日：2006-06-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78603 , H01L29/78645 , H01L29/78621
Abstract: A thin film transistor formed on a flexible substrate and a manufacturing method thereof are provided to form uniformly offset regions into each device respectively by forming the offset region between dual gates, even if a mis-alignment exists. A polysilicon layer(44) including a source and a drain regions is formed on a flexible substrate(40). A gate stack(S) is formed on a channel region of the polysilicon layer. The gate stack comprises a first gate stack(S1) and a second gate stack(S2), and an offset region is exposed between the first and the second gate stacks.
Abstract translation: 形成在柔性基板上的薄膜晶体管及其制造方法分别通过在双栅极之间形成偏移区域来分别形成均匀的偏移区域，即使存在错误对准。 在柔性基板（40）上形成包括源区和漏区的多晶硅层（44）。 在多晶硅层的沟道区上形成栅叠层（S）。 栅极堆叠包括第一栅极堆叠（S1）和第二栅极堆叠（S2），并且偏移区域暴露在第一和第二栅极堆叠之间。
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公开(公告)号：KR1020070074748A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：KR1020060002687
申请日：2006-01-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H05B33/00
CPC classification number: H01L29/78645 , H01L27/1288 , H01L27/3244 , H01L29/78624 , H01L29/78696 , H01L27/1214
Abstract: A transistor is provided to reduce fabricating cost of a transistor and a display using the transistor by enabling formation of an offset structure without using a mask. Two polycrystalline silicon layers(10a) are disposed in parallel with each other, having doped high-conductive regions at their both ends and a channel region between the two high-conductive regions. A gate(12) is extended in a direction crossing the two polycrystalline silicon layers. A gate insulation layer is interposed between the gate and the polycrystalline silicon layers. Low-conductive regions(10e) are formed between the channel region of polycrystalline silicon and the high-conductive region, confronting each other and adjoining the edge of one side of the gate. Impurities having a low density can be doped into the low-conductive region as compared with the high-conductive region.
Abstract translation: 提供晶体管以通过在不使用掩模的情况下形成偏移结构来降低晶体管和使用晶体管的显示器的制造成本。 两个多晶硅层（10a）彼此平行地设置，在其两端具有掺杂的高导电区域和两个高导电区域之间的沟道区域。 栅极（12）沿与两个多晶硅层交叉的方向延伸。 栅极绝缘层介于栅极和多晶硅层之间。 低导电区域（10e）形成在多晶硅的沟道区域和相互面对并邻接栅极一侧边缘的高导电区域之间。 与高导电区域相比，可以将具有低密度的杂质掺杂到低导电区域中。
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公开(公告)号：KR100707175B1
公开(公告)日：2007-04-13
申请号：KR1020050003192
申请日：2005-01-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/268 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/4958 , H01L29/66575 , H01L29/66757 , H01L29/66772
Abstract: 본 발명은 열에 강한 제 1 게이트 전극과 반사도가 높은 제 2 게이트를 사용함으로써 열처리 과정에서 게이트 전극 하부의 실리콘층이 손상되는 것을 방지한 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따르면, 게이트 전극 하부에 있는 실리콘층 양측의 도핑 영역을 열처리하여 소스와 드레인을 형성함으로써 박막 트랜지스터를 제조하는 방법은, 상기 게이트 전극은, 내열성 재료로 이루어지는 제 1 게이트 전극과 상기 제 1 게이트 전극 위에 형성되며 광반사성 금속으로 이루어지는 제 2 게이트 전극으로 구성된 복층 구조의 전극을 사용하며, 상기 실리콘층 상면에서부터 전체적으로 레이저 빔을 조사하여 상기 도핑 영역을 열처리하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR100695154B1
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：KR1020050052725
申请日：2005-06-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78603 , H01L29/66757
Abstract: 개시된 실리콘 박막 트랜지스터는: 기판의 양면에 버퍼층이 형성되고 일측의 버퍼층에 실리콘 채널이 형성된다. 실리콘 채널 위에는 게이트 절연층가 형성되고 게이트 절연층 위에는 게이트가 마련된다. 기판 양면에 형성되는 버퍼층에 의해 기판의 휨이 방지되고 따라서 양질의 동작 성능을 갖는다.
다결정, 실리콘, 버퍼층, 스트레스, 휨-
公开(公告)号：KR1020060132399A
公开(公告)日：2006-12-21
申请号：KR1020050052724
申请日：2005-06-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B1/38
CPC classification number: H04M1/72527 , H04M1/0266
Abstract: A display system using a mobile communication terminal is provided to overcome the limitation of a display screen of the mobile communication terminal and to minimize the connection terminal of the mobile communication terminal and a portable display device, thereby enabling an image to be displayed through a large screen and displaying high-resolution images by overcoming the vulnerability of noise. A display system using a mobile communication terminal comprises the followings: the mobile communication terminal having an insertion part capable of connection with an external device; and a portable display device having a slot-type connection part capable of being inserted into the insertion part of the mobile communication terminal. The mobile communication terminal transmits image data to the portable display device by a serial data transmission method.
Abstract translation: 提供了一种使用移动通信终端的显示系统，以克服移动通信终端的显示屏的限制，并使移动通信终端的连接终端和便携式显示设备最小化，从而使得能够通过大的显示来显示图像 屏幕并通过克服噪声的脆弱性来显示高分辨率图像。 使用移动通信终端的显示系统包括：移动通信终端具有能够与外部设备连接的插入部; 以及具有能够插入移动通信终端的插入部的槽型连接部的便携式显示装置。 移动通信终端通过串行数据传输方法将图像数据发送到便携式显示装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060121514A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：KR1020050043743
申请日：2005-05-24
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L27/1229 , H01L27/1214 , H01L27/1274 , H01L27/3244 , H01L29/04
Abstract: An organic light emitting display and a method for fabricating the same are provided to use a plastic or a glass as a substrate material by not adopting an LDD(Lightly Doped Drain) structure to reduce an off current. In an organic light emitting display, a plurality of pixels is arranged at a substrate(11) like a matrix shape and includes a switching transistor(Qs), a driving transistor(Qd), and an OLED(Organic Light Emitting Diode). And, the switching transistor(Qs) includes a silicon channel having a lower mobility than the driving transistor(Qd).
Abstract translation: 提供一种有机发光显示器及其制造方法，通过不采用LDD（轻掺杂漏极）结构来降低截止电流，使用塑料或玻璃作为基板材料。 在有机发光显示器中，多个像素被布置在像矩阵形状的基板（11）处，并且包括开关晶体管（Qs），驱动晶体管（Qd）和OLED（有机发光二极管）。 并且，开关晶体管（Qs）包括具有比驱动晶体管（Qd）低的迁移率的硅沟道。
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公开(公告)号：KR100634504B1
公开(公告)日：2006-10-16
申请号：KR1020040035548
申请日：2004-05-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03G15/04
CPC classification number: G03G15/32 , G03G15/75 , G03G2217/0075
Abstract: 개시된 화상형성장치는, 그 표면에 정전잠상을 형성하기 위한 정전잠상 형성매체와, 정전잠상에 토너를 공급하여 정전잠상을 토너 화상으로 현상하는 토너공급유닛과, 토너 화상을 인쇄매체에 전사하는 전사유닛을 구비한다. 상기 정전잠상 형성매체는, 프레임 부재와; 프레임 부재의 표면에 적층되며 다수의 박막 트렌지스터를 가진 박막 트랜지스터 어레이와; 박막 트랜지스터 어레이 위에 형성된 공통 전극과, 공통 전극 위에 적층된 유전체막과, 유전체막의 표면에 하나의 화소에 대응하여 하나씩 배열되며 다수의 박막 트랜지스터 각각의 드레인에 전기적으로 연결되는 다수의 화소 전극을 포함하는 커패시터층;을 구비한다. 상기 다수의 박막 트랜지스터를 통해 다수의 화소 전극 각각에 선택적으로 전하를 인가하거나 화소 전극의 전하를 선택적으로 소거하면, 정전잠상 형성매체의 표면에는 그 주변 영역의 전위와는 다른 전위를 가진 정전잠상이 형성된다.
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公开(公告)号：KR100624430B1
公开(公告)日：2006-09-19
申请号：KR1020040056815
申请日：2004-07-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
Abstract: 양질의 다결정 실리콘 TFT의 제조제조방법에 관해 개시된다. 본 발명에 따른 다결정 실리콘 TFT의 제조방법은:
게이트 위에 게이트 절연물질층과 비정질 실리콘층을 ICP-CVD(Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition )에 의해 연속 형성하는 단계; 상기 비정질 실리콘을 열처리하여 다결정 실리콘을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 게이트절연물질층을 형성하기 위하여 SiH
4 /O
2 /Ar 을 1:25:50 sccm 으로 공급하고, 파워는 1000W, 압력은 15mTorr로 조절한다.
본 발명은 하나의 챔버 내에서 게이트 절연층과 실리콘층이 연속 증착되기 때문에 게이트 절연층과 실리콘 층간의 계면 특성의 악화를 방지할 수 있다.
다결정, 바텀, 게이트, TFT-
公开(公告)号：KR100624427B1
公开(公告)日：2006-09-19
申请号：KR1020040052981
申请日：2004-07-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/20 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/02686 , H01L21/2022 , H01L27/1277 , H01L27/1296
Abstract: 양질의 다결정 실리콘의 제조 및 이를 이용하는 반도체 소자의 제조방법에 관해 개시된다. 본 발명에 따른 다결정 실리콘의 제조방법은: 기판에 형성된 비정질 실리콘 막에 중성 이온을 주입하여 비정질 실리콘 막에 존재하는 국부적 결정질을 비정질화한 후 ELA(Excimer Laser Annealing)에 의한 열처리에 의한 다결정화를 수행한다.
본 발명에 따르면 열처리시 높은 에너지로 비정질 실리콘을 다결정화할 수 있고, 한편으로는 열에 약한 플라스틱 등에도 양질의 다결정 실리콘을 형성할 수 있다. 이러한 본 발명은 실리콘, 유리와 같이 열에 강한 기판 또는 플라스틱 등과 같이 열에 약한 기판에 양질의 다결정 실리콘을 형성할 수 있다.
다결정, 실리콘, 중성, 이온, 주입-
公开(公告)号：KR1020060082619A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：KR1020050003192
申请日：2005-01-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/268 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/4958 , H01L29/66575 , H01L29/66757 , H01L29/66772
Abstract: 본 발명은 열에 강한 제 1 게이트 전극과 반사도가 높은 제 2 게이트를 사용함으로써 열처리 과정에서 게이트 전극 하부의 실리콘층이 손상되는 것을 방지한 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따르면, 게이트 전극 하부에 있는 실리콘층 양측의 도핑 영역을 열처리하여 소스와 드레인을 형성함으로써 박막 트랜지스터를 제조하는 방법은, 상기 게이트 전극은, 내열성 재료로 이루어지는 제 1 게이트 전극과 상기 제 1 게이트 전극 위에 형성되며 광반사성 금속으로 이루어지는 제 2 게이트 전극으로 구성된 복층 구조의 전극을 사용하며, 상기 실리콘층 상면에서부터 전체적으로 레이저 빔을 조사하여 상기 도핑 영역을 열처리하는 것을 특징으로 한다.
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